Blog dell'azienda Acquisizione IMBG120R140M1H Transistor MOSFET Trench SiC 1200 V

Acquisizione IMBG120R140M1H Transistor MOSFET Trench SiC 1200 V

Descrizione

Il MOSFET SiC IMBG120R140M1H 1200 V, 140 mΩ in un contenitore D2PAK-7L (TO-263-7) si basa su un processo semiconduttore trench all'avanguardia ottimizzato per combinare prestazioni e affidabilità durante il funzionamento.Le basse perdite di potenza della tecnologia CoolSiC, combinate con la tecnologia di interconnessione .XT in un nuovo pacchetto SMD ottimizzato da 1200 V, consentono la massima efficienza e il potenziale di raffreddamento passivo in applicazioni come unità, caricabatterie e alimentatori industriali.

Benefici
Miglioramento dell'efficienza
Abilitazione di una frequenza più alta
Maggiore densità di potenza
Riduzione dello sforzo di raffreddamento
Riduzione della complessità e dei costi del sistema
Il pacchetto SMD consente l'integrazione diretta nel PCB, con raffreddamento a convezione naturale senza dissipatore di calore aggiuntivo

Processo di riciclo specifico
1. Puoi semplicemente classificare le tue scorte di circuiti integrati/moduli e identificare il modello, il marchio, la data di produzione, la quantità, ecc.
2. Si prega di inviare la lista dell'inventario al nostro team di valutazione via fax o e-mail.
3. Quando ricevi l'offerta di acquisto da uno dei nostri professionisti, possiamo negoziare il metodo specifico di transazione e consegna e raggiungere un accordo.
4. Ricicliamo solo da canali regolari, come agenti, commercianti e fabbriche, e non accettiamo fonti irregolari.