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Blog dell'azienda Infineon MOSFET N-Channel IPLT60R024CM8 CoolMOSTM 8th Generation 600 V Power Transistor

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Infineon MOSFET N-Channel IPLT60R024CM8 CoolMOSTM 8th Generation 600 V Power Transistor
ultime notizie sull'azienda Infineon MOSFET N-Channel IPLT60R024CM8 CoolMOSTM 8th Generation 600 V Power Transistor

Mingjiada Electronics offre una fornitura a lungo termine di stock genuino e un riacquisto di alto valore di Infineon CoolMOSTM 8th Generation Power MOSFETs.IPLT60R024CM8600V 24mΩ Transistor a canale N a pacchetto TOLT raffreddato in alto

 

Visualizzazione del prodotto:IPLT60R024CM8MOSFET di potenza a canale n CoolMOSTM 8 600V

IlIPLT60R024CM8è un MOSFET di potenza a canale N della serie CoolMOSTM 8 da Infineon, che utilizza la tecnologia Superjunction avanzata come successore della serie CoolMOSTM 7.Questo dispositivo utilizza l'innovativo pacchetto TOLT (top-side cooling Leadless Transistor), il che lo rende il primo MOSFET ad alta tensione montato in superficie con tecnologia di raffreddamento sul lato superiore, specificamente progettato per applicazioni ad alta densità di potenza.

 

Sulla base della serie CoolMOSTM 7, la serie CoolMOSTM 8 offre prestazioni di on-resistance (RDS(on)) e di commutazione leader del settore, riducendo significativamente le perdite in diverse applicazioni.La serie integra un diodo veloce, che copre sia le applicazioni di commutazione dura che quelle di commutazione morbida, consentendo a una sola famiglia di prodotti di supportare tutte le principali topologie di potenza, semplificando la selezione dei prodotti.

 

IPLT60R024CM8Parametri

ID (@25°C) Max: 103 A

IDpuls Max: 359 A

QG: 122 nC

QG (tipico @10V): 122 nC

RDS ((on) (@10V) Max: 24 mΩ

RDS ((on) (@ Tj = 25°C): 20 mΩ

VDS Max: 600 V

VGS ((th): 4,2 V

Montaggio: SMT

Confezione: TOLT

Temperatura di funzionamento: da -55 °C a 150 °C

Polarità: N

 

IPLT60R024CM8Caratteristiche

• prestazioni SJ MOSFET leader nel settore

• Soddisfa diverse applicazioni di commutazione dura e di commutazione morbida con eccezionale robustezza di commutazione

• Diodo veloce integrato e protezione ESD

• prestazioni termiche leader nel settore grazie alla tecnologia di interconnessione.XT

 

IPLT60R024CM8Vantaggi

• Performance ottimale in termini di costi con prestazioni SJ MOSFET leader nel settore

• Facilità d'uso e cicli di progettazione più brevi

• Supporto per più topologie

• Riduce i valori R del 14-42%, migliorando le prestazioni termiche

 

IPLT60R024CM8Potenziali applicazioni

• Centri dati, server IA, alimentatori di telecomunicazioni

• Micro e inverter ibridi per uso residenziale

• sistemi di accumulo di energia portatili e residenziali, UPS

• ricarica dei veicoli elettrici, veicoli elettrici leggeri, carrelli elevatori elettrici

• Sistemi di distribuzione ad alta tensione

• attrezzi per la casa e professionali

• Caricabatterie, adattatori, alimentatori per televisori e console da gioco

 

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Tempo del pub : 2026-03-14 10:06:37 >> lista di notizie
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Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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