Blog dell'azienda Infineon IKW25N120H3 Transistor IGBT ad alta velocità 1200V 25A con diodo anti-parallelo

InfineonIKW25N120H3Transistor IGBT ad alta velocità 1200V 25A con diodo anti-parallelo

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., un noto distributore indipendente di componenti elettronici nel settore, offre il transistor IGBT ad alta velocità Infineon IKW25N120H3 da 1200V 25A a magazzino. Impiega l'avanzata tecnologia TRENCHSTOP™ e integra un diodo anti-parallelo inverso.

Questo IKW25N120H3 dispositivo raggiunge un eccellente equilibrio tra perdite di commutazione e perdite di conduzione, rendendolo particolarmente adatto per applicazioni di commutazione dura ad alta frequenza. È una scelta ideale per applicazioni come azionamenti per motori industriali, gruppi di continuità (UPS), apparecchiature di saldatura e inverter solari.

【IKW25N120H3 Panoramica del prodotto】

L'IKW25N120H3 è un prodotto rappresentativo della tecnologia IGBT TRENCHSTOP™ ad alta velocità di quarta generazione di Infineon. È confezionato in un package TO-247-3, integrando un IGBT da 1200V, 25A e un diodo anti-parallelo ad alta velocità.

Questo design riduce la necessità di componenti esterni, migliorando l'integrazione e l'affidabilità del sistema.

La caratteristica tecnica più notevole del dispositivo IKW25N120H3 sono le sue caratteristiche di commutazione ottimizzate. Impiega la tecnologia trench field-stop, che non solo raggiunge una bassa caduta di tensione di saturazione (Vce(sat)), ma riduce anche significativamente le perdite di commutazione, consentendo un funzionamento efficiente a frequenze fino a 70 kHz.

【IKW25N120H3 Analisi dei parametri chiave di prestazione】

L'IKW25N120H3 vanta diverse impressionanti caratteristiche elettriche, che determinano direttamente le sue prestazioni nelle applicazioni:

Specifiche di tensione e corrente: tensione collettore-emettitore (Vces) fino a 1200V, corrente di collettore continua (Ic) fino a 50A a 25°C e 25A a 100°C, con capacità di corrente di impulso fino a 100A.

Caratteristiche di conduzione: la tensione di saturazione collettore-emettitore (Vce(sat)) ha un valore tipico di 2,05 V (testato a 15 V di tensione di gate e 25 A di corrente di collettore). Questa bassa caduta di tensione di conduzione aiuta a ridurre la perdita di potenza nello stato di conduzione.

Caratteristiche di commutazione: il tempo di ritardo di accensione (td(on)) è di soli 26 ns e il tempo di ritardo di spegnimento (td(off)) è di 277 ns. Tali velocità di commutazione elevate lo rendono adatto per applicazioni ad alta frequenza, ma è necessario considerare l'overshoot di tensione e le interferenze elettromagnetiche nella progettazione del circuito di pilotaggio.

Perdite di commutazione: l'energia di accensione (Eon) è di 1,8 mJ e l'energia di spegnimento (Eoff) è di 0,85 mJ (in condizioni di commutazione dura). Minori perdite di commutazione si traducono direttamente in una maggiore efficienza del sistema e in minori requisiti di gestione termica.

Caratteristiche del diodo integrato: il tempo di recupero inverso (trr) del diodo anti-parallelo integrato è di 290 ns e la tensione diretta (VF) è di 2,4 V. Ciò garantisce la capacità di gestire carichi induttivi.

Prestazioni termiche: la dissipazione di potenza massima (Ptot) del dispositivo è di 326 W, con un intervallo di temperatura di giunzione operativa da -40°C a +175°C. L'ampio intervallo di temperatura gli consente di resistere ad ambienti operativi difficili.

【IKW25N120H3 Struttura e caratteristiche dell'imballaggio】

L'IKW25N120H3 adotta il package standard TO-247-3 a foro passante (noto anche come PG-TO247-3), che offre un'eccellente resistenza meccanica e prestazioni termiche.

Le dimensioni del package IKW25N120H3 sono: lunghezza 16,13 mm, larghezza 5,21 mm, altezza 21,1 mm². Questo formato di imballaggio ampiamente utilizzato facilita l'installazione e la dissipazione del calore ed è compatibile con la maggior parte dei dissipatori di calore standard.

Il dispositivo IKW25N120H3 pesa circa 5,42 grammi. I materiali di imballaggio sono conformi agli standard RoHS e senza piombo, soddisfacendo i requisiti ambientali. L'interno dell'imballaggio presenta un substrato di rame e un design ottimizzato del filo di collegamento interno, garantendo un'eccellente capacità di gestione della corrente ed efficienza di conduzione termica.

【IKW25N120H3 Caratteristiche tecniche e vantaggi】

Il transistor IGBT IKW25N120H3 combina molteplici vantaggi tecnici:

Capacità di alta tensione: tensione di rottura del collettore di 1200 V, adatta per ambienti applicativi ad alta tensione

Gestione di corrente elevata: corrente di collettore continua massima fino a 50 A, corrente di impulso fino a 100 A

Prestazioni a basse perdite: combina basse perdite di commutazione e basse perdite di conduzione per migliorare l'efficienza del sistema

Eccellenti prestazioni termiche: intervallo di temperatura di giunzione operativa da -40°C a 175°C, con una potenza nominale massima di 326 W

Caratteristiche di commutazione rapida: adatto per topologie di commutazione ad alta frequenza superiori a 20 kHz

Queste caratteristiche rendono l'IKW25N120H3 una scelta ideale per un'ampia gamma di applicazioni elettroniche di potenza.

【IKW25N120H3 Aree di applicazione】

L'IKW25N120H3 è adatto per un'ampia gamma di applicazioni elettroniche di potenza, in particolare quelle che richiedono alte frequenze di commutazione e alta efficienza:

Azionamenti per motori industriali: utilizzato come componenti di commutazione di potenza in azionamenti a frequenza variabile e servocomandi, la sua alta frequenza di commutazione supporta il controllo del motore ad alta precisione.

Gruppo di continuità (UPS): particolarmente adatto per le sezioni inverter e raddrizzatore dei sistemi UPS online, migliorando l'efficienza della conversione energetica.

Apparecchiature di saldatura: utilizzato nella sezione di conversione di potenza delle saldatrici inverter, dove le alte frequenze consentono trasformatori più piccoli.

Inverter solari: adatto per lo stadio di conversione CC-CA degli inverter fotovoltaici di tipo stringa, con capacità di alta tensione per soddisfare i requisiti di tensione delle stringhe fotovoltaiche.

Alimentatori switching (SMPS): particolarmente adatto per gli stadi di conversione di potenza ad alta frequenza negli alimentatori di comunicazione ad alta potenza e negli alimentatori per server.