Blog dell'azienda Diodo Schottky al carburo di silicio Infineon IDW20G120C5B 1200V 20A

Infineon IDW20G120C5B Diodo Schottky al carburo di silicio da 1200V 20A

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di fornitore globale leader di componenti elettronici, ha costantemente immagazzinato e fornito l'Infineon IDW20G120C5B—un diodo Schottky al carburo di silicio CoolSiC™ di quinta generazione da 1200V/20A.

IDW20G120C5B Panoramica del prodotto e caratteristiche tecniche:

L'IDW20G120C5B è il diodo Schottky al carburo di silicio di quinta generazione della serie CoolSiC™ di Infineon, con un package standard TO-247-3 e progettato specificamente per applicazioni ad alta potenza e alta frequenza. In quanto rappresentante di una tecnologia all'avanguardia dei diodi a barriera Schottky al carburo di silicio, il prodotto IDW20G120C5B integra la tecnologia a wafer sottile di Infineon introdotta nel prodotto di seconda generazione con l'innovativa tecnologia a giunzione pn fusa, migliorando significativamente la capacità di corrente di spunto e l'affidabilità del sistema del diodo.

In termini di parametri di base, l'IDW20G120C5B ha un valore nominale di 1200V di tensione inversa ripetitiva (Vrrm) e 20A di corrente diretta (If), con una caduta di tensione diretta (Vf) di soli 1,4V a 10A di corrente, dimostrando un'eccellente conduttività. In termini di caratteristiche inverse, il diodo ha una corrente di dispersione inversa (Ir) estremamente bassa a 1200V di tensione inversa, con valori tipici fino a 6-12μA, garantendo un funzionamento efficiente del sistema.

I punti salienti tecnici di questo diodo Schottky al carburo di silicio IDW20G120C5B si riflettono principalmente nei seguenti aspetti:

Nessuna carica di recupero inverso (Qrr=0): Rispetto ai diodi tradizionali a base di silicio, elimina completamente le perdite di recupero inverso, rendendolo particolarmente adatto per applicazioni di commutazione ad alta frequenza

Lieve dipendenza dalla temperatura della tensione diretta: Mantiene prestazioni stabili a diverse temperature di esercizio

Capacità di corrente di spunto leader del settore (Ifsm=190A): In grado di resistere a condizioni di sovraccarico a breve termine

Eccellenti prestazioni termiche: Utilizza un design di package ottimizzato per garantire un'efficiente dissipazione del calore

L'IDW20G120C5B ha un ampio intervallo di temperature di esercizio da -55°C a +175°C, rendendolo adatto per applicazioni in varie condizioni ambientali difficili. Queste eccezionali caratteristiche tecniche rendono l'IDW20G120C5B una scelta ideale per sistemi di conversione di potenza ad alta efficienza.

IDW20G120C5B parametri tecnici chiave:

Tensione inversa nominale (Vr): 1200V

Corrente raddrizzata media (Io): 20A (continua)

Caduta di tensione diretta (Vf): 1,4V @ 10A

Corrente di dispersione inversa (Ir): 6μA @ 1200V

Corrente di spunto (Ifsm): 190A

Package: TO-247-3 (montaggio a foro passante)

Intervallo di temperatura di esercizio: -55°C a +175°C

Caratteristiche principali di IDW20G120C5B:

Nessuna carica di recupero inverso (Qrr=0): Riduce le perdite di commutazione e migliora l'efficienza del sistema.

Bassa caduta di tensione diretta (Vf): Riduce le perdite di conduzione, adatta per applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

Coefficiente di temperatura positivo (Vf aumenta leggermente con la temperatura): Aiuta il bilanciamento della corrente quando utilizzato in parallelo.

Eccellente capacità di corrente di spunto: Migliora l'affidabilità del sistema.

Basse caratteristiche EMI: Adatto per applicazioni sensibili alle interferenze elettromagnetiche.

IDW20G120C5B Vantaggi principali del prodotto e aree di applicazione:

Il diodo Schottky al carburo di silicio IDW20G120C5B dimostra una forte competitività in molteplici segmenti di mercato in forte crescita grazie alle sue eccezionali prestazioni elettriche e ai vantaggi a livello di sistema. Rispetto ai diodi di potenza tradizionali a base di silicio, questo prodotto raggiunge miglioramenti significativi in termini di efficienza del sistema, densità di potenza e affidabilità.

Vantaggi competitivi principali di IDW20G120C5B:

Massima efficienza del sistema: Grazie alle proprietà superiori del materiale al carburo di silicio e a un design senza carica di recupero inverso, IDW20G120C5B riduce significativamente le perdite di commutazione, in particolare nelle applicazioni ad alta frequenza. I dati dei test mostrano che i sistemi che utilizzano questo diodo possono ottenere un aumento di 1-3 punti percentuali nell'efficienza complessiva, traducendosi in sostanziali risparmi energetici per applicazioni ad alta potenza.

Maggiore densità di potenza: Grazie alla riduzione delle perdite di commutazione e alle prestazioni termiche ottimizzate, i sistemi possono adottare frequenze di commutazione più elevate, riducendo così le dimensioni e il peso dei componenti passivi (come induttori e trasformatori) e ottenendo una maggiore densità di potenza. Questa caratteristica è particolarmente importante per applicazioni con vincoli di spazio (come i veicoli elettrici).

Maggiore affidabilità del sistema: Il materiale al carburo di silicio offre intrinsecamente una maggiore capacità di temperatura di esercizio e una migliore conducibilità termica. In combinazione con la tecnologia di package ottimizzata di Infineon, l'IDW20G120C5B dimostra prestazioni più stabili durante il funzionamento a lungo termine, prolungando la durata complessiva del sistema.

Riduzione delle interferenze elettromagnetiche (EMI): L'assenza di caratteristiche di recupero inverso riduce al minimo le oscillazioni di tensione e corrente durante la commutazione, riducendo così l'irradiazione di rumore ad alta frequenza e semplificando la progettazione del filtraggio EMI.

Aree di applicazione tipiche per l'IDW20G120C5B:

Sistemi di inverter fotovoltaici: particolarmente adatti per circuiti boost e inverter negli inverter a stringa, migliorando significativamente l'efficienza di conversione e riducendo i costi del sistema

Apparecchiature di ricarica per veicoli elettrici: inclusi caricabatterie di bordo (OBC) e stazioni di ricarica rapida CC, dove le caratteristiche ad alta frequenza dei diodi al carburo di silicio aiutano a ridurre le dimensioni e il peso delle apparecchiature

Azionamenti industriali per motori: Utilizzati nei circuiti raddrizzatori e di ruota libera degli azionamenti a frequenza variabile e degli azionamenti servo, migliorando la precisione del controllo e l'efficienza energetica

Gruppi di continuità (UPS): Sostituzione dei diodi al silicio tradizionali nei sistemi UPS ad alte prestazioni, riducendo le perdite e aumentando la densità di potenza

Sistemi di generazione di energia rinnovabile: Inclusi convertitori eolici e sistemi di accumulo di energia, dove i dispositivi al carburo di silicio possono gestire l'elevata variabilità degli input di energia rinnovabile