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Blog dell'azienda Transistor MOSFET di potenza a canale P di 30 V INFINEON IRF7328TRPBF

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Transistor MOSFET di potenza a canale P di 30 V INFINEON IRF7328TRPBF
ultime notizie sull'azienda Transistor MOSFET di potenza a canale P di 30 V INFINEON IRF7328TRPBF

INFINEONIRF7328TRPBFTransistor MOSFET a canale P di potenza di 30 V

 

Descrizione del prodottoIRF7328TRPBF

IRF7328TRPBFi MOSFET di potenza utilizzano processi di silicio collaudati, offrendo ai progettisti un ampio portafoglio di dispositivi per supportare varie applicazioni come motori a corrente continua, inverter, SMPS, illuminazione,connessioni di carico e applicazioni alimentate a batteria.

 

I nuovi MOSFET di potenza HEXFET® utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza di accensione estremamente bassa per area di silicio.combinato con il design del dispositivo robusto per il quale i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare nelle applicazioni di gestione delle batterie e del carico.

 

Caratteristica delIRF7328TRPBF
Tecnologia delle trincee
Ultra bassa resistenza
MOSFET a doppio canale P
Disponibile su nastro e rulli
Senza piombo

 

Applicazioni diIRF7328TRPBF
Dispositivi mobili e smartphone

 

Nastro e bobina SO-8

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Tempo del pub : 2024-12-03 13:01:10 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)

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