Blog dell'azienda Transistor MOSFET di potenza N-canale INFINEON IPDD60R050G7 600V

INFINEONIPDD60R050G7Transistori MOSFET a potenza di canale n 600V

Descrizione del prodottoIPDD60R050G7
IPDD60R050G7600 V CoolMOSTM G7 superjunction (SJ) MOSFET è combinato con l'innovativo concetto di raffreddamento superiore,fornire una soluzione di sistema per topologie di commutazione a corrente alta come PFC e una soluzione di efficienza di fascia alta per le topologie LLC.

Specifica diIPDD60R050G7
Polarità del transistor:N-canale
Numero di canali: 1 canale
Vds - Tensione di rottura della fonte di scarico:600 V
Id - Corrente di scarico continua:47 A
Rds On - Resistenza di scarico: 50 mOhms
Vgs - Tensione della porta-sorgente:- 20 V, + 20 V
Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta:3 V
Qg - carica di porta:68 nC
Temperatura minima di funzionamento: - 55 C
Temperatura massima di funzionamento: + 150 C
Pd - Dissipazione di potenza:278 W
Modalità del canale:Aumento
Configurazione: singolo
Tempo di caduta: 3 s
Tipo di prodotto:MOSFET
Tempo di risalita:6 ns
Tempo di ritardo tipico di spegnimento: 72 ms
Tempo di ritardo tipico di accensione:22 ms
Peso unitario:763.560 mg

Caratteristiche diIPDD60R050G7
Fornisce il miglior in classe FOM RDS ((on) x Eoss e RDS ((on) x Qg
Concetto innovativo di raffreddamento sul lato superiore
Configurazione della sorgente di 4th pin Kelvin e bassa induttanza della sorgente parassitaria
Capacità di TCOB di >> 2.000 cicli, conforme a MSL1 e totalmente privo di Pb

Benefici diIPDD60R050G7
Permettere la massima efficienza energetica
Il disaccoppiamento termico della scheda e del semiconduttore consente di superare i limiti termici dei PCB
La riduzione dell'induttanza della sorgente parassitaria migliora l'eficienza e la facilità d'uso
Consente soluzioni a maggiore densità di potenza
Superare i più elevati standard qualitativi

Applicazioni diIPDD60R050G7
Telecomunicazioni
Servitore
Energia solare
Potenza del PC
SMPS
Soluzioni per inverter a stringa a una fase
Distribuzione di potenza a 48 V
Forniture di alimentazione per rotaie DIN
Elettrolisi dell'idrogeno
Infrastrutture di telecomunicazione

Gli schemi del pacchetto