Acquisizioni Transistor PMDXB600UNE Transistor dual 2N-Channel XFDFN6
Specifica di PMDXB600UNE
Modello di acquisizioni | PMDXB600UNE |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
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600 mA
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Rds On (Max) @ Id, Vgs
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620 mOhm a 600 mA, 4,5 V
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Vgs(th) (Max) @ Id
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950mV a 250µA
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Carica di Gate (Qg) (Max) @ Vgs
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0,7nC @ 4,5V
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Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds
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21,3 pF a 10 V
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Potenza - max
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380 mW
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temperatura di esercizio
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-55°C ~ 150°C (TJ)
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Tipo di montaggio
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Montaggio superficiale
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Confezione/caso
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6-XFDFN Piazzola esposta
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Tipi di acquisizioni
Acquistiamo un'ampia serie di moduli utilizzati nei vari campi, tra cui (ma non limitato a) 5G, nuova energia, Internet of Things, Internet of Vehicles, dispositivi standard per automobili, stazioni base, comunicazioni, intelligenza artificiale, radiofrequenza, home elettrodomestici, tiristori, servizi medici, industria, Bluetooth 5.0, Ethernet, sensori, moduli ottici, CC/CC, Wi-Fi, LPWA, GNSS e IGBT.
Processo di riciclo specifico
Persona di contatto: Mr. Sales Manager
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