Di acquisizioni di SIC del circuito integrato ampi Bandgap transistor di acquisizioni dei transistor del chip SCT040W120G3AG HiP247
Descrizione di prodotto di SCT040W120G3AG
SCT040W120G3AG è MOSFET 1200 V, un tipo di potere del carburo di silicio del Automobilistico-grado di 40 mOhm., 40 A in un pacchetto HiP247. Migliori la prestazione dell'applicazione nella frequenza, nel rendimento energetico, nella dimensione di sistema e nella perdita di peso.
Specificazione di SCT040W120G3AG
Numero del pezzo: | SCT040W120G3AG | Dissipazione di potere (massima): | 312W |
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Identificazione di Vgs (Th) (massimo) @: | 4.2V @ 5mA | Tassa del portone (Qg) (massimo) @ Vgs: | 56 NC @ 18 V |
Vuoti corrente (pulsato): | 179 A | Capacità introdotta (Ciss) (massimo) @ Vds: | 1329 PF @ 800 V |
Caratteristiche di SCT040W120G3AG
Specifico ricicli il processo
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