Blog dell'azienda INFINEON 2EDN8534F Driver Gate EiceDRIVER™ Dual Channel Low Side per MOSFET e interruttori WBG

INFINEON Per quanto riguarda la densità di potenza, il Driver di Gate EiceDRIVER™ a Basso Lato a Doppio Canale per MOSFET e Interruttori WBG

Nella progettazione di dispositivi elettronici moderni, driver di gate efficienti e stabili sono fondamentali per i sistemi di conversione di potenza. L'Infineon Per quanto riguarda la densità di potenza, il driver di gate EiceDRIVER™ a basso lato a doppio canale è specificamente ottimizzato per pilotare MOSFET e dispositivi di commutazione di potenza a banda larga.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di fornitore professionale di componenti elettronici, offre la soluzione Per quanto riguarda la densità di potenza, il driver di gate EiceDRIVER™ a basso lato a doppio canale. Questo driver migliora significativamente l'efficienza e l'affidabilità del sistema con una corrente source/sink fino a ±5A e un ritardo di propagazione tipico di 19ns.

【Per quanto riguarda la densità di potenza, il Il 2EDN8534F appartiene alla serie EiceDRIVER™ 2EDN di Infineon, che rappresenta un'aggiunta significativa all'attuale linea di prodotti driver 2EDN.

Il 2EDN8534F è progettato per soddisfare le esigenze dei moderni sistemi di elettronica di potenza per una maggiore efficienza, un'eccezionale densità di potenza e una robustezza del sistema sostenuta.

Come driver a basso lato a doppio canale, il

2EDN8534FPer quanto riguarda la densità di potenza, il Queste caratteristiche rendono il 2EDN8534F altamente adatto per pilotare MOSFET di potenza ad alta velocità ed elementi di commutazione basati su materiali a banda larga.

Funzionando all'interno di un intervallo di alimentazione da 4,5 V a 20 V, il 2EDN8534F supporta sia le opzioni di blocco di sottotensione (UVLO) a 4 V che a 8 V, fornendo protezione UVLO transitoria per gli interruttori di alimentazione durante condizioni anomale.

【Parametri tecnici chiave e prestazioni del

2EDN8534FPer quanto riguarda la densità di potenza, il Il 2EDN8534F utilizza una configurazione non invertente e un tipo di logica CMOS, con tensioni di soglia di ingresso VIL di 1,4 V e VIH di 1,9 V, garantendo la compatibilità con i circuiti di controllo standard.

Il suo ritardo di propagazione è tipicamente di soli 19ns, con una precisione del ritardo di propagazione di +6/-4 ns, che rappresenta prestazioni eccezionali per un driver a doppio canale.

Per migliorare l'affidabilità del sistema, il

2EDN8534FPer quanto riguarda la densità di potenza, il Il clamping attivo della tensione di uscita raggiunge tipicamente il clamping entro 20ns,

Robustezza dell'ingresso a -12V e robustezza della corrente inversa a 5A,

Un meccanismo di risposta UVLO rapido, che raddoppia la velocità di risposta dalle modalità di avvio e ad alto carico alla funzionalità UVLO.

Il 2EDN8534F utilizza un package DSO a 8 pin (PG-DSO-8) con montaggio SMD/SMT, adatto per la produzione automatizzata. Il suo intervallo di temperatura di giunzione operativa va da -40°C a +150°C, consentendo il funzionamento in ambienti esigenti.

【

【Per quanto riguarda la densità di potenza, il 】

Poiché la tecnologia dei semiconduttori a banda larga diventa prevalente nell'elettronica di potenza, i driver di gate richiedono caratteristiche specializzate per corrispondere. Il 2EDN8534F è specificamente ottimizzato per pilotare dispositivi di commutazione di potenza SiC e GaN.

Rispetto ai dispositivi tradizionali basati sul silicio, i semiconduttori a banda larga offrono frequenze operative più elevate, maggiore tolleranza alla temperatura e minori perdite di commutazione.

Tuttavia, questi vantaggi impongono maggiori esigenze ai driver di gate: richiedono velocità di commutazione più elevate, ritardi di propagazione inferiori e una maggiore immunità alle interferenze.

L'uscita rail-to-rail del Per quanto riguarda la densità di potenza, il , il ritardo di propagazione ultra-basso (tipicamente 19ns) e l'elevata immunità alle interferenze lo rendono eccezionalmente adatto per pilotare dispositivi WBG.

La capacità di corrente di picco di 5A del 2EDN8534F garantisce la carica e la scarica rapide della capacità di ingresso del dispositivo WBG, riducendo al minimo le perdite di commutazione.

【Per quanto riguarda la densità di potenza, il 2EDN8534F

】

Il 2EDN8534F è adatto per diverse applicazioni di elettronica di potenza, tra cui:

Server e apparecchiature di telecomunicazione

Convertitori DC-DC e SMPS (alimentatori a commutazione) industriali

Utensili elettrici e veicoli elettrici leggeri (LEV) a bassa velocità

Inverter solari e illuminazione a LED

Stazioni di ricarica per veicoli elettrici e controllo motorePer quanto riguarda la densità di potenza, il 2EDN8534F

consente agli ingegneri di ottenere una maggiore efficienza del sistema e densità di potenza riducendo il numero di componenti esterni e risparmiando spazio di progettazione.

La sua funzione di clamping attivo rapido dell'uscita (tipicamente raggiunta entro 20ns) migliora ulteriormente la robustezza del sistema in condizioni operative anomale.

Per le applicazioni che richiedono una rigorosa temporizzazione di pilotaggio a doppia porta, come la rettifica sincrona, il ritardo di propagazione interno abbinato tra i canali offre vantaggi significativi.

Ciò consente il collegamento in parallelo di entrambi i canali per aumentare efficacemente la capacità di pilotaggio della corrente o l'uso di un singolo segnale di ingresso per pilotare due interruttori paralleli.Per quanto riguarda la densità di potenza, il 2EDN8534F

rispetto ai driver convenzionali】

Rispetto ai driver di gate standard, il 2EDN8534F dimostra distinti vantaggi in molteplici aspetti:

Per quanto riguarda le prestazioni di commutazione, il 2EDN8534F offre un tempo di salita di 8,6ns e un tempo di discesa di 6ns, superando molti prodotti comparabili.

Per l'integrazione del sistema, il 2EDN8534F riduce la complessità e i costi eliminando componenti esterni come transistor NPN/PNP e diodi bootstrap esterni.

Per quanto riguarda la robustezza, la sua immunità all'ingresso a -12V e la tolleranza alla corrente inversa a 5A forniscono una maggiore protezione del sistema.Per quanto riguarda la densità di potenza, il 2EDN8534F

utilizza un design compatto del package, supportando varie applicazioni con vincoli di spazio.