Blog dell'azienda INFINEON IMT65R057M1H 650V 57mΩ Transistor MOSFET a carburo di silicio CoolSiCTM

INFINEON IMT65R057M1H MOSFET CoolSiC™ in carburo di silicio da 650 V 57 mΩ

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di distributore di componenti elettronici di fama mondiale, offre l'IMT65R057M1H transistor MOSFET CoolSiC™ a magazzino. Con le sue eccezionali prestazioni di commutazione, l'eccezionale affidabilità e l'ampia adattabilità applicativa, apre nuove possibilità per la progettazione di sistemi di elettronica di potenza moderni.

【IMT65R057M1H Panoramica del prodotto】

L'IMT65R057M1H rappresenta un'offerta di punta all'interno della serie MOSFET CoolSiC™ di Infineon. Costruito utilizzando un'avanzata tecnologia a semiconduttore a trincea, è ottimizzato per ridurre al minimo le perdite applicative e massimizzare l'affidabilità operativa.

Questo IMT65R057M1H MOSFET in carburo di silicio a canale N presenta una tensione drain-source (Vds) di 650 V e una corrente di drain continua (Id) di 44 A, con una resistenza di accensione di soli 0,057 ohm. La sua bassa resistenza di accensione e l'elevata capacità di corrente consentono un miglioramento del 3-5% dell'efficienza del sistema, estendendo significativamente l'autonomia dei veicoli elettrici.

Alloggiato in un package HSOF-8, l'IMT65R057M1H supporta temperature operative fino a 175°C, semplificando i sistemi di gestione termica e riducendo i costi, soddisfacendo al contempo le elevate esigenze di affidabilità in ambienti estremi.

【Vantaggi e innovazioni della tecnologia al carburo di silicio】

Rispetto ai dispositivi tradizionali a base di silicio, il materiale al carburo di silicio possiede una caratteristica di ampio bandgap, con una larghezza di bandgap circa tre volte superiore a quella del silicio e una resistenza del campo elettrico critico circa dieci volte maggiore.

Ciò consente ai MOSFET SiC di utilizzare regioni di deriva più sottili e più fortemente drogate, riducendo significativamente la resistenza di accensione. A differenza dei dispositivi IGBT bipolari, i MOSFET SiC sono unipolari, eliminando le correnti di coda di spegnimento e ottenendo perdite di commutazione fino all'80% inferiori rispetto agli IGBT al silicio.

I MOSFET CoolSiC di Infineon utilizzano una struttura a gate a trincea asimmetrica, sfruttando le proprietà anisotrope dei cristalli SiC. Il piano cristallino utilizzato per il canale è orientato con un angolo specifico rispetto all'asse verticale, riducendo al minimo la densità degli stati di interfaccia e le trappole dello strato di ossido per garantire la massima mobilità dei portatori di canale.

【IMT65R057M1H Progettazione dell'affidabilità e caratteristiche di prestazione】

L'IMT65R057M1H utilizza l'avanzata tecnologia del chip M1H CoolSiC di Infineon, migliorando significativamente la resistenza drain-source in conduzione, espandendo l'intervallo di tensione gate-source e migliorando la flessibilità di pilotaggio.

La tecnologia M1H espande ulteriormente l'intervallo di tenuta della tensione di gate, con valori di tensione di tenuta a regime compresi tra -7 V e 20 V e valori di tensione di tenuta transitoria compresi tra -10 V e 23 V. La tensione di accensione consigliata è di 15-18 V e la tensione di spegnimento è di -5 V a 0 V.

L'IMT65R057M1H MOSFET presenta un'elevata tensione di soglia (circa 4,5 V), superando molti concorrenti, abbinata a una capacità di Miller eccezionalmente bassa. Questa elevata tensione di soglia sopprime efficacemente i fenomeni di conduzione parassita, migliorando la stabilità del sistema.

【IMT65R057M1H Package e prestazioni termiche】

L'IMT65R057M1H utilizza un package HSOF-8 (noto anche come PG-HSOF-8), un package a montaggio superficiale adatto per applicazioni ad alta densità di potenza.

L'IMT65R057M1H è progettato con prestazioni termiche eccezionali, supportando una temperatura di giunzione massima di 175°C, migliorando così ulteriormente la densità di potenza. Le sue robuste caratteristiche termiche consentono un funzionamento stabile in ambienti operativi ad alta temperatura e difficili.

【Aree di applicazione di IMT65R057M1H】

Il MOSFET in carburo di silicio IMT65R057M1H trova ampia applicazione in più domini ad alte prestazioni, fungendo da componente chiave per migliorare l'efficienza del sistema.

Nel settore dei veicoli a nuova energia, l'IMT65R057M1H è adatto per inverter di azionamento principali, caricabatterie di bordo (OBC) e convertitori DC-DC. Le sue elevate frequenze di commutazione e le basse perdite migliorano l'efficienza del sistema, riducono la dissipazione di energia ed estendono l'autonomia di guida.

Nel settore delle energie rinnovabili, questo MOSFET IMT65R057M1H trova applicazione in inverter fotovoltaici e sistemi di accumulo di energia. L'elevata frequenza di commutazione e le basse perdite del MOSFET CoolSiC™ migliorano l'efficienza di conversione solare, consentendo efficienze di sistema superiori al 99%.

Inoltre, l'IMT65R057M1H è adatto per applicazioni tra cui alimentatori industriali, alimentatori per server, apparecchiature di telecomunicazione e alimentatori a tensione interrotta (UPS). In questi settori, riduce i requisiti termici del sistema aumentando al contempo la densità di potenza.