Blog dell'azienda Acquisizione Renesas FET Drivers Board di valutazione:FET Driver,GaN FET Driver,Synchronous Buck FET Driver

Acquisizione Renesas FET Drivers Board di valutazione:FET Driver,GaN FET Driver,Synchronous Buck FET Driver

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.è un importante riciclatore mondiale di componenti elettronici.aiutare i clienti a digerire l'inventario, ridurre il magazzinaggio e ridurre i costi di magazzinaggio e di gestione.

Il settore del riciclaggio presenta i seguenti vantaggi fondamentali:

1Capacità di copertura completa del modello

Supporta il riciclo di componenti elettronici di varie marche e modelli, compresi i circuiti integrati IC, i chip 5G, i nuovi circuiti integrati energetici, i chip IoT, i chip Bluetooth, i chip per automobili,IC di intelligenza artificiale, circuiti integrati Ethernet, chip di memoria, sensori, moduli IGBT, ecc., che coprono l'elettronica automobilistica, il controllo industriale, le comunicazioni, l'IA e altri campi.

2- Evaluazione professionale e recupero costoso

Abbiamo un team tecnico esperto per condurre test di autenticità e verifica delle prestazioni per garantire prezzi accurati.

3Processo di servizio efficiente e flessibile

Fornire un preventivo rapido di 24 ore e supportare la modalità "ispezione nello stesso giorno, pagamento nello stesso giorno".

Accettare il riciclaggio misto di materiali di lotti interi/in sfero e sostenere i servizi di ritiro porta a porta, di logistica transfrontaliera e di raccolta in magazzino.

I. Consigli di valutazione dei conducenti FET: Fondazione industriale ad alta affidabilità

Le schede di valutazione dei driver FET universali si concentrano sulla fornitura di una capacità di azionamento di gate stabile e robusta, adatta a diverse applicazioni, tra cui azionamenti motori e conversione di potenza.Il loro valore fondamentale risiede nella semplificazione della complessità di progettazione di impianti ad alta tensione, circuiti di commutazione ad alta corrente.

1Modelli di base e analisi delle caratteristiche

Rappresentati dalle schede di valutazione della serie ISL78424EVAL3Z/ISL78444EVAL1Z, sono specificamente progettati per la valutazione dei driver a mezzo ponte da 100 V.

Capacità di azionamento robusta: fornisce corrente di sorgente 3A e corrente di dissipazione 4A, consentendo una rapida attivazione e spegnimento del MOSFET per ridurre efficacemente le perdite di commutazione.

Progettazione integrata: incorpora due MOSFET a canale N di bordo per formare un completo stadio di alimentazione a mezzo ponte, consentendo la connessione diretta di carico (ad esempio, motori CC) per i test.

Controllo e protezione intelligenti:

Input PWM a tre livelli (ISL78424/ISL78444): controlla simultaneamente i driver a lato alto e a lato basso con un singolo segnale, semplificando l'interfaccia del controller.

Tempo morto programmabile: regolabile tramite un singolo resistore (35ns a 400ns) per impedire la conduzione diretta tra i lati alto e basso, garantendo la sicurezza del sistema.

Ampia gamma di funzionamento: tensione di alimentazione da 8V a 18V, driver lato alto sopporta oscillazioni di tensione fino a 70V e temperatura di funzionamento da -40°C a +140°C,soddisfazione di esigenze industriali e automobilistiche.

2. Scenari tipici di applicazione

Motore a corrente continua (BLDC): fornisce soluzioni di azionamento per ventilatori, pompe e giunture robotiche.

Regulatori di commutazione sincrona: utilizzati nei progetti di power stage per alimentatori DC-DC.

Forniture di alimentazione e apparecchiature di automazione industriali: adatte ai sistemi di controllo di automazione delle fabbriche grazie alla loro elevata affidabilità.

II. Comitato di valutazione dei driver dei FET del nitruro di gallio (GaN): spingere i confini dell'efficienza e della densità

Con l'aumentare della domanda di alta densità di potenza ed efficienza nell'IA, nella ricarica rapida e nei sistemi di energia rinnovabile, le soluzioni basate sul semiconduttore GaN a banda larga sono in prima linea.Il comitato di valutazione del GaN di Renesas affronta i colli di bottiglia nella conversione di alta potenza.

1. Analisi del modello di base e delle caratteristiche

La scheda di valutazione RTKA226110DE0010BU è un ottimo esempio, integrando il driver di cancello RAA226110 con un 650V GaN E-HEMT (Enhanced High Electron Mobility Transistor).

Integrazione GaN a prova di futuro: i dispositivi GaN a bordo da 650V di GaN Systems riducono le perdite di commutazione fino al 50% e la densità di potenza tripla rispetto ai tradizionali MOSFET a base di silicio.

0V Shutdown semplifica la progettazione: offre una soluzione di tensione di spegnimento a 0V che elimina circuiti complessi di generazione di tensione negativa,con un'intensità di potenza superiore a 50 W,.

Topologia Half-Bridge pronta all'uso: la scheda di valutazione comprende tutti i circuiti necessari, tra cui un alimentatore isolato e un dissipatore di calore,formando una scheda di comando integrata a mezzo ponte di soli 35 mm di altezza e compatibile con i modelli di telaio 1U.

prestazioni eccezionali del dispositivo: abbinato ai FET SuperGaN® di quarta generazione di Renesas (ad esempio, serie TP65H030G4P), con una bassa resistenza di accensione di 30 mΩ e una tensione soglia ottimizzata di 4 V,garantire l'immunità al rumore migliorando l'efficienza.

2. Scenari tipici di applicazione

Fornitura di alimentazione del data center AI: utilizzata in PFC a totem-pole all'interno di architetture a 800 V, con efficienza massima superiore al 99,2% e densità di potenza di 120 W/in3,migliorando così l'efficienza energetica dei server.

Stazioni di ricarica veloce EV: supporta la ricarica ad alta potenza da 22 kW +.Alte frequenze di commutazione (> 500 kHz) combinate con caratteristiche di bassa perdita riducono significativamente le dimensioni del trasformatore e i costi di gestione termica.

Forniture di alimentazione per l'immagazzinamento e la comunicazione fotovoltaica: adatte a microinverter solari ad alto rendimento e convertitori bidirezionali DC-DC, migliorando l'efficienza complessiva del ciclo energetico.

III. Comitato di valutazione del driver FET Buck sincrono: gestione precisa ed efficiente dell'energia

per applicazioni che richiedono una conversione multicanale, regolabile e altamente efficiente,il comitato di valutazione del controllore di buck sincrono fornisce una piattaforma di verifica completa della gestione dell'energia.

1Modelli di base e analisi delle caratteristiche

Prendendo come esempi le schede di valutazione ISL78264EVAL1Z e ISL81601EVAL1Z, esse mostrano differenze di enfasi sulle prestazioni.

Le loro caratteristiche principali sono riassunte nella tabella seguente:

ISL78264EVAL1Z Comitato di valutazione

Controller di base ISL78264 Controller a doppia bobina sincrona

Intervallo di tensione di ingresso da 3,75V a 42,0V

Capacità di uscita Canale 1: 3.3V/5V fisso o regolabile da 0,8 a 5V; Canale 2: 0,8-32V regolabile

Frequenza di commutazione da 200 kHz a 2 MHz programmabile

Vantaggi principali: doppia uscita indipendente, eccezionale flessibilità, corrente quiescente ultra-bassa (6μA per canale)

Applicazioni tipiche ECU automobilistiche, sistemi di infotainment, controllo industriale

ISL81601EVAL1Z Comitato di valutazione

Controller di base ISL81601 60V, controller di buck sincrono ad alta tensione

Intervallo di tensione di ingresso da 9V a 60V

Capacità di uscita Supporta il funzionamento bidirezionale; la capacità di corrente di uscita dipende da FET e induttore esterni

Frequenza di commutazione programmabile da 100 kHz a 600 kHz

Vantaggi principali Alta tensione di ingresso, funzionamento bidirezionale, robuste caratteristiche di protezione integrate

Applicazioni tipiche Applicazioni ad alta corrente, sistemi a batteria, alimentatori di apparecchiature di comunicazione

2. Vantaggi di progettazione

Questi comitati di valutazione offrono una flessibilità e un'affidabilità eccezionali:

Modalità ad alta efficienza: supporta la PWM forzata e le modalità di risparmio energetico a carico leggero (ad esempio, DEM, pulse skipping) per ottimizzare l'efficienza in tutta la gamma di carico.

Caratteristiche di protezione complete: la protezione integrata da sovravolta (OVP), sottovolta (UVP), sovra corrente (OCP) e sovra temperatura (OTP) garantisce un funzionamento stabile del sistema.