Blog dell'azienda Infineon IRFP150MPBF 100V/42A MOSFET di potenza a canale N in pacchetto TO-247M offre soluzioni efficienti di conversione di potenza

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. offre ora disponibilità a lungo termine di stock del classico dispositivo di potenza di Infineon—l'IRFP150MPBF. Questo MOSFET di potenza a canale N singolo da 100 V, alloggiato in un package TO-247 serie M, offre un'eccezionale capacità di gestione della corrente, perdite di conduzione estremamente basse e robusta durata. Rappresenta la soluzione preferita per gli ingegneri che affrontano sfide ad alta tensione e alta corrente.

Nucleo del prodotto: MOSFET di potenza HEXFET ad alte prestazioni di Infineon

L'IRFP150MPBF è un MOSFET di potenza a canale N a modalità di potenziamento ad alte prestazioni sviluppato da Infineon basato sulla tecnologia planare matura e sull'architettura HEXFET. Non è progettato per applicazioni di commutazione ad altissima frequenza, ma è ottimizzato al silicio specificamente per applicazioni industriali a bassa frequenza e alta potenza inferiori a 100 kHz, offrendo eccezionale durata e affidabilità all'interno di un'ampia Area di Funzionamento Sicuro (SOA).

IRFP150MPBF Caratteristiche principali del prodotto

1. Tecnologia HEXFET di quinta generazione

L'IRFP150MPBF utilizza l'avanzata tecnologia di processo HEXFET di quinta generazione di Infineon, ottenendo una resistenza on per area di silicio estremamente bassa. Ciò riduce significativamente le perdite di conduzione e migliora l'efficienza complessiva del sistema. Combinando la rinomata velocità di commutazione rapida dei MOSFET di potenza HEXFET con un design robusto del dispositivo, questa tecnologia offre agli ingegneri soluzioni di conversione di potenza altamente efficienti e affidabili.

2. Prestazioni elettriche eccezionali

Tensione nominale elevata: la tensione drain-source (Vds) fino a 100 V fornisce un ampio margine di tensione per alimentatori industriali e azionamenti motore

Elevata capacità di corrente: corrente di drain continua (Id) fino a 42 A con capacità di corrente a impulsi migliorata per soddisfare le esigenze di applicazioni ad alta potenza

Resistenza on ultra-bassa: valore tipico di soli 36 mΩ @ 10 V di pilotaggio gate riduce efficacemente le perdite di conduzione e minimizza la generazione di calore

Elevata dissipazione di potenza: dissipazione massima di 160 W (@ temperatura del dissipatore di calore di 25°C), abbinata al package TO-247 per prestazioni termiche superiori

3. Caratteristiche di commutazione rapida

Bassa carica di gate: carica di gate totale (Qg) di soli 110 nC@10V riduce il consumo di energia di pilotaggio e migliora l'efficienza di commutazione

Bassa capacità di ingresso: capacità di ingresso (Ciss) di 1,9 nF e capacità di trasferimento inversa (Crss) di 230 pF supportano applicazioni di commutazione ad alta frequenza

Elevata velocità di commutazione: tempi di accensione/spegnimento rapidi minimizzano le perdite di commutazione, adatti per frequenze di commutazione superiori a 200 kHz

4. Design del package robusto e affidabile

Package TO-247-3: package di potenza classico con eccellenti prestazioni termiche, supporta l'attacco del dissipatore di calore per una migliore gestione termica

Ampio intervallo di temperature operative: intervallo di temperatura di giunzione da -55°C a +175°C, adatto per ambienti industriali difficili e temperature estreme

Elevata affidabilità: certificato AEC-Q101 (grado automobilistico), soddisfa i requisiti di grado industriale per un funzionamento stabile a lungo termine

IRFP150MPBF Specifiche del prodotto

Produttore: Infineon

Tipo di prodotto: MOSFET

Tecnologia: Si

Stile di montaggio: Through Hole

Package / Case: TO-247-3

Polarità del transistor: N-Channel

Numero di canali: 1 canale

Vds - Tensione di rottura drain-source: 100 V

Id - Corrente di drain continua: 42 A

Rds On - Resistenza drain-source on: 36 mOhms

Vgs - Tensione gate-source: -20 V, 20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 1,8 V

Qg - Carica di gate: 110 nC

Temperatura minima di esercizio: -55°C

Temperatura massima di esercizio: +175°C

Pd - Dissipazione di potenza: 160 W

Modalità canale: Potenziamento

Informazioni per l'ordine

Se stai cercando un dispositivo di commutazione core affidabile per il tuo progetto di alimentazione, l'IRFP150MPBF è una scelta classica e durevole.

Modello del prodotto: IRFP150MPBF

Marca: Infineon

Package: TO-247-3 (Serie TO-247 M)

Imballaggio: Tubo, 25 pezzi/tubo

Quantità minima ordinabile: 1 pezzo (Disponibile l'approvvigionamento di campioni)