Infineon1EDI3033ASAutomotive Single Channel High Voltage Gate Driver per il MOSFET SiC
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.,Infineon, come principale fornitore nazionale di componenti elettronici, ha fornito costantemente1EDI3033ASdriver di cancello ad alta tensione monocanale di livello automobilistico, che fornisce una soluzione ottimale per le applicazioni SiC MOSFET.
Visualizzazione della1EDI3033ASGuida della porta
L'Infineon 1EDI3033AS è un driver di cancello isolato a canale singolo ad alte prestazioni specificamente progettato per i MOSFET a carburo di silicio (SiC).Utilizza una tecnologia avanzata di isolamento del trasformatore senza nucleo (CT) per fornire segnali di azionamento sicuri e affidabili per gli interruttori di alimentazione ad alta tensioneIl dispositivo è conforme allo standard di certificazione AEC-Q100 per l'automotive, garantendo un funzionamento stabile in ambienti elettronici automobilistici difficili.È una scelta ideale per applicazioni quali i sistemi di propulsione elettrica nei veicoli a nuova energia, caricabatterie di bordo (OBC) e convertitori DC-DC.
il 1EDI3033AS è dotato di una tensione di isolamento fino a 5 kVrms e di una corrente di picco di ±10 A,consentire una rapida commutazione dei MOSFET SiC e sfruttare appieno i loro vantaggi di alta frequenza e di alta efficienzaRispetto alle soluzioni di isolamento tradizionali basate su optoaccoppiatori o trasformatori d'impulso, il 1EDI3033AS utilizza la tecnologia del trasformatore senza nucleo,che offre un ritardo di propagazione inferiore (valore tipico di 25 ns) e una maggiore immunità transitoria a modalità comune (CMTI > 150 kV/μs), garantendo un funzionamento stabile del sistema anche in ambienti rumorosi.
Caratteristiche tecniche fondamentali1EDI3033AS
Il driver di cancello Infineon 1EDI3033AS integra molteplici tecnologie innovative, conferendogli un vantaggio significativo nel campo dei driver SiC MOSFET.Il dispositivo utilizza un pacchetto compatto DSO-8 con dimensioni di soli 5 mm × 6supporta un ampio intervallo di tensione di funzionamento da 15V a 30V, compatibile con vari progetti di alimentazione del sistema,e comprende una protezione UVLO (under-voltage lock-out) per prevenire il funzionamento indesiderato in condizioni di tensione anormale.
In termini di capacità di azionamento, il 1EDI3033AS fornisce una corrente di uscita di picco di ± 10A,che consente di caricare e scaricare rapidamente la capacità del gate del SiC MOSFET per raggiungere velocità di commutazione a livello di nanosecondiQuesta caratteristica è cruciale per sfruttare appieno i vantaggi delle apparecchiature SiC ad alta frequenza, riducendo efficacemente le perdite di commutazione e migliorando l'efficienza del sistema.Il conducente integra internamente una funzione attiva di chiusura Miller, impedendo la conduzione involontaria di MOSFET SiC causata dall'effetto Miller in condizioni di elevato dv/dt, migliorando significativamente l'affidabilità del sistema.
Le prestazioni di isolamento sono un'altra caratteristica chiave del 1EDI3033AS.ottenendo un isolamento migliorato di 5 kVrms (conforme alle norme UL 1577) e un'immunità transitoria in modalità comune (CMTI) superiore a 150 kV/μsQuesto elevato livello di prestazioni di isolamento è particolarmente importante per i sistemi ad alta tensione (come le piattaforme per veicoli elettrici da 800 V),prevenire efficacemente le interferenze del segnale tra i circuiti a lato alto e a lato basso e garantire un funzionamento stabile del sistema in condizioni estreme.
Il 1EDI3033AS dispone anche di funzioni di protezione complete, tra cui il blocco sotto tensione (UVLO), la protezione da sovratemperatura e la protezione da cortocircuito.Questi meccanismi di protezione si attivano prontamente quando si verificano anomalie del sistema, impedendo che i MOSFET SiC vengano danneggiati a causa di sovratensione, sovracorrente o surriscaldamento. Il driver funziona in un ampio intervallo di temperatura da -40°C a +125°C,che soddisfano pienamente i requisiti ambientali delle applicazioni di elettronica automobilistica.
Perfetto abbinamento del1EDI3033AScon MOSFET in carburo di silicio
La combinazione del driver di cancello Infineon 1EDI3033AS e dei MOSFET SiC (CoolSiCTM) rappresenta l'avanguardia della tecnologia dell'elettronica di potenza.perdite di conduzione inferioriTuttavia, per sfruttare appieno questi vantaggi, è essenziale un driver di cancello appositamente ottimizzato.
Il 1EDI3033AS è stato specificamente ottimizzato per soddisfare i requisiti di azionamento unici dei MOSFET SiC.I dispositivi SiC richiedono in genere tensioni di azionamento del cancello più elevate (in genere da +18V/-3V a +20V/-5V) per garantire una piena conduzione e un spegnimento affidabile, e la tensione di uscita regolabile del 1EDI3033AS soddisfa perfettamente questo requisito.e il controllo preciso della tensione del cancello fornito dal 1EDI3033AS può prolungare efficacemente la durata del dispositivo.
Per quanto riguarda le caratteristiche di commutazione, la combinazione dei MOSFET 1EDI3033AS e SiC consente di raggiungere velocità di commutazione di livello nanosecondo, riducendo significativamente le perdite di commutazione.I dati di prova mostrano che il modulo MOSFET CoolSiCTM 1200V azionato dal 1EDI3033AS riduce le perdite di commutazione di oltre il 50% rispetto ai tradizionali IGBT a base di silicio, migliorando l'efficienza del sistema del 3-5%. Ciò si traduce in un significativo risparmio energetico e una maggiore autonomia per applicazioni ad alta potenza come i sistemi di propulsione dei veicoli elettrici.
La gestione termica è anche una considerazione fondamentale nelle applicazioni SiC.con una temperatura di combustione superiore a 30 °C,Questa compatibilità ad alta temperatura consente ai sistemi di utilizzare dissipatori di calore più piccoli o progetti a maggiore densità di potenza, contribuendo a ridurre le dimensioni e il peso del sistema.con una lunghezza massima di 20 mm o più, ma non superiore a 50 mm.
Applicazioni del1EDI3033ASnei veicoli a nuova energia
I veicoli a nuova energia sono uno dei più importanti settori di applicazione per il driver di cancello 1EDI3033AS.con loro alta tensione, caratteristiche ad alta temperatura e ad alta frequenza, sono diventate la scelta preferita per i sistemi di azionamento elettrico.Il ruolo della società dell'informazione.
Nelle applicazioni di inverter di azionamento principale, il 1EDI3033AS viene utilizzato per azionare i moduli di potenza CoolSiCTM MOSFET, consentendo una conversione efficiente della potenza CC della batteria in potenza CA del motore.Rispetto alle soluzioni tradizionali a base di silicio, gli inverter SiC possono migliorare l'efficienza del 3-5%, il che significa che i veicoli elettrici possono ottenere un aumento dell'autonomia del 5-8% con la stessa capacità della batteria.L'elevata capacità di azionamento e le caratteristiche di risposta rapida del 1EDI3033AS garantiscono la commutazione ad alta velocità dei MOSFET SiC, mentre le sue robuste caratteristiche di protezione migliorano l'affidabilità del sistema, soddisfacendo i severi requisiti dell'elettronica automobilistica.
I caricabatterie di bordo (OBC) sono un altro importante scenario di applicazione.supporto per la ricarica di bordo da 11 kW o anche da 22 kWLa sua dimensione di confezione compatta è particolarmente adatta per ambienti elettronici automobilistici con spazio limitato,mentre la sua alta tensione di isolamento assicura un isolamento sicuro tra il lato ad alta tensione e il lato a bassa tensione, che soddisfano le norme di sicurezza elettronica automobilistica.
in convertitori DC-DC, la combinazione del driver 1EDI3033AS e dei MOSFET SiC consente frequenze di commutazione a livello di MHz,riducendo significativamente le dimensioni e il peso dei componenti passivi come induttori e condensatoriCiò è particolarmente importante per la conversione di tensione 800V-400V o 800V-12V nei veicoli elettrici, contribuendo a ridurre il peso complessivo del veicolo e migliorare l'efficienza energetica.
Applicazioni del1EDI3033ASnei settori dell'industria e delle energie rinnovabili
Oltre ai veicoli a nuova energia, il driver di cancello Infineon 1EDI3033AS ha applicazioni diffuse nei settori dell'automazione industriale e delle energie rinnovabili.0 e transizione energetica, la domanda di soluzioni elettroniche di potenza efficienti e affidabili è in rapida crescita e la combinazione dei MOSFET 1EDI3033AS e SiC sta diventando un punto di riferimento tecnico in questi settori.
Nel settore dell'azionamento dei motori industriali, i MOSFET SiC azionati dal 1EDI3033AS possono raggiungere un'efficienza dell'inverter fino al 98%, supportando frequenze di commutazione da 50 a 100 kHz,riduzione significativa delle dimensioni dei filtri di uscitaQuesto è particolarmente importante per applicazioni ad alte prestazioni dinamiche come servo drive, drive a frequenza variabile e robotica, in quanto migliora la velocità di risposta del sistema e la precisione del controllo.L'elevata resistenza al rumore del 1EDI3033AS lo rende inoltre altamente adatto per affrontare le sfide comuni di interferenza elettromagnetica (EMI) negli ambienti industriali.
Gli inverter fotovoltaici sono un'altra applicazione chiave.5-2% di miglioramento rispetto alle soluzioni tradizionali a base di silicio, riducendo il volume del 30%. Le caratteristiche di funzionamento ad alta temperatura del 1EDI3033AS consentono di resistere alle dure fluttuazioni di temperatura degli impianti fotovoltaici esterni,mentre la sua alta tensione di isolamento garantisce la sicurezza del sistema sul lato DC ad alta tensione.
nel settore dell'alimentazione dei centri dati, la combinazione dei MOSFET 1EDI3033AS e SiC consente di alimentare i server con un'efficienza superiore al 96% e una densità di potenza pari o superiore a 100 W/in3,ridurre significativamente il consumo energetico e i requisiti di raffreddamento del data centerLe caratteristiche di commutazione rapida del 1EDI3033AS facilitano l'implementazione di convertitori risonanti LLC ad alta frequenza,riduzione delle dimensioni dei trasformatori e dei componenti dei filtri per soddisfare la domanda di alimentatori ad alta densità di potenza dei data center.
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