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Blog dell'azienda Disponibilità a magazzino di MOSFET di potenza a canale N Infineon BSZ440N10NS3G OptiMOS™3, transistor di potenza da 100V

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Disponibilità a magazzino di MOSFET di potenza a canale N Infineon BSZ440N10NS3G OptiMOS™3, transistor di potenza da 100V
ultime notizie sull'azienda Disponibilità a magazzino di MOSFET di potenza a canale N Infineon BSZ440N10NS3G OptiMOS™3, transistor di potenza da 100V

Mingjiada Electronics Hot Sale: Infineon MOSFET di potenza N-channelBSZ440N10NS3G, Transistor di potenza OptiMOSTM3, 100 V.

 

BSZ440N10NS3GDescrizione del prodotto
L'Infineon BSZ440N10NS3G MOSFET di potenza N-channel è un transistor di potenza della serie OptiMOSTM3 da 100 V. Il BSZ440N10NS3G è confezionato in un pacchetto PG-TSDSON-8, con una dimensione compatta (3,3 × 3,3 × 1).1 mm)Il BSZ440N10NS3G è conforme agli standard RoHS e AEC-Q101, rendendolo adatto per applicazioni elettroniche industriali e automobilistiche.

 

BSZ440N10NS3GCaratteristiche del prodotto
Bassa resistenza di accensione: RDS ((on) fino a 3,8 milliohm (tipico), il BSZ440N10NS3G riduce significativamente la perdita di potenza e migliora l'efficienza del sistema.
Capacità di commutazione rapida: il BSZ440N10NS3G supporta scenari operativi ad alta frequenza, soddisfacendo le esigenze della moderna conversione efficiente di potenza.
Capacità di corrente elevata: il BSZ440N10NS3G può resistere a correnti elevate per brevi periodi senza danni.
Diodo inverso incorporato: il BSZ440N10NS3G riduce la necessità di componenti aggiuntivi e semplifica la progettazione del circuito.
Conformità RoHS: rispettosa dell'ambiente e adatta alle applicazioni del mercato globale.
Tipo di pacchetto: il BSZ440N10NS3G utilizza un pacchetto PG-TSDSON-8, migliorando le prestazioni termiche ed elettriche riducendo allo stesso tempo lo spazio di installazione.

 

IlBSZ440N10NS3Gpresenta le seguenti caratteristiche:
Resistenza di accensione ultra-bassa: RDS ((on) = 3,8 mΩ @ Vgs = 10 V
Capacità di commutazione rapida: Qg = 9,1 nC @ 10 V
Capacità di corrente elevata: Id = 18 A @ 25°C
Ampia gamma di temperature di esercizio: da -55°C a +150°C
Diodo inverso integrato

 

Parametri chiave
I principali parametri del
BSZ440N10NS3Gincludono:
tensione di scarico (VDS): 100 V
Corrente di scarico continua (Id): 18A
Corrente di scarico dell'impulso (Idp): 660A
tensione della sorgente di sblocco (Vgs): ±20V
Voltaggio di soglia (Vgs ((th)): 2,7V
Capacità di ingresso (Ciss): 640 pF

 

Applicazioni tipiche
Il BSZ440N10NS3G è ampiamente utilizzato in:
Fornitori di alimentazione di commutazione (SMPS)
Convertitori di corrente continua
Motori motori
Sistemi di gestione delle batterie
Fornitori energetici industriali

 

Mingjiada Electronics garantisce laBSZ440N10NS3GCon i suoi eccellenti parametri di prestazione e affidabilità, ilBSZ440N10NS3Gè una scelta ideale per la progettazione di elettronica di potenza.

 

Per richieste di informazioni relative all'acquisto diBSZ440N10NS3G, per favore contatta Mingjiada Electronics per le ultime informazioni sui prezzi e sulle scorte.

 

Informazioni di contatto:
Signor Chen: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Sito web:
www.integrated-ic.com
Indirizzo: stanza 1239-1241, edificio Xinyazhou Guoli, strada Zhenzhong, distretto di Futian, città di Shenzhen

Tempo del pub : 2025-07-12 10:00:31 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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