Blog dell'azienda Da HBM a LPDDR5: Mingjiada Electronics fornisce chip di memoria Samsung e SK Hynix

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un fornitore con quasi 30 anni di esperienza nel settore dei componenti elettronici. L'azienda fornisce chip di memoria di diversi marchi, tra cui Samsung e SK Hynix. Di seguito è riportata un'introduzione ai suoi principali prodotti di chip di memoria.

Linee di prodotti principali

1. Gamma completa di chip di memoria Samsung

Mingjiada Electronics fornisce chip di memoria Samsung che comprendono tutte le categorie, tra cui DRAM, NAND Flash, UFS, HBM ed eMMC. La tecnologia spazia dai processi maturi all'ultima generazione di soluzioni ad alte prestazioni:

1. Serie HBM ad alte prestazioni

HBM3 Icebolt: KHBAC4A03D-MC1H (capacità 24 GB, impilamento a 12 strati, velocità di trasferimento 6,4 Gbps, larghezza di banda totale 819 GB/s), progettato specificamente per l'addestramento dell'IA, l'high-performance computing (HPC) e l'accelerazione dei data center

HBM2E Flashbolt: KHAA84901B-JC17, che offre un'elevata larghezza di banda e bassa latenza per l'elaborazione grafica e le applicazioni metaverse

2. Serie DDR SDRAM

DDR4: K4A8G165WC-BCWE (capacità 8 Gb, velocità 3200 Mbps), adatto per server e workstation; K4A4G045WE-BCRC ampiamente utilizzato in smartphone e sistemi di controllo industriale

DDR3L: K4B4G0846E-BCMA (capacità 4 Gb, velocità 1866 Mbps, bassa potenza 1,5 V), convalidato per l'affidabilità di grado automobilistico, adatto per l'elettronica automobilistica, i dispositivi medici e l'automazione industriale

K4B4G1646E-BYMA: SDRAM DDR3L da 4 Gb in package FBGA-96, che supporta cache e multitasking

3. Serie LPDDR a bassa potenza

LPDDR5 uMCP: KM2L9001CM-B518 e KM8L9001JA-B624 (capacità 128 GB), che integrano DRAM LPDDR5 con memoria flash UFS 3.1. Progettato per smartphone e dispositivi indossabili di fascia media e alta, offre un equilibrio tra elevata larghezza di banda e basso consumo energetico

LPDDR4X: Modelli tra cui K3KL8L80EM-MGCV, che soddisfano i severi requisiti di consumo energetico per i terminali IoT

4. Memoria flash UFS

UFS 3.1: KLUDG4UHYB-B0EP (128 GB), adatto per dispositivi mobili di punta e soluzioni automobilistiche

UFS 2.1: KLUBG4G1ZF-C0CQ (512 GB), che supporta una larghezza di banda di 6 Gbps per dispositivi mobili ad alte prestazioni e sistemi di infotainment in-vehicle

5. Memoria di archiviazione integrata eMMC

eMMC 5.1: KLMAG1JETD-B041 (128 GB), ampiamente distribuito in smartphone e tablet per l'avvio rapido del sistema e un'esperienza applicativa fluida

6. NAND Flash

Tecnologia V-NAND: K4F6E3S4HB-KHCL adatto per l'archiviazione integrata e l'elettronica automobilistica

2. Chip di memoria SK Hynix

Mingjiada Electronics mantiene una fornitura stabile e a lungo termine di chip di memoria ad alte prestazioni SK Hynix, con prodotti chiave tra cui:

1. Serie LPDDR4X

H9HCNNNBKUMLHR-NMOR: 128 GB ad alta capacità, che supporta velocità di trasferimento dati di 4266 Mbps con una tensione di esercizio di soli 1,1 V. Utilizzando l'imballaggio FBGA-200, funziona in modo affidabile in un ampio intervallo di temperature da -40°C a +85°C. Ampiamente distribuito in smartphone, tablet, laptop e server, offre un'elaborazione dati ad alta velocità, un basso consumo energetico e un'affidabilità superiore.

2. Archiviazione aziendale e industriale

Mingjiada Electronics fornisce anche soluzioni di memoria specializzate di SK Hynix per data center, SSD aziendali ed elettronica automobilistica, soddisfacendo i severi requisiti di elevata durata e stabilità.

3. Aree di applicazione tipiche

• Server AI e data center: HBM3, DDR4, SSD aziendali

• Elettronica automobilistica: DDR3L di grado automobilistico, eMMC, UFS conforme alla certificazione AEC-Q

• Smartphone e dispositivi mobili: LPDDR5, UFS 3.1, eMMC 5.1

• Controllo industriale e IoT: SLC NAND, DDR di grado industriale, SPI NAND

• Dispositivi medici ed elettronica di consumo: DRAM ad alta affidabilità, serie LPDDR a bassa potenza

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