Infineon IPL65R165CFD Transistor MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di distributore indipendente di componenti elettronici di fama mondiale, fornisce IPL65R165CFD originali, transistor di potenza della serie CoolMOS™ CFD2. Questo MOSFET a canale N da 650 V utilizza l'avanzata tecnologia Superjunction, offrendo prestazioni eccezionali in applicazioni ad alta tensione.
【IPL65R165CFD Panoramica del prodotto e punti salienti tecnici】
L'IPL65R165CFD è un MOSFET di potenza a canale N da 650 V di Infineon Technologies che utilizza l'avanzata tecnologia CoolMOS™ CFD2 (diodo veloce di seconda generazione). Come successore della tecnologia CFD da 600 V, questo dispositivo raggiunge ulteriori miglioramenti nell'efficienza energetica.
Come MOSFET Superjunction, l'IPL65R165CFD integra un diodo corpo veloce, migliorando significativamente le prestazioni di commutazione e l'affidabilità operativa. Rispetto ai prodotti concorrenti, offre un comportamento di commutazione più morbido e prestazioni superiori in termini di interferenze elettromagnetiche (EMI), il che è particolarmente cruciale in ambienti elettronici complessi.
L'IPL65R165CFD utilizza un package PG-VSON-4 (noto anche come 4-PowerTSFN o VSON-4-EP), che misura 8,1x8,1 mm. Adatto per la tecnologia a montaggio superficiale, offre un'eccellente dissipazione termica e stabilità meccanica.
【Parametri chiave di prestazione dettagliati di IPL65R165CFD】
I parametri di prestazione dell'IPL65R165CFD dimostrano i suoi vantaggi nelle applicazioni di commutazione di potenza:
Caratteristiche di tensione e corrente: Il dispositivo è nominale per una tensione drain-source (Vdss) di 650 V, fornendo un margine di sicurezza superiore ai comuni dispositivi da 600 V. A 25°C, la corrente di drain continua (Id) raggiunge 21,3 A, consentendogli di gestire una potenza sostanziale.
Resistenza di accensione: Con una tensione di pilotaggio gate di 10 V e una corrente di prova di 9,3 A, l'IPL65R165CFD presenta una resistenza di accensione massima (RDS(on)) di soli 165 mΩ. Questa bassa resistenza di accensione si traduce direttamente in una riduzione delle perdite di conduzione, migliorando l'efficienza energetica complessiva del sistema.
Caratteristiche di commutazione: L'IPL65R165CFD presenta prestazioni di commutazione eccezionali con una carica di gate massima (Qg) di 86 nC (@10 V) e una capacità di ingresso (Ciss) di 2340 pF (@100 V). Una bassa carica e capacità del gate consentono velocità di commutazione più elevate e minori perdite di pilotaggio.
Prestazioni termiche: L'IPL65R165CFD raggiunge una dissipazione di potenza massima di 195 W (Tc) e funziona in un ampio intervallo di temperature da -40°C a +150°C, rendendolo adatto a diversi ambienti operativi difficili.
【IPL65R165CFD Innovazioni tecniche e strutturali】
La tecnologia CoolMOS™ CFD2 impiegata nell'IPL65R165CFD offre molteplici innovazioni:
Diodo corpo veloce integrato: Rispetto ai MOSFET convenzionali, la tecnologia CFD2 incorpora un diodo corpo veloce con una bassa carica di recupero inverso (Qrr) durante la commutazione ripetuta del diodo corpo. Ciò riduce significativamente le perdite di commutazione, rendendolo particolarmente adatto per applicazioni a topologia risonante.
di/dt e dv/dt autolimitanti: L'IPL65R165CFD possiede capacità intrinseche di limitazione della velocità di variazione della corrente e della tensione. Ciò aiuta a limitare il superamento della tensione all'interno dei circuiti pratici, riducendo la dipendenza dai circuiti di buffering esterni e semplificando la progettazione del sistema.
Bassa carica di uscita (Qoss): La caratteristica di bassa carica di uscita riduce al minimo il tempo di ritardo della commutazione e migliora il potenziale di frequenza di commutazione. Ciò consente ai progettisti di utilizzare componenti magnetici più piccoli, aumentando così la densità di potenza.
Finestra di distribuzione RDS(on) più stretta: La tecnologia CFD2 offre una finestra più stretta tra i valori di resistenza di accensione massima e tipica, garantendo una maggiore coerenza dei parametri nella produzione effettiva. Ciò migliora la prevedibilità e l'affidabilità nella progettazione del sistema.
【IPL65R165CFD Domini di applicazione e vantaggi di progettazione】
L'IPL65R165CFD è adatto per diverse applicazioni che richiedono alta efficienza e affidabilità:
Infrastruttura di comunicazione: Server, sistemi di alimentazione per telecomunicazioni
Energia rinnovabile: Inverter solari
Applicazioni industriali: Ballast per lampade HID, controllo motori
Elettronica di consumo: Driver per illuminazione a LED
Mobilità elettrica: Ricarica batterie, convertitori CC/CC
In queste applicazioni, le caratteristiche di commutazione rapida e le basse perdite di commutazione dell'IPL65R165CFD consentono ai sistemi di funzionare a frequenze più elevate. Ciò riduce le dimensioni e il peso dei componenti passivi aumentando al contempo la densità di potenza. Le sue eccezionali caratteristiche EMI semplificano la progettazione dei filtri, contribuendo alla conformità agli standard di compatibilità elettromagnetica più rigorosi.
Per i progettisti di alimentatori, i requisiti di pilotaggio relativamente semplici dell'IPL65R165CFD garantiscono una perfetta compatibilità con le famiglie di driver gate EiceDRIVER™ 1EDN e 2EDN di Infineon, riducendo la complessità della progettazione del sistema.
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