Blog dell'azienda Infineon lancia l'N-Channel OptiMOSTM Power MOSFET IPB038N12N3G

Oggi, Infineon introduce il MOSFET di potenza OptiMOSTM a canale N-IPB038N12N3G è il MOSFET di potenza leader che offre le soluzioni con la più alta densità di potenza ed efficienza energetica.Le cariche ultra-basse di ingresso e di uscita e la resistenza di accensione più bassa in un piccolo pacchetto le rendono ideali per soddisfare i requisiti più esigenti delle soluzioni di regolamentazione della tensione nel serverLe FET a commutazione ultra veloce e le FET sincrone a basso EMI forniscono soluzioni facili da progettare.I MOSFET di potenza OptiMOSTM a canale N di Infineon forniscono un'eccellente carica del gate e sono ottimizzati per la conversione DC-DC.

Introduzione

La famiglia 120V OptiMOSTM offre le prestazioni di commutazione più basse e più veloci del settore per una vasta gamma di applicazioni, consentendo prestazioni eccellenti.La tecnologia 120V OptiMOSTM apre nuove possibilità per contribuire a realizzare soluzioni ottimizzate.

Descrizione delle caratteristiche

Performance di commutazione superiore

Il più basso del mondo (R Ds(on))

Qg e Qgd molto bassi

Importo della tariffa di entrata in circolazione x R DS ((on) prodotti (FOM)

Compatibile con la RoHS - privo di alogene

Classificazione MSL1 2

Specificità

Produttore: Infineon

Categoria di prodotto: MOSFET

Tecnologia: Si

Tipo di montaggio: SMD/SMT

Confezione / custodia: D2PAK-3 (TO-263-3)

Polarità del transistor: canale N

Numero di canali: 1 canale

tensione di rottura della fonte Vds-Drain: 120 V

Id - corrente di scarico continua: 120 A

Rds Resistenza di scarico: 3,2 mOhms

Vgs - tensione della porta: - 20 V, + 20 V

Vgs th - tensione di soglia della sorgente di porta: 2 V

Carica Qg-gate: 211 nC

Temperatura minima di funzionamento: - 55 C

Temperatura massima di funzionamento: + 175 C

Dissipazione di potenza Pd: 300 W

Modalità canale: potenziamento

Marchio: OptiMOS

Serie: OptiMOS 3

Configurazione: singolo

Tempo di caduta: 21 ns

Trasconduttanza in avanti - min: 83 S

Altezza: 4,4 mm

Lunghezza: 10 mm

Tipo di prodotto: MOSFET

Tempo di risalita: 52 ns

Pacco di fabbrica Quantità: 1000

Sottocategoria: MOSFET

Tipo di transistor: 1 canale N

Tempo di ritardo di spegnimento tipico: 70 ns

Tempo di ritardo tipico di accensione: 35 ns

Larghezza: 9,25 mm

A proposito di Infineon Technologies

Infineon è una società leader a livello mondiale nella tecnologia dei semiconduttori impegnata a creare un mondo più conveniente, sicuro ed ecologico.Offriamo una gamma completa di soluzioni per semiconduttori che consentono una gestione efficiente dell'energia, mobilità intelligente e comunicazioni sicure e senza soluzione di continuità che collegano il mondo reale e quello digitale.