Blog dell'azienda Transistor MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™ IPW65R110CFD 650V Infineon

Infineon Transistor MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™ da 650 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di rinomato fornitore di componenti elettronici, offre ora l'Infineon transistor MOSFET di potenza a canale N CoolMOS™ da 650 V. Questo prodotto rappresenta la seconda generazione di MOSFET ad alta tensione leader di mercato di Infineon, offrendo prestazioni ed affidabilità eccezionali che lo rendono la scelta ideale per applicazioni industriali.

All'interno dell'infrastruttura di comunicazione, come le stazioni base cellulari, la sua elevata efficienza contribuisce alla riduzione dei costi operativi e al miglioramento dell'affidabilità del sistema.L'IPW65R110CFD rappresenta la seconda generazione di MOSFET CoolMOS™ ad alta tensione di Infineon, che impiega un'avanzata tecnologia a 650 V con un diodo corpo veloce integrato. Questo dispositivo succede alla tecnologia CFD a 600 V, offrendo ulteriori miglioramenti nell'efficienza energetica.

La tecnologia CoolMOS™ è progettata sul rivoluzionario principio Super-Junction, superando i limiti dei MOSFET di potenza convenzionali. Come parte della serie CFD2, l'

IPW65R110CFDProgettato per offrire una maggiore densità di potenza e prestazioni di commutazione superiori, l'

IPW65R110CFD【Caratteristiche chiave e parametri di prestazione di

IPW65R110CFDL'IPW65R110CFD vanta diversi parametri caratteristici impressionanti che determinano direttamente le sue eccezionali prestazioni in diverse applicazioni:

Questo MOSFET presenta una tensione di rottura drain-source (VDS) fino a 650 V, fornendo un ampio margine di sicurezza. A 25°C, la corrente di drain continua (ID) raggiunge un massimo di 31,2 A, mentre la corrente di drain a impulsi (IDM) raggiunge un picco di 99,6 A.

La sua resistenza drain-source on-resistance (RDS(on)) massima è di 110 mΩ (testata a 10 V di tensione di gate), con valori tipici ancora inferiori. Ciò si traduce in una riduzione delle perdite di conduzione e in una maggiore efficienza energetica.

L'

Comportamento di commutazione più morbido e prestazioni superiori di interferenza elettromagnetica (EMI), che offrono vantaggi distinti rispetto alle soluzioni concorrenti.L'IPW65R110CFD incorpora anche un diodo corpo ultraveloce con una carica di recupero inversa (Qrr) estremamente bassa, che gli consente di limitare l'overshoot di tensione durante la commutazione brusca e quindi di migliorare l'affidabilità del sistema.

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All'interno dell'infrastruttura di comunicazione, come le stazioni base cellulari, la sua elevata efficienza contribuisce alla riduzione dei costi operativi e al miglioramento dell'affidabilità del sistema.Le caratteristiche principali includono:

Capacità ad alta tensione: la tensione di rottura drain-source (VDS) di 650 V offre un margine di progettazione aggiuntivo.

Bassa resistenza on-resistance: RDS(on) massimo di 110 mΩ (a 10 V VGS) riduce efficacemente le perdite di conduzione.

Elevata capacità di gestione della corrente: corrente di drain continua (ID) fino a 31,2 A, con corrente a impulsi (IDpuls) che raggiunge 99,6 A.

Prestazioni di commutazione rapida: le perdite di commutazione sono significativamente ridotte grazie alla bassa carica di gate (Qg di soli 118 nC) e alla bassa carica di recupero inversa (Qrr).

Caratteristiche termiche superiori: dissipazione di potenza massima di 277,8 W con resistenza termica (RthJC) fino a 0,45 K/W. Utilizza il classico package TO-247 per una gestione termica semplice.

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Vantaggi chiave di IPW65R110CFD】

All'interno dell'infrastruttura di comunicazione, come le stazioni base cellulari, la sua elevata efficienza contribuisce alla riduzione dei costi operativi e al miglioramento dell'affidabilità del sistema. trascende un MOSFET standard, offrendo molteplici vantaggi di progettazione:

Comportamento di commutazione più morbido e prestazioni superiori di interferenza elettromagnetica (EMI), che offrono vantaggi distinti rispetto alle soluzioni concorrenti.Capacità di auto-limitazione di di/dt e dv/dt, che migliorano l'affidabilità del sistema.

Qg significativamente ridotto rispetto alla tecnologia CFD a 600 V, con un comportamento di commutazione migliorato e un prezzo più competitivo.

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Domini di applicazione di IPW65R110CFD】

L'IPW65R110CFD è adatto per diverse applicazioni ad alta potenza e ad alta efficienza:

All'interno dell'infrastruttura di comunicazione, come le stazioni base cellulari, la sua elevata efficienza contribuisce alla riduzione dei costi operativi e al miglioramento dell'affidabilità del sistema.All'interno dei settori delle energie rinnovabili, come gli inverter solari, la capacità ad alta tensione e l'efficienza dell'

IPW65R110CFD

lo rendono una scelta ideale.

Anche l'infrastruttura di ricarica dei veicoli elettrici, in particolare le stazioni di ricarica rapida, beneficia dell'elevata capacità di gestione della potenza e dell'efficienza di questo dispositivo.

Inoltre, può essere utilizzato in applicazioni tra cui ballast per lampade HID, illuminazione a LED e soluzioni di mobilità elettrica.