Blog dell'azienda Acquisizione su scheda di valutazione: transistor RF,MOSFET,IGBT,rettilisatore,SiC

Acquisizione su scheda di valutazione: transistor RF, MOSFET, IGBT, raddrizzatore, SiC

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un'azienda globale specializzata nel riciclo di componenti elettronici e nella gestione dell'inventario, che offre servizi di riciclo professionali, efficienti e ad alto valore aggiunto. Ci impegniamo ad aiutare i clienti a ridurre l'inventario, a minimizzare lo spazio di stoccaggio e a diminuire i costi di stoccaggio e gestione.

Di seguito è riportata una panoramica dettagliata dei nostri servizi di riciclo:

1. Principali categorie di riciclo

Circuiti integrati (CI), chip 5G, CI per nuove energie, chip IoT, chip Bluetooth, chip automobilistici, CI AI, CI Ethernet, chip di memoria, sensori, moduli IGBT e una gamma di altri prodotti.

2. Vantaggi del riciclo

Riciclo ad alto prezzo: prezzi basati sulle tendenze del mercato, che offrono tariffe di mercato competitive per aiutare i clienti a massimizzare il recupero dei costi.

Pagamento rapido: supporta ‘test in giornata, pagamento in giornata,’ con transazioni completate entro 72 ore.

Supporto logistico globale: fornisce servizi logistici di trasporto merci con DHL/UPS/SF Express e altri servizi globali.

3. Processo di riciclo

Invia un elenco: i clienti forniscono modello, marca, quantità e altre informazioni.

Valutazione e preventivo: fornire piani di ispezione e preventivi entro 24 ore.

Consegna logistica: supporto per il ritiro porta a porta o la spedizione logistica globale.

Ispezione e pagamento: pagamento completato il giorno lavorativo successivo all'ispezione.

[Schede di valutazione dei transistor RF: piattaforme principali per l'acquisizione e l'elaborazione del segnale]

ON Semiconductor offre molteplici soluzioni specializzate nelle schede di valutazione dei transistor RF, in particolare la serie ARRAYX. Questa gamma è specificamente ottimizzata per l'acquisizione e l'elaborazione del segnale di array di fotomoltiplicatori a silicio (SiPM). La scheda di valutazione ARRAYX-BOB6-64S facilita l'accesso diretto a tutti i segnali pixel standard e ai singoli segnali di uscita veloci dall'ARRAYJ-60035-64P (array TSV da 6 mm 8x8). Questo progetto consente ai ricercatori di condurre esperimenti di conversione di fotodetezione e test delle prestazioni degli array con facilità, dimostrandosi particolarmente adatto per applicazioni scientifiche e industriali che richiedono una fotodetezione di alta precisione.

L'architettura di connessione della scheda di valutazione dimostra un'elevata specializzazione. Il morsettiera presenta due connettori Samtec a 80 vie (tipo QSE-040-01-F-D-A), che corrispondono perfettamente ai connettori board-to-board Samtec QTE-040-03-F-D-A sull'array. Il design con chiave di questi connettori facilita l'orientamento diretto e affidabile dell'array sulla Board of Board (BOB), riducendo significativamente la complessità di installazione e messa in servizio. Per un'uscita rapida del segnale, la scheda di valutazione instrada tutti i segnali di uscita veloci (Fn) tramite connettori corrispondenti ai pin dell'intestazione. Questi sono costituiti da quattro connettori a 50 vie (25x2 file) con passo di 2,54 mm (J3, J4, J5 e J6). Ognuna delle quattro intestazioni presenta anche 10 pin collegati al catodo comune (CM) e 8 pin non collegati (NC), offrendo flessibilità per la prototipazione e la valutazione.

La capacità di elaborazione del segnale rappresenta un altro punto chiave della scheda di valutazione ARRAYX. Due connettori SMA e trasformatori balun sono dotati di intestazioni a 4 pin, consentendo a qualsiasi segnale veloce di connettersi direttamente all'interfaccia SMA o tramite il trasformatore utilizzando ponticelli. Questo design offre molteplici opzioni per la misurazione e la corrispondenza della trasmissione del segnale ad alta frequenza. L'uscita sommata (anodi dei pixel da 1 a 64 collegati insieme) viene instradata ai pin del ponticello vicino al terzo connettore SMA (SM), facilitando il monitoraggio della forza complessiva del segnale. Meccanicamente, la scheda di valutazione presenta quattro fori da 7 mm su una griglia da 25 mm, progettati specificamente per il montaggio della scheda su breadboard ottiche, garantendo la stabilità nelle configurazioni sperimentali.

ON Semiconductor offre anche la scheda di valutazione ARRAYX-BOB3-144P, progettata specificamente per l'ARRAYC-30035-144P (array SiPM da 3 mm 12x12). Questa scheda di valutazione incorpora quattro connettori Samtec a 80 vie, instradando tutti i segnali dall'array attraverso connettori accoppiati ai pin dell'intestazione, formando otto connettori a 50 vie (25×2 file) con passo di 2,54 mm. Tre connettori SMA e un trasformatore Balun con intestazioni a 4 pin consentono il collegamento diretto di qualsiasi segnale allo SMA o tramite il trasformatore utilizzando ponticelli. Simile al BOB6-64S, la scheda incorpora quattro fori di montaggio da 7 mm su una griglia da 25 mm per una facile integrazione nelle piattaforme sperimentali ottiche.

【Scheda di valutazione MOSFET: strumenti professionali per una gestione efficiente dell'alimentazione】

Scheda di valutazione MOSFET a raddrizzatore sincrono

Oltre agli interruttori di carico, ON Semiconductor offre strumenti di valutazione specializzati per le applicazioni di raddrizzamento sincrono (SR). La scheda di valutazione NCP4306FLY150GEVB è un driver ad alte prestazioni progettato specificamente per controllare i MOSFET a raddrizzamento sincrono negli alimentatori switching. Questa scheda supporta più topologie, tra cui flyback DCM o CCM, flyback quasi-risonante, forward e configurazioni LLC risonanti a mezzo ponte, dimostrando un'eccezionale flessibilità applicativa.

Per quanto riguarda le caratteristiche tecniche, la scheda di valutazione NCP4306FLY150GEVB presenta un tempo minimo di spegnimento e un tempo di blanking all'accensione regolabili esternamente. Questa combinazione di design aiuta a eliminare gli effetti di ringing causati dal layout del PCB e da altri elementi parassiti, migliorando la stabilità del sistema. La scheda di valutazione incorpora anche la funzionalità di auto-sincronizzazione, garantendo un funzionamento affidabile e senza rumore del sistema SR. Inoltre, il suo comparatore di spegnimento preciso, l'ampio intervallo di tensione di ingresso e l'alta frequenza di funzionamento consentono l'adattamento a diversi ambienti di alimentazione complessi.

Offrendo significativi vantaggi applicativi, il design efficiente della scheda di valutazione NCP4306FLY150GEVB facilita il funzionamento sia nei rami positivi che negativi, offrendo una robusta capacità di pilotaggio MOSFET. I tempi minimi di accensione e spegnimento regolabili, insieme al rilevamento del carico leggero configurabile, consentono agli ingegneri di ottimizzare le prestazioni in base a specifici requisiti applicativi. Queste caratteristiche rendono la scheda di valutazione la scelta ideale per lo sviluppo di alimentatori switching ad alta efficienza, in particolare nell'elettronica di consumo e nei settori dell'energia industriale in cui prevalgono rigorose esigenze di efficienza energetica.

Schede di valutazione IGBT: garanzia affidabile per azionamenti industriali

Schede di valutazione del modulo di alimentazione intelligente SPM

All'interno delle applicazioni di azionamento industriale, le schede di valutazione IGBT svolgono un ruolo fondamentale. Le schede di valutazione del modulo di alimentazione intelligente SPM2 e SPM3 di ON Semiconductor sono progettate specificamente per le applicazioni di azionamento di motori industriali, assistendo i progettisti nella costruzione di soluzioni di azionamento più compatte, affidabili ed efficienti dal punto di vista energetico. Questi moduli ora coprono potenze nominali fino a 10 kW, disponibili nelle versioni a 600 V e 1200 V. Gli azionamenti motore con ingresso CA monofase utilizzano in genere il modulo a 600 V, mentre gli azionamenti motore con ingresso CA trifase richiedono il modulo a 1200 V. Questa stratificazione della tensione garantisce una corrispondenza ottimale delle prestazioni in diversi scenari applicativi.

L'elevata integrazione è una caratteristica distintiva delle schede di valutazione della serie SPM. Ogni modulo incorpora uno stadio di potenza dell'inverter completo, integrando driver di gate, unità di rilevamento della temperatura, diodi boost e sei IGBT. Questo design altamente integrato riduce il numero di componenti esterni, semplifica il layout del sistema e migliora l'affidabilità complessiva. Le complete funzioni di protezione, tra cui la protezione da cortocircuito, la protezione da spegnimento morbido e il blocco di sottotensione, garantiscono un funzionamento affidabile dell'azionamento del motore in tutte le condizioni di guasto. Questi meccanismi di protezione sono particolarmente cruciali per le apparecchiature critiche che operano continuamente in ambienti industriali.

In termini di progresso tecnologico, la scheda di valutazione SPM3 di ON Semiconductor utilizza nuovi IGBT a terza generazione a campo di arresto, migliorando significativamente le capacità di gestione della potenza. Attualmente, l'SPM3 incorpora IGBT da 50 A/600 V o 20 A/1200 V, offrendo potenze nominali fino a 5 kW per azionamenti CA con ingresso monofase e trifase. L'SPM2 da 35 A/1200 V di potenza superiore copre fino a 7,5 kW, mentre i campioni SPM2 da 50 A in fase di sviluppo forniranno livelli di potenza fino a 10 kW. Questa espansione di potenza consente alle schede di valutazione della serie SPM di soddisfare i diversi requisiti che vanno dai dispositivi compatti ai macchinari industriali di medie dimensioni.

【Schede di valutazione del raddrizzatore: componenti chiave per la conversione ad alta efficienza】

ON Semiconductor offre molteplici soluzioni specializzate nelle schede di valutazione del raddrizzatore, con particolare attenzione alla tecnologia di raddrizzamento sincrono. La scheda di valutazione NCP4306FLY150GEVB esemplifica questo campo, progettata specificamente per controllare i MOSFET a raddrizzamento sincrono (SR) negli alimentatori switching. Questa scheda di valutazione supporta più topologie, tra cui flyback a modalità di conduzione discontinua (DCM) o a modalità di conduzione continua (CCM), flyback quasi-risonante, forward e LLC risonante a mezzo ponte, tra gli altri. Questa ampia adattabilità la rende una piattaforma versatile per lo sviluppo di sistemi di alimentazione ad alta efficienza.

Per quanto riguarda le caratteristiche prestazionali, la scheda di valutazione NCP4306FLY150GEVB presenta un design ad alta efficienza che integra un MOSFET da 150 V specificamente per le applicazioni flyback. Il comparatore di spegnimento preciso della scheda garantisce un funzionamento affidabile e senza rumore dei sistemi SR, mentre la sua ampia gamma di tensioni di ingresso e l'elevata capacità di frequenza operativa consentono l'adattamento a diversi ambienti operativi complessi. Il robusto driver MOSFET, insieme ai tempi minimi di accensione e spegnimento regolabili, offre agli ingegneri una notevole flessibilità per l'ottimizzazione delle prestazioni.

I vantaggi di progettazione sono significativi: la funzione di rilevamento del carico leggero regolabile della scheda di valutazione consente il funzionamento flessibile sia nei rami positivi che negativi. Il suo design compatto e di piccole dimensioni facilita l'integrazione in applicazioni con spazio limitato, mentre l'auto-sincronizzazione garantisce un funzionamento stabile e affidabile del sistema. Queste caratteristiche posizionano collettivamente la scheda di valutazione NCP4306FLY150GEVB come la scelta ideale per lo sviluppo di sistemi di alimentazione altamente efficienti e affidabili, in particolare nell'elettronica di consumo e nei settori dell'energia industriale in cui i requisiti di efficienza energetica sono sempre più rigorosi.

【Schede di valutazione al carburo di silicio (SiC): tecnologia all'avanguardia per semiconduttori di potenza di nuova generazione】

Scheda di valutazione del modulo MOSFET SiC ad alta tensione

Poiché la tecnologia al carburo di silicio è al centro dei semiconduttori di potenza di nuova generazione, ON Semiconductor fornisce soluzioni di valutazione avanzate in questo campo. La scheda di valutazione EVBUM2878G-EVB è progettata specificamente per il modulo MOSFET SiC M3S 4-PACK da 1200 V, rivolta principalmente ad applicazioni di infrastrutture energetiche come inverter fotovoltaici, sistemi UPS e stazioni di ricarica per veicoli elettrici. Rispetto alle tradizionali soluzioni IGBT o MOSFET super-junction, la tecnologia al carburo di silicio migliora significativamente l'efficienza e la densità di potenza del sistema, offrendo miglioramenti rivoluzionari per applicazioni ad alta potenza.

Le specifiche tecniche principali indicano che l'EVBUM2878G-EVB supporta una tensione di esercizio nominale di 800 Vdc con una tensione di tenuta massima del collegamento CC di 1000 V. Caratterizzato da un design del driver di gate indipendente a 4 canali, fornisce una tensione di tenuta di isolamento primaria-secondaria di 2,5 kV RMS. Per la gestione termica, il rivestimento nero del PCB migliora l'efficienza della radiazione termica e supporta il fissaggio del dissipatore di calore esterno. La scheda FR4 a 4 strati con spessore di rame di 70μm e design di instradamento a bassa induttanza ottimizza ulteriormente le prestazioni di commutazione ad alta frequenza.

Per la compatibilità del modulo, la scheda di valutazione supporta sia i moduli NXH011F120M3F2PTHG (11mΩ) che NXH007F120M3F2PTHG (7mΩ). La soluzione del driver utilizza il driver isolato NCD57084, supportando una tensione di gate a doppia polarità di +18 V/-3 V. Il design del collegamento CC incorpora un'architettura di condensatori a film con una capacità consigliata di 180μF, consentendo agli utenti di regolare la distinta base per soddisfare i diversi requisiti applicativi. Queste configurazioni flessibili consentono alla scheda di valutazione di adattarsi a diversi scenari di test che richiedono prestazioni.

Le capacità complete di interfaccia e monitoraggio includono quattro connettori SMA che supportano gli ingressi PWM (VIL: 0–1,5 V, VIH: 3,5–5 V). Un termistore NTC integrato (resistenza di 5 kΩ a 25°C) fornisce il rilevamento della temperatura, mentre le funzioni di protezione dai guasti includono il monitoraggio dello stato READY e la protezione DESAT (disabilitata). L'alimentazione del driver utilizza quattro convertitori CC/CC isolati indipendenti (CUI VQA3S-S5-D18-S), fornendo doppie uscite di +18 V/-3 V a 2 W. L'alimentazione lato secondario viene filtrata tramite una combinazione di condensatori da 100 nF + 10μF, garantendo l'integrità del segnale di pilotaggio stabile e pulito.