Blog dell'azienda Infineon CYEL18V2563-200BKXE RAM Pseudostatica a Bassa Potenza e Alta Larghezza di Banda

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fornisce e ricicla l'InfineonCYEL18V2563-200BKXERAM pseudo-statica a bassa potenza e larghezza di banda.

Io.CYEL18V2563-200BKXEVisualizzazione del prodotto

Il CYEL18V2563-200BKXE è una memoria pseudo-statica a accesso casuale (pSRAM/HYPERRAM 2.0) resistente alle radiazioni di 256 Mbit sviluppata da Infineon per il settore spaziale commerciale NewSpace e con elevata affidabilità,condizioni di esercizio estreme; appartiene alla famiglia di prodotti KS-3. Il dispositivo utilizza un'architettura di archiviazione DRAM ad alta densità internamente mentre presenta un'interfaccia SRAM seriale esternamente,combinando i vantaggi della DRAM ad alta capacità con le semplici caratteristiche di controllo della SRAM■ dotato di un'interfaccia ad alta velocità DDR Octal xSPI (SPI a otto linee) e di un nucleo a bassa tensione da 1,8 V, consente una tripla combinazione di ampiezza di banda,basso consumo energetico e forte resistenza alle radiazioni all'interno di un pacchetto FBGA in miniatura da 24 sfereÈ stato specificamente progettato per carichi utili satellitari in orbita terrestre bassa (LEO), elaborazione dei dati a bordo e apparecchiature aerospaziali di alta affidabilità, ottimizzando efficacemente le dimensioni, il peso e l'efficienza del sistema.consumo di energia e costo totale (SWaP-C).

II.CYEL18V2563-200BKXEPrincipali specifiche elettriche

Capacità di memorizzazione: 256 Mbit

Interfaccia di comunicazione: interfaccia DDR

Velocità di clock: 200 MHz DDR, larghezza di banda massima fino a 1,6 Gbps

Tensione di funzionamento: 1,8 V (1,7 V ∼2,0 V)

Tipo di imballaggio: PG-BGA-24 (24-ball FBGA, 6 mm × 8 mm), processo a sfera Sn/Ag/Cu privo di piombo, conforme alle norme RoHS

Temperatura di funzionamento: ampio intervallo di temperatura da -40 °C a +125 °C

Processo di produzione: processo DRAM a 25 nm

Configurazione di selezione del chip: supporta il controllo di selezione del chip singolo, semplificando il routing hardware

III.CYEL18V2563-200BKXECapacità di affidabilità resistente alle radiazioni (vantaggio fondamentale nell'aerospazio)

progettato con resistenza alle radiazioni per resistere ai raggi cosmici e alle radiazioni ionizzanti nello spazio, soddisfacendo i requisiti per il funzionamento in orbita a lungo termine dei satelliti della costellazione LEO:

Dose ionizzante totale (TID): 100 krad (Si), superiore ai dispositivi di memoria Flash e FRAM sulla stessa piattaforma;

SEL: resistenza SEL > 58 LET (a 125°C), riducendo il rischio di blocco anomalo del chip in ambienti spaziali;

Controllo standardizzato dei lotti: supporta il codice di data del singolo lotto (SLDC), copertura del 100% nelle prove elettriche finali,e fornitura di un certificato di conformità (CoC) e di una relazione di accettazione del lotto di radiazioni con la spedizione;

Certificazione: conforme alla certificazione di affidabilità automobilistica AEC-Q100 ed è retrocompatibile con applicazioni militari e industriali di fascia alta.

IV.CYEL18V2563-200BKXEMeccanismi di gestione a bassa potenza

Il chip incorpora modalità intelligenti di gestione dell'energia a più livelli, su misura per i sistemi a basso consumo di energia a bordo dei satelliti:

Modalità di riposo ibrido: riduce significativamente il consumo di energia statica mantenendo l'auto-aggiornamento opzionale della matrice locale;

modalità di spegnimento approfondito: entra in uno stato di perdita ultra-basso;

Nuova tecnologia di aggiornamento automatico partizionato: supporta varie strategie di aggiornamento tra cui 1/8, 1/4, 1/2 e aggiornamento di array completo,eliminare la necessità di aggiornamento continuo dell'intero spazio di memoria e ridurre dinamicamente il consumo di energia in standby;

Forza di azionamento configurabile: livelli di azionamento di I/O di uscita regolabili da software, che consentono un compromesso flessibile tra integrità del segnale e consumo di energia.

V.CYEL18V2563-200BKXECaratteristiche dell'interfaccia e della trasmissione dei dati

Architettura DDR a otto canali xSPI octale, che offre un aumento significativo della larghezza di banda rispetto al tradizionale SPI a quattro fili:

Trasmissione bidirezionale sincronizzata con orologio; le operazioni di lettura e scrittura supportano modalità di scatto lineare e avvolto;

supporta varie lunghezze di scoppio, tra cui 16B, 32B, 64B e 128B, con modalità di scoppio ibrido configurabili;

dotato di segnali RWDS (Read/Write Data Select) per garantire la stabilità del tempo durante la comunicazione ad alta velocità, rendendolo ideale per la memorizzazione in cache delle immagini,applicazioni di buffering del flusso di dati e di elaborazione del segnale in tempo reale;

Una soluzione seriale a basso numero di pin che riduce significativamente il numero di pin del controller richiesti rispetto alla SRAM parallela, alleviando il carico sulle risorse di I/O del processore di bordo.

VI. Scenari di applicazione tipici per laCYEL18V2563-200BKXE

Aerospace NewSpace (mercato primario)

Caching di dati ad alta velocità per satelliti LEO (low Earth orbit) e carichi utili CubeSat

Immagazzinamento temporaneo di immagini di telerilevamento di bordo e segnali di banda base di comunicazione

Memoria di espansione per computer di missione satellitare e unità di controllo dell'atteggiamento

High-End, High-Reliability Industriale / Aerospace

Caching in tempo reale per le apparecchiature di telemetria e di controllo aerei e i veicoli aerei senza pilota

Sistemi di telemetria e di controllo a campo di larga temperatura; memoria di elaborazione di bordo per robot di fascia alta

Buffering dei dati di bordo ad alta affidabilità per le stazioni base di comunicazione

VII. Riassunto del valore fondamentale delCYEL18V2563-200BKXEProdotto

Il CYEL18V2563-200BKXE riempie un vuoto nel mercato spaziale commerciale per la RAM seriale ad alta capacità, ad alta velocità e resistente alle radiazioni.ha meno perni e un'impronta di PCB più piccola; rispetto alla memoria non volatile, offre una larghezza di banda di lettura/scrittura più elevata, che la rende adatta per cache di calcolo temporanee; con una tolleranza alle radiazioni di 100 krad TID,gestione dell'alimentazione a più livelli e interfaccia xSPI a 8 fili DDR da 200 MHz, è diventata la soluzione di memoria espandibile preferita per i CubeSat di prossima generazione e i carichi utili della costellazione satellitare.