Blog dell'azienda INFINEON IQE057N10NM6CGSC N-Channel OptiMOSTM 6 MOSFET transistor

INFINEONIQE057N10NM6CGSCTransistor a canale n OptiMOSTM 6 MOSFET

Descrizione del prodottoIQE057N10NM6CGSC
IQE057N10NM6CGSC è un transistor a 6 MOSFET OptiMOSTM a canale N da 100 V.

Specificità diIQE057N10NM6CGSC
Polarità del transistor:N-canale
Numero di canali: 1 canale
Vds - Voltaggio di rottura della fonte di scarico:100 V
Id - Corrente di scarico continua:98 A
Rds On - Resistenza della fonte di scarico:5.7 mOhms
Vgs - Tensione della porta-sorgente:- 20 V, + 20 V
Vgs th - tensione di soglia della porta-sorgente:3.3 V
Qg - Portata di carico:26 nC
Temperatura minima di funzionamento: - 55 C
Temperatura massima di funzionamento: + 175 C
Pd - Dissipazione di potenza:125 W
Modalità del canale:Aumento
Tempo di caduta:4.6 ns
Tipo di prodotto:MOSFET
Tempo di risalita: 1,9 ns
Tempo di ritardo tipico di spegnimento:12 ms
Tempo di ritardo tipico di accensione:5.6 ns

Caratteristiche delIQE057N10NM6CGSC
N-canale, livello normale
Rps (on) a resistenza molto bassa
Prodotto (FOM) X Ros ((on) eccellente
Carico di recupero inverso molto basso (Qr)
Indice energetico elevato per le valanghe
Temperatura di funzionamento 175°C
Ottimizzato per la commutazione ad alta frequenza e la rettifica sincrona
Pb-free lead plating; conforme alla normativa RoHS
Non contenenti alogeni secondo la norma IEC 61249-2-21
MSL 1 classificato secondo J-STD-020

Pacchi di misureIQE057N10NM6CGSC