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Blog dell'azienda Infineon IGBT Modulo FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7a generazione TRENCHSTOPTM IGBT7 Modulo di alimentazione

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Infineon IGBT Modulo FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7a generazione TRENCHSTOPTM IGBT7 Modulo di alimentazione
ultime notizie sull'azienda Infineon IGBT Modulo FP50R12W2T7 EasyPIMTM 2B 1200V/50A 7a generazione TRENCHSTOPTM IGBT7 Modulo di alimentazione

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.La nostra azienda è specializzata nella fornitura della gamma completa di moduli di alimentazione IGBT Infineon.Si tratta di un PIM (Power Integrated Module) trifase rettificato per l'input utilizzando la tecnologia IGBT7 di settima generazione TRENCHSTOPTM, specificamente progettato per applicazioni industriali quali motori motori, inverter ausiliari e sistemi di condizionamento dell'aria.e tecnologia di crimping PressFIT.

 

FP50R12W2T7Visualizzazione del prodotto

IlFP50R12W2T7è un modulo PIM (Power Integrated Module) trifase Infineon EasyPIMTM 2B basato sulla tecnologia di fermo campo trench-gate TRENCHSTOPTM IGBT7 di settima generazione.diodi veloci, e sensori di temperatura NTC in un'unica unità. Progettato appositamente per la conversione di frequenza industriale, servosistemi, UPS e apparecchiature di energia rinnovabile, offre basse perdite,capacità di sovraccarico elevata, e una lunga durata di vita.

 

Specificità

Produttore: Infineon

Modello:FP50R12W2T7(FP50R12W2T7_B11)

Pacchetto: EasyPIMTM 2B (56.7×48mm)

Tensione/corrente: VCE = 1200V, IC = 50A (picco 100A)

Tecnologia IGBT: TRENCHSTOPTM IGBT7 (7a generazione di trench gate)

Discarica di tensione di saturazione: VCE ((sat) = 1,5V @ 25°C (basse perdite)

Diodo: diodo veloce di settima generazione a controllo di emissione

Temperatura di funzionamento: da -40°C a +175°C (elevato sovraccarico)

Tensione di isolamento: 2,5 kV AC / 1 minuto

integrato: termistore NTC (sensore di temperatura)

Montaggio: pin pressfit, facile da assemblare, elevata affidabilità

 

FP50R12W2T7Caratteristiche

• Caratteristiche elettriche

- VCES = 1200 V

- IC nom = 50 A / ICRM = 100 A

- IGBT7 con porta a trincea.

- Operazione a sovraccarico fino a 175°C

- VCEsat basso.

• Caratteristiche meccaniche

- Substrato di Al2O3 a bassa resistenza termica

- Tecnologia della saldatura

- Alta densità di potenza

- Disegno compatto

- isolamento di 2,5 kV AC per 1 minuto

 

FP50R12W2T7Applicazioni raccomandate

• Climatizzazione

• Invertitori ausiliari

• Azionamenti motori

 

Panoramica del pacchetto

IlFP50R12W2T7è collocato in un modulo di potenza standard Infineon EasyPIMTM 2B con le seguenti specifiche:

Dimensioni dell'imballaggio (L × P): 56,7 mm × 48 mm

Altezza: 12 mm

Tipo di piombo: PressFIT (versione FP50R12W2T7_B11) o piombo saldato (versione standard FP50R12W2T7)

Materiale del substrato: Al2O3 ceramica di ossido di alluminio

Metodo di montaggio: montaggio superficiale / compatibile attraverso il foro

 

Tutti i prodotti forniti da Mingjiada Electronics sono nuovi di zecca, genuini e autentici, garantendo la qualità del chip ed eliminando fonti non genuine come rinnovati, contraffatti,o merci in imballaggio liberoSia che tu abbia bisogno di campioni, acquisti di piccoli lotti o forniture di produzione su larga scala, Mingjiada Electronics può fornire soluzioni di approvvigionamento flessibili e prezzi altamente competitivi.

 

Informazioni di contatto:

Persona di contatto: il signor Chen

Telefono: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Sito web:https://www.integrated-ic.com/

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Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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