Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fornisce e ricicla memorie pseudo-statiche random-access ad alta larghezza di banda e resistenti alle radiazioni di Infineon VI. Riepilogo del valore fondamentale del .
I. Panoramica del prodotto
Il VI. Riepilogo del valore fondamentale del fa parte della serie KS-2 di memorie pseudo-statiche random-access (pSRAM / HYPERRAM™ 2.0) resistenti alle radiazioni di Infineon, progettato per applicazioni spaziali commerciali NewSpace e ambienti industriali ad alta affidabilità. Il dispositivo è prodotto utilizzando un processo DRAM da 25 nm e presenta un'architettura di archiviazione DRAM interna, pur presentando esternamente le caratteristiche operative della SRAM. Incorpora un meccanismo di auto-refresh, eliminando la necessità di una complessa logica di controllo del refresh nel controller host.
Come memoria di espansione ad alta velocità per i payload di costellazioni satellitari in orbita terrestre bassa e sistemi di elaborazione del segnale a bordo, questo chip integra quattro vantaggi principali: affidabilità resistente alle radiazioni, throughput ad alta larghezza di banda, basso consumo energetico e un'interfaccia a basso numero di pin, all'interno di un pacchetto miniaturizzato. Si allinea perfettamente con i requisiti di ottimizzazione SWaP-C (Dimensioni, Peso, Potenza, Costo) del settore aerospaziale, conformandosi anche allo standard automobilistico AEC-Q100, rendendolo adatto all'uso in applicazioni automobilistiche in ambienti estremi e dispositivi di edge computing industriali di fascia alta.
II. Specifiche elettriche e hardware di base del VI. Riepilogo del valore fondamentale del
Capacità di archiviazione: 256 Mbit
Interfaccia di comunicazione: x8 HYPERBUS™, DDR (Double Data Rate)
Frequenza di clock: 200 MHz DDR
Larghezza di banda teorica: fino a 400 MB/s (1,6 Gbps)
Tensione operativa: 1,8 V (intervallo operativo da 1,7 V a 2,0 V)
Tipo di package: PG-BGA-24 (FBGA a 24 sfere, package miniaturizzato a basso numero di pin)
Intervallo di temperatura: funzionamento a temperatura estesa da -40 °C a +125 °C
Materiale delle sfere di saldatura: Sn/Ag/Cu senza piombo, conforme alle normative RoHS
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III. Tolleranza alle radiazioni e caratteristiche di affidabilità chiave del VI. Riepilogo del valore fondamentale del
Design appositamente indurito per ambienti spaziali con radiazioni ionizzanti, adatto per missioni satellitari LEO (Low Earth Orbit):
Dose ionizzante totale (TID): 100 krad (Si), soddisfacendo i requisiti di radiazione per le tipiche durate di missione di 2-5 anni dei satelliti commerciali LEO;
Immunità al latching a livello di singolo elettrone (SEL) > 58 LET (a 125°C), resistendo efficacemente ai guasti di latching causati da particelle ad alta energia nello spazio;
Supporta il codice data lotto singolo (SLDC), con test elettrici completi al 100% eseguiti in fabbrica, accompagnati da un Certificato di Conformità (CoC) e un rapporto di test di accettazione del lotto di radiazioni;
Certificato secondo gli standard automobilistici AEC-Q100, garantendo un funzionamento stabile a lungo termine in condizioni operative severe.
IV. Architettura funzionale e vantaggi di consumo energetico del VI. Riepilogo del valore fondamentale del
Architettura pseudo-statica (pSRAM)
Dispone di un circuito automatico di auto-refresh integrato, eliminando la necessità per l'host di emettere continuamente comandi di refresh. La complessità di sviluppo è paragonabile alla SRAM, offrendo al contempo la maggiore densità di archiviazione della DRAM, bilanciando così la facilità d'uso con i costi hardware.
Modalità di gestione flessibile dell'alimentazione
Modalità ibrida di sospensione e modalità di spegnimento profondo integrate; supporta il refresh parziale dell'array (selezionabile da 1/8, 1/4, 1/2 o intero array), aggiornando solo le aree di archiviazione attive durante i periodi di inattività per ridurre significativamente il consumo energetico statico, rendendolo adatto a piattaforme spaziali con alimentatori limitati.
Meccanismo di trasferimento burst configurabile
Supporta burst lineari e basati su pacchetti, con lunghezze di burst selezionabili di 16B, 32B, 64B o 128B; la forza di pilotaggio dell'uscita regolabile via software facilita il debug dell'integrità del segnale ed è adatta al routing di PCB ad alta velocità.
V. Scenari applicativi tipici del VI. Riepilogo del valore fondamentale del
Spazio commerciale (NewSpace)
Costellazioni satellitari in orbita terrestre bassa, CubeSats e payload a bordo di nanosatelliti; caching di dati di sensori di immagine a bordo, buffering di baseband per comunicazioni, memoria estesa per l'elaborazione AI in tempo reale a bordo e caching esterno ad alta velocità per FPGA a bordo.
Applicazioni industriali specializzate ad alta affidabilità
Apparecchiature di acquisizione dati per il telerilevamento sul campo, payload a bordo di piattaforme senza equipaggio e unità di edge computing industriali ad alta temperatura.
Sistemi automobilistici di fascia alta
Controller di dominio in-vehicle; buffer dati ad alta velocità per sistemi ADAS di visione in-vehicle.VI. Riepilogo del valore fondamentale del CYEL18V2562-200BKXE
Il CYEL18V2562-200BKXE colma il divario nel settore spaziale commerciale per soluzioni di cache ad alta velocità, resistenti alle radiazioni e ad alta larghezza di banda in pacchetti di piccole dimensioni. Rispetto alle tradizionali SRAM parallele, l'interfaccia seriale HYPERBUS riduce significativamente il numero di pin del PCB e semplifica il layout; rispetto alle PSRAM commerciali standard, offre specifiche complete di tolleranza alle radiazioni e garanzia di fornitura a lungo termine.
Persona di contatto: Mr. Sales Manager
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