Blog dell'azienda Infineon IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 Transistori MOSFET di potenza N-Channel

InfineonIPB60R045P7600V CoolMOSTM P7 Transistor MOSFET a potenza di canale N

Nell'industria elettronica moderna, i transistor MOSFET di potenza sono utilizzati come dispositivi di commutazione ad alta efficienza in una vasta gamma di applicazioni come la gestione dell'energia,controllo industriale ed elettronica automobilisticaLa serie CoolMOSTM P7 di Infineon è molto apprezzata dal mercato per le sue eccellenti prestazioni e affidabilità.Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.in qualità di noto distributore mondiale di componenti elettronici, fornisce da lungo tempo transistor MOSFET a potenza N-channel per Infineon IPB60R045P7,fornire ai clienti prodotti di alta qualità e servizi professionali.

InfineonIPB60R045P7CoolMOSTM P7 Prodotto

1,Descrizione del prodottoIPB60R045P7

IPB60R045P7 600V CoolMOSTM P7 superjunction MOSFET è il successore della serie 600V CoolMOSTM P6. Continua a bilanciare la necessità di un'elevata efficienza con la facilità d'uso nel processo di progettazione.La migliore RonxA della sua categoria e la carica di gate (QG) intrinsecamente bassa della piattaforma CoolMOSTM di 7a generazione garantiscono la sua elevata efficienza.

2,Specificativi diIPB60R045P7

Polarità del transistor: Canale N

Numero di canali: 1 canale

Vds - tensione di rottura della fonte di scarico: 120 V

Id - Corrente di scarico continua: 61 A

Rds On - Resistenza alla fonte di scarico: 45 mOhms

Vgs - tensione della sorgente di porta: - 20 V, + 20 V

Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente: 1.7 V

Qg - carica di porta: 90 n.C.

Temperatura minima di funzionamento: - 55 C

Temperatura massima di funzionamento: + 150 C

Pd - Dissipazione di potenza: 201 W

Modalità canale: Miglioramento

Configurazione: Non sposato

Tempo di caduta: 5 ns

Tempo di partenza: 5 ns

Tempo di ritardo tipico di spegnimento: 28 ns

Tempo di ritardo tipico di accensione: 10 ns

Peso unitario: 4 g

3,IlIPB60R045P7è un transistor MOSFET a potenza di canale N ad alte prestazioni della serie CoolMOSTM P7 di Infineon, dotato di tecnologia MOSFET avanzata con le seguenti caratteristiche chiave:

Capacità ad alta tensione: l'IPB60R045P7 ha un'alta tensione della fonte di scarico (Vdss) fino a 650V, che lo rende adatto per scenari di applicazione ad alta tensione.

Bassa resistenza: la resistenza estremamente bassa dell'IPB60R045P7 riduce significativamente le perdite di conduzione e migliora l'efficienza generale.la resistenza di accensione (Rds On) è di soli 45 mOhm, riducendo efficacemente il consumo di energia.

Capacità di carico di corrente elevata: l'IPB60R045P7 soddisfa i requisiti di potenza elevata con una corrente di scarico continua (Id) di 48A a 25 °C.

Performance di commutazione rapida: grazie alla tecnologia di superconnessione della piattaforma CoolMOSTM P7,il dispositivo IPB60R045P7 ha una carica di gate (QG) e perdite di commutazione estremamente basse per applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

Ampia gamma di temperature: l'IPB60R045P7 funziona nell'intervallo di temperatura da -55°C a 150°C per ambienti difficili.

Protezione ESD integrata: il diodo Zener integrato dell'IPB60R045P7 fornisce una protezione da scarica elettrostatica (ESD) fino a 2 kV, migliorando l'affidabilità del dispositivo.

Progettazione ottimizzata del pacchetto: l'IPB60R045P7 supporta una vasta gamma di pacchetti (ad esempio, D2PAK) per il montaggio attraverso foro e superficie per soddisfare le esigenze di diversi scenari di applicazione.

4,Vantaggi tecniciIPB60R045P7

Progettazione ad alta efficienza: l'IPB60R045P7 ottiene una maggiore efficienza ottimizzando il fattore di qualità (FOM) del RDS(on) e del QG,rendendolo particolarmente adatto alle topologie a commutazione dura e morbida come PFC e LLC.

Facilità d'uso: la resistenza di cancello integrata (RG) riduce la sensibilità alle oscillazioni e semplifica il flusso di progettazione.La sua bassa tendenza al suono e l'eccellente robustezza del corpo dei diodi riducono ulteriormente la complessità del progetto.

Eccellente prestazione termica: basse perdite di commutazione e di conduzione consentono al dispositivo di mantenere un funzionamento stabile in ambienti ad alta temperatura, rendendolo adatto a progetti ad alta densità di potenza.

5, Caratteristiche e vantaggiIPB60R045P7

600V P7 consente un eccellente FOM RDS ((on) xEoss e RDS ((on) xQG

Facilità d'uso

robustezza ESD ≥ 2kV (classe HBM 2)

Resistenza di porta integrata RG

Diodo di carrozzeria robusto

Ampio portafoglio di pacchetti di montaggio attraverso buchi e superfici

Sono disponibili sia parti di qualità standard che di qualità industriale

Le eccellenti FOM RDS ((on) xQG / RDS ((on) xEoss consentono una maggiore efficienza

Facilità d'uso

Facilità d'uso negli ambienti di produzione impedendo che si verifichino guasti dell'ESD

RG integrato riduce la sensibilità di oscillazione del MOSFET

Il MOSFET è adatto sia per topologie di commutazione dure che risonanti come PFC e LLC

Eccellente robustezza durante la commutazione dura del diodo del corpo visto nella topologia LLC

Adatti a una vasta gamma di applicazioni finali e potenze di uscita

Parti disponibili adatte alle applicazioni di consumo e industriali

6,Applicazioni diIPB60R045P7

Forniture elettriche industriali: comprese le alimentatorie per server, le apparecchiature di comunicazione e gli SMPS industriali, le loro elevate prestazioni e affidabilità soddisfano le esigenze di ambienti industriali difficili.

Elettronica di consumo: l'IPB60R045P7 è adatto per alimentatori, adattatori e caricabatterie per TV, contribuendo a raggiungere gli obiettivi di miniaturizzazione e progettazione ad alte prestazioni.

Nuova energia: le elevate prestazioni e le caratteristiche di bassa perdita dell'IPB60R045P7 sono pienamente dimostrate negli inverter solari e nei posti di ricarica dei veicoli elettrici.

7,Linee guida del pacchettoIPB60R045P7