Componenti elettronici di singole IGBTs di acquisizioni acquisizioni dei transistor TO-247-3 dei transistor AFGHL40T65SQ 238W
Descrizione di prodotto di AFGHL40T65SQ
Singoli IGBTs transistor di AFGHL40T65SQ 238W - i transistor di arresto di campo della fossa di IGBT, pacchetto è TO-247-3 (attraverso il foro), tensione transitoria di Gate−To−Emitter è ±30V.
Specificazione di AFGHL40T65SQ
Numero del pezzo: | AFGHL40T65SQ | Vce (sopra) (massimo) @ Vge, CI: | 2.1V @ 15V, 40A |
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Resistenza termica Junction−To−Ambient: | 40°C/W | Tassa del portone: | 68 NC |
Resistenza termica Junction−To−Case, per IGBT: | 0.63°C/W | Energia di commutazione: | 250µJ (sopra), 90µJ (fuori) |
Caratteristiche di AFGHL40T65SQ
Specifico ricicli il processo
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3. Quando ricevete l'offerta dell'acquisto da uno dei nostri professionisti, possiamo negoziare il metodo e la consegna specifici di transazione e raggiungere un accordo.
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Tipo dell'acquisto
Acquistiamo i vari componenti elettronici e IC si rifornisce in quantità eccessiva, incluso ma non limitato a: 5G CI, nuova energia CI, Internet delle cose CI, BT CI, Internet dei veicoli CI, CI automobile-standard, stazione base CI, comunicazione CI, intelligenza artificiale CI, CI medici, elettrodomestico CI, voce CI, memoria CI, sensore CI, microcontroller CI, ricetrasmettitore CI, telefono cellulare CI, CI portabili, connettori, illuminazione CI, resistenze del condensatore, TO-247, diodi e triodi.
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