Blog dell'azienda Infineon IPM018N10: 100V OptiMOSTM 5 MOSFET lineare, che offre la massima densità di potenza per lo scambio a caldo e la protezione della batteria

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene una fornitura a lungo termine di componenti originali e in stock Infineon IPM018N10/IPM018N10NM5LF2—un MOSFET di potenza N-channel da 100V con tecnologia OptiMOS™ 5 Linear FET 2. Con una resistenza allo stato ON (on-resistance) fino a 1,7 mΩ, una corrente di drain continua fino a 285 A e un'ampia area di funzionamento sicuro (SOA), questo dispositivo è specificamente progettato per applicazioni di protezione—come hot-swapping, fusibili elettronici (e-Fuse) e sistemi di gestione della batteria (BMS)—che richiedono la capacità di sopportare picchi di corrente elevati.

Panoramica del prodotto: Il punto di riferimento per la tecnologia OptiMOS™ 5 Linear FET 2

L'IPM018N10 appartiene alla serie OptiMOS™ 5 Linear FET 2 di Infineon e funge da punto di riferimento prestazionale per la classe di tensione da 100V all'interno di questa piattaforma. Il dispositivo è dotato di un nuovo package mTOLG da 8×8 mm (PG-HSOG-4-1), è compatibile con MOSFET con package a wing da 8×8 mm² come il LFPAK88 ed è un dispositivo con package standard registrato JEDEC.

La filosofia di progettazione principale di questo prodotto è quella di combinare una resistenza allo stato ON ultra-bassa con un'ampia area di funzionamento sicuro (SOA), ottimizzata specificamente per circuiti di protezione che devono sopportare correnti di spunto e operare in modalità lineare.

IPM018N10 Specifiche tecniche chiave

Tensione Drain-Source (VDS): 100 V

Corrente di Drain Continua (ID): 285 A (Tc)

Resistenza allo stato ON (RDS(on)): Max. 1,7 mΩ @ 100 A, 15 V

Intervallo di temperatura operativa: -55°C a +175°C

Tipo di package: PG-HSOG-4-1 (mTOLG da 8×8 mm)

Carica di Gate (Qg): 178 nC @ 10V

Capacità di ingresso (Ciss): 14.000 pF @ 50V

IPM018N10 Caratteristiche e vantaggi chiave

Resistenza allo stato ON leader del settore: RDS(on) da 1,4 mΩ a 1,7 mΩ, che riduce significativamente le perdite di conduzione e migliora l'efficienza energetica del sistema

Ampia area di funzionamento sicuro (SOA): Eccellente capacità di funzionamento in modalità lineare, gestione sicura delle correnti di spunto durante l'avvio e le condizioni di guasto

Alta densità di potenza: Raggiunge una dissipazione di potenza di 349 W in un package compatto da 8×8 mm, risparmiando notevolmente spazio sul PCB

Caratteristiche di trasferimento ottimizzate: Intervallo di distribuzione Vgs(th) più ristretto, che migliora la condivisione della corrente quando più dispositivi sono collegati in parallelo

Test di valanga al 100%: Garantisce l'affidabilità del dispositivo in condizioni operative gravose

Applicazioni chiave

L'IPM018N10 è specificamente progettato per essere la scelta ideale per applicazioni di protezione da correnti di spunto e di commutazione ad alta densità di potenza:

Sistema di gestione della batteria (BMS): Utilizzato per la protezione del circuito principale e i circuiti di pre-carica nei pacchi batteria per garantire la sicurezza e l'affidabilità del sistema

Hot-Swap e fusibili elettronici (e-Fuse): Fornisce una limitazione di corrente fluida e protezione da cortocircuito, prevenendo picchi di tensione o corrente distruttivi durante l'hot-swapping

Alimentatori per server (Server PSU): Soddisfa i rigorosi requisiti dei data center per moduli di alimentazione ad alta efficienza e alta densità di potenza

Infrastruttura per telecomunicazioni: Adatto per la protezione hot-swap e la conversione di potenza negli alimentatori delle apparecchiature di comunicazione

Per richiedere un preventivo del prodotto, campioni o informazioni sull'inventario, si prega di contattare Mingjiada Electronics:

Contatto: Sig. Chen

Telefono: 13410018555

Email: +86 sales@hkmjd.com

Sito web: https://www.integrated-ic.com/

Tag: IPM018N10NM5LF2, IPM018N10NM5LF, IPM018N10NM5L, IPM018N10NM5, IPM018N10NM, IPM018N10N, IPM018N10