Blog dell'azienda Infineon MOSFET di potenza a canale N IPB117N20NFD OptiMOS™ FD, Transistor di potenza da 200V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un fornitore specializzato di componenti elettronici, che offre disponibilità a lungo termine di MOSFET di potenza a canale N ad alte prestazioni di Infineon – l'IPB117N20NFD. Questo prodotto appartiene alla serie OptiMOS™ FD, rinomata per le sue prestazioni eccezionali e l'alta affidabilità, che lo rende ampiamente applicabile in diverse applicazioni ad alta potenza.

IPB117N20NFD Panoramica del Prodotto
L'IPB117N20NFD è un transistor MOSFET di potenza a canale N di Infineon Technologies, che utilizza l'avanzata tecnologia OptiMOS™ FD (Fast Diode).

Questo IPB117N20NFD da 200V appartiene alla serie OptiMOS™ FD, specificamente ottimizzato per la commutazione brusca del diodo del corpo.

L'IPB117N20NFD utilizza un package TO-263-3 (noto anche come D2PAK), adatto per la tecnologia a montaggio superficiale, facilitando la saldatura e l'assemblaggio efficienti sulle linee di produzione automatizzate.

IPB117N20NFD Parametri chiave di prestazione
Tensione Drain-Source (VDS): 200V
Resistenza On-Resistance massima (FOS(uv)): 11.7mΩ
Corrente di Drain continua (ID): 84A (a Tc=25°C)
Corrente di Drain a impulsi: 336A (a Tc=25°C, I0=67A, R0B=25Ω)
Peak dv/dt del diodo inverso: 60kV/μs (a ln=160A, V0B=100V, dir/t=1500A/μs, Tjmax=175°C)
Tensione Gate-Source (VGS): da -20V a 20V
Dissipazione di potenza (Pd): 300W (a Tc=25°C)
Intervallo di temperatura operativa: da -55°C a 175°C

Caratteristiche del prodotto
L'IPB117N20NFD integra molteplici tecnologie avanzate, offrendo le seguenti caratteristiche chiave:
Maggiore robustezza: ottimizzato per la resistenza alla commutazione brusca del diodo del corpo, migliorando l'affidabilità del sistema in ambienti di commutazione difficili.
Tecnologia Fast Diode: incorpora la tecnologia del diodo veloce (FD) a basso Qrr, riducendo significativamente la carica e il tempo di recupero inverso per prestazioni superiori in applicazioni come gli alimentatori switching.
Efficienza energetica e densità di potenza: con parametri Rds(on) e Qg leader del settore, l'IPB117N20NFD raggiunge una maggiore efficienza del sistema e densità di potenza, consentendo ai progettisti di ridurre l'ingombro del prodotto.
Conformità ambientale e sicurezza: conforme a RoHS e senza alogeni, l'IPB117N20NFD soddisfa i severi requisiti ambientali per l'elettronica moderna, offrendo al contempo eccellenti caratteristiche di temperatura e stabilità a lungo termine.

Scenari applicativi
L'IPB117N20NFD trova ampia applicazione in diversi settori, tra cui:
Apparecchiature di telecomunicazione: offre una gestione dell'alimentazione ad alta efficienza.
Alimentatori industriali: garantisce un'erogazione di potenza stabile.
Amplificatori audio di classe D: migliorano le prestazioni nei dispositivi audio.
Controllo motore: regola con precisione il funzionamento del motore.
Inverter CC-CA: consentono una conversione di potenza efficiente.

Tipo di package
L'IPB117N20NFD utilizza un package PG-TO 263-3, che offre vantaggi in termini di risparmio di spazio, oltre alla facilità di installazione e gestione.

Riepilogo
Il MOSFET di potenza Infineon IPB117N20NFD fornito da Mingjiada Electronics rappresenta un MOSFET a canale N da 200V versatile e ad alte prestazioni. La sua bassa resistenza di accensione, l'elevata velocità di commutazione e la bassa tensione di accensione forniscono una soluzione affidabile per diverse applicazioni ad alta potenza. Che si tratti di telecomunicazioni, alimentatori industriali o apparecchiature audio, l'IPB117N20NFD soddisfa le esigenze degli utenti di MOSFET di potenza ad alte prestazioni.

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