Mingjiada Electronics fornisce l'IRF1310NPBF, un MOSFET di potenza a canale N da 100 V ad alte prestazioni introdotto da Infineon, che offre prestazioni eccezionali in applicazioni di gestione dell'alimentazione efficienti ed è un componente chiave indispensabile in numerosi dispositivi elettronici.
Panoramica del prodotto di IRF1310NPBF
L'IRF1310NPBF è un MOSFET di potenza a canale N ad alte prestazioni con tecnologia avanzata HEXFET®, che offre una resistenza estremamente bassa allo stato attivo e prestazioni di commutazione eccellenti. L'IRF1310NPBF è confezionato in un package TO-220AB ed è ideale per applicazioni di gestione dell'alimentazione ad alta corrente e alta tensione come alimentatori switching, azionamenti per motori e sistemi di controllo industriale. Con la sua elevata affidabilità ed efficienza, è la scelta preferita dagli ingegneri nella progettazione di alimentatori.
Caratteristiche e parametri di IRF1310NPBF
Parametri elettrici di base: L'IRF1310NPBF ha una tensione massima drain-source di 100 V, una corrente di drain continua fino a 42 A e una dissipazione di potenza massima di 160 W. Presenta una resistenza estremamente bassa allo stato attivo, fino a 36 mΩ @10V, 22A. La sua carica di gate è di 110 nC @10V, la capacità di ingresso è di 1,9 nF @25V e la capacità di trasferimento inverso è di 230 pF @25V.
Intervallo di temperatura di esercizio: L'IRF1310NPBF può funzionare stabilmente all'interno di un ampio intervallo di temperature da -55°C a +175°C, adattandosi a vari ambienti operativi difficili e garantendo un funzionamento affidabile dell'apparecchiatura in diverse condizioni di temperatura.
Caratteristiche del package: L'IRF1310NPBF è alloggiato in un package TO-220AB con dimensioni di 10,54 mm di lunghezza, 4,4 mm di larghezza e 8,77 mm di altezza, offrendo eccellenti prestazioni di dissipazione del calore e capacità di isolamento elettrico. Il materiale di confezionamento fornisce una capacità di isolamento ad alta tensione fino a 2,5 kVRMS e una distanza di creepage di 4,8 mm, prevenendo efficacemente problemi come perdite e cortocircuiti.
Parametri di prestazioni dinamiche: IRF1310NPBF presenta una velocità di commutazione elevata, consentendo una conversione di potenza efficiente. Il suo tempo di salita tipico è di 56 ns e il tempo di discesa è di 40 ns, con prestazioni eccellenti in applicazioni di commutazione ad alta frequenza. Inoltre, IRF1310NPBF ha la capacità di assorbimento di energia a valanga, in grado di resistere a determinati livelli di sovraccarico e picchi di tensione transitori, migliorando l'affidabilità e la sicurezza del sistema.
Parametri dettagliati di IRF1310NPBF
Tipo di FET: MOSFET a canale N
Tensione drain-source: 100 V
Corrente di drain continua: 42 A (a 25°C)
Resistenza allo stato attivo: 36 mΩ (a 10 V, 22 A)
Carica di gate: 110 nC (a 10 V)
Capacità di ingresso: 1900 pF (a 25 V)
Tensione gate-source: ±20 V
Tensione di soglia: da 2 V a 4 V
Tipo di package: TO-220AB (montaggio a foro passante)
Intervallo di temperatura di esercizio: da -55°C a +175°C
Dissipazione di potenza: 160 W (a 25°C)
Applicazioni tipiche
L'IRF1310NPBF è ampiamente utilizzato nei seguenti campi:
Alimentatori switching (SMPS): Utilizzato nella conversione AC-DC e nei moduli DC-DC per migliorare l'efficienza energetica.
Azionamenti per motori: Adatto per il controllo di motori industriali, utensili elettrici e apparecchiature automatizzate.
Moduli di gestione dell'alimentazione: Utilizzato in sistemi UPS, inverter e sistemi di gestione della batteria.
Elettronica automobilistica: Soddisfa i requisiti di elevata affidabilità per alimentatori in-vehicle e driver LED.
Elettronica di consumo: Come amplificatori audio e caricabatterie ad alta potenza.
Fornitura e supporto
Mingjiada Electronics, in qualità di rinomato distributore di componenti elettronici, offre prodotti IRF1310NPBF originali con ampio inventario e spedizione veloce. Per supporto tecnico o acquisti all'ingrosso di IRF1310NPBF, si prega di contattare Mingjiada Electronics per la migliore quotazione.
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