logo
  • Italian
Casa Notizie

Blog dell'azienda IRF1310NPBF: Infineon 100V N-channel Power MOSFET, la scelta preferita per una gestione efficiente dell'energia

Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

—— Richardg Dalla Germania

Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

—— Tim dalla Malesia

Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

—— Vincent dalla Russia

Grandi prezzi, consegna veloce e servizio clienti di prim'ordine.

—— Nishikawa dal Giappone

Componenti affidabili, spedizione veloce e supporto eccellente.

—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

—— Lina dalla Germania

Sono ora online in chat
società Blog
IRF1310NPBF: Infineon 100V N-channel Power MOSFET, la scelta preferita per una gestione efficiente dell'energia
ultime notizie sull'azienda IRF1310NPBF: Infineon 100V N-channel Power MOSFET, la scelta preferita per una gestione efficiente dell'energia

Mingjiada Electronics fornisce l'IRF1310NPBF, un MOSFET di potenza a canale N da 100 V ad alte prestazioni introdotto da Infineon, che offre prestazioni eccezionali in applicazioni di gestione dell'alimentazione efficienti ed è un componente chiave indispensabile in numerosi dispositivi elettronici.

 

Panoramica del prodotto di IRF1310NPBF
L'IRF1310NPBF è un MOSFET di potenza a canale N ad alte prestazioni con tecnologia avanzata HEXFET®, che offre una resistenza estremamente bassa allo stato attivo e prestazioni di commutazione eccellenti. L'IRF1310NPBF è confezionato in un package TO-220AB ed è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta corrente e alta tensione come alimentatori switching, azionamenti per motori e sistemi di controllo industriale. Con la sua elevata affidabilità ed efficienza, è la scelta preferita dagli ingegneri nella progettazione di alimentatori.

 

Caratteristiche e parametri di IRF1310NPBF
Parametri elettrici di base: L'IRF1310NPBF ha una tensione massima drain-source di 100 V, una corrente di drain continua fino a 42 A e una dissipazione di potenza massima di 160 W. Presenta una resistenza estremamente bassa allo stato attivo, fino a 36 mΩ @10V, 22A. La sua carica di gate è di 110 nC @10V, la capacità di ingresso è di 1,9 nF @25V e la capacità di trasferimento inverso è di 230 pF @25V.
Intervallo di temperatura di esercizio: L'IRF1310NPBF può funzionare stabilmente all'interno di un ampio intervallo di temperature da -55°C a +175°C, adattandosi a vari ambienti operativi difficili e garantendo un funzionamento affidabile dell'apparecchiatura in diverse condizioni di temperatura.
Caratteristiche del package: L'IRF1310NPBF è alloggiato in un package TO-220AB con dimensioni di 10,54 mm di lunghezza, 4,4 mm di larghezza e 8,77 mm di altezza, offrendo eccellenti prestazioni di dissipazione del calore e capacità di isolamento elettrico. Il materiale di confezionamento fornisce una capacità di isolamento ad alta tensione fino a 2,5 kVRMS e una distanza di creepage di 4,8 mm, prevenendo efficacemente problemi come perdite e cortocircuiti.
Parametri di prestazioni dinamiche: IRF1310NPBF presenta una velocità di commutazione elevata, consentendo una conversione di potenza efficiente. Il suo tempo di salita tipico è di 56 ns e il tempo di discesa è di 40 ns, con prestazioni eccellenti in applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Inoltre, IRF1310NPBF ha la capacità di assorbimento di energia a valanga, in grado di resistere a determinati livelli di sovraccarico e picchi di tensione transitori, migliorando l'affidabilità e la sicurezza del sistema.

 

Parametri dettagliati di IRF1310NPBF
Tipo di FET: MOSFET a canale N
Tensione drain-source: 100 V
Corrente di drain continua: 42 A (a 25°C)
Resistenza allo stato attivo: 36 mΩ (a 10 V, 22 A)
Carica di gate: 110 nC (a 10 V)
Capacità di ingresso: 1900 pF (a 25 V)
Tensione gate-source: ±20 V
Tensione di soglia: da 2 V a 4 V
Tipo di package: TO-220AB (montaggio a foro passante)
Intervallo di temperatura di esercizio: da -55°C a +175°C
Dissipazione di potenza: 160 W (a 25°C)

 

Applicazioni tipiche
L'
IRF1310NPBF è ampiamente utilizzato nei seguenti campi:
Alimentatori switching (SMPS): Utilizzato nella conversione AC-DC e nei moduli DC-DC per migliorare l'efficienza energetica.
Azionamenti per motori: Adatto per il controllo di motori industriali, utensili elettrici e apparecchiature automatizzate.
Moduli di gestione dell'alimentazione: Utilizzato in sistemi UPS, inverter e sistemi di gestione della batteria.
Elettronica automobilistica: Soddisfa i requisiti di elevata affidabilità per alimentatori in-vehicle e driver LED.
Elettronica di consumo: Come amplificatori audio e caricabatterie ad alta potenza.

 

Fornitura e supporto
Mingjiada Electronics, in qualità di rinomato distributore di componenti elettronici, offre prodotti
IRF1310NPBF originali con ampio inventario e spedizione veloce. Per supporto tecnico o acquisti all'ingrosso di IRF1310NPBF, si prega di contattare Mingjiada Electronics per la migliore quotazione.

 

Informazioni di contatto
Telefono: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Sito web:
www.integrated-ic.com

Tempo del pub : 2025-06-16 10:43:32 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)