logo
Casa Notizie

Blog dell'azienda IRFP3206 N-channel Power MOSFET: Un'analisi dettagliata del transistor a effetto di campo ad alte prestazioni da 60V/200A

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

—— Luis dagli Stati Uniti

Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

—— Richardg Dalla Germania

Prezzi competitivi: i prezzi offerti da è molto competitivo, rendendolo una scelta eccellente per le nostre esigenze di approvvigionamento.

—— Tim dalla Malesia

Il servizio clienti è eccellente, sempre disponibile e disponibile, garantendo che le nostre esigenze siano soddisfatte prontamente.

—— Vincent dalla Russia

Grandi prezzi, consegna veloce e servizio clienti di prim'ordine.

—— Nishikawa dal Giappone

Componenti affidabili, spedizione veloce e supporto eccellente.

—— Sam dagli Stati Uniti

Ricomando vivamente ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd per qualsiasi progetto di elettronica!

—— Lina dalla Germania

Sono ora online in chat
società Blog
IRFP3206 N-channel Power MOSFET: Un'analisi dettagliata del transistor a effetto di campo ad alte prestazioni da 60V/200A
ultime notizie sull'azienda IRFP3206 N-channel Power MOSFET: Un'analisi dettagliata del transistor a effetto di campo ad alte prestazioni da 60V/200A

Shenzhen Mingjiada Electronics, distributore di Infineon, haIRFP3206MOSFET di potenza StrongIRFETTM a canale N singolo a 60 V in magazzino, confezionati in TO-247.


Io.IRFP3206Visualizzazione del prodotto

IlIRFP3206è un MOSFET di potenza a canale N della serie HEXFET® di Infineon Technologies. Prodotto utilizzando la tecnologia avanzata Trench MOSFET,è caratterizzato da una resistenza di accensione estremamente bassa e da prestazioni di commutazione eccezionaliQuesto dispositivo, collocato in un pacchetto TO-247AC, è specificamente progettato perapplicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza ed è riconosciuto a livello mondiale come uno dei MOSFET di potenza TO-247 con la resistenza di accensione più bassa nella classe di tensione 60V.


Come dispositivo di commutazione ad alta potenza, l'IRFP3206 ha prestazioni particolarmente buone in applicazioni quali rettifica sincrona ad alta efficienza, alimentatori ininterrotti,circuiti ad alta frequenza per la commutazione di potenza ad alta velocità e per la commutazione rigidaQuesto prodotto è certificato RoHS e privo di piombo, conforme alle normative ambientali vigenti.

 

II.IRFP3206Principali specifiche tecniche

Produttore: Infineon

Modello di prodotto:IRFP3206

Tipo di FET: canale N

Tecnologia: MOSFET (metallo ossido semiconduttore)

Tensione della fonte di scarico (Vdss): 60V

Corrente di scarico continua (Id): 120A (limite del pacchetto) / 200A (limite del wafer)

Corrente di scarico dell'impulso: 840A

RDS on-resistance ((on) (tipico): 2,4 mΩ

Resistenza massima di accensione RDS ((on): 3,0 mΩ @ 75 A, 10 V

tensione di soglia di ingresso Vgs ((th): 4 V @ 150 μA

Carica del cancello Qg: 170 nC @ 10 V

Capacità di ingresso Ciss: 6540 pF @ 50 V

Capacità di uscita: 720 pF

Capacità di trasferimento inversa Crss: 360 pF

Dissipazione di potenza Pd: 280 W

tensione della sorgente di sblocco Vgs: ±20 V

Intervallo di temperatura di funzionamento: da -55 °C a +175 °C

Tipo di imballaggio: TO-247AC (montatura per foro)

Imballaggio: in tubi, 25 per tubo


III.IRFP3206Caratteristiche e vantaggi del prodotto

1- Resistenza estremamente bassa.

L'IRFP3206 raggiunge una resistenza di accensione di appena 2,4 mΩ (tipico) con un azionamento a 10 V, con un massimo di soli 3,0 mΩ.Questo RDS estremamente basso ((on) si traduce in minori perdite di conduzione e maggiore efficienza del sistema, che lo rende particolarmente adatto alle applicazioni di conversione di potenza ad alta corrente.

2Capacità di carico di corrente elevata

La matrice in silicio consente una corrente di scarico continua fino a 200 A, mentre il pacchetto è denominato per 120 A; le correnti di impulso possono raggiungere 840 A, soddisfacendo le esigenze di applicazioni ad alta potenza.

3- Ottima valanga e robustezza

Il dispositivo è dotato di una maggiore robustezza di porta, valanga e dinamica dV/dt, che gli consente di resistere efficacemente ai picchi di tensione e alle sovratensioni transitorie nel circuito,migliorando così l'affidabilità del sistema.

4Capacità completamente caratterizzata e SOA di valanga

Le caratteristiche di capacità completamente caratterizzate e l'area di funzionamento sicura dalle valanghe (SOA) forniscono agli ingegneri precisi riferimenti di progettazione, riducendo i rischi di progettazione.

5- Capacità di diodo corporeo migliorate

Le funzionalità dV/dt e dI/dt migliorate dei diodi corporei riducono le perdite di recupero inverso in applicazioni come la rettificazione sincrona.

6. pacchetto TO-247AC standard di settore

Il pacchetto TO-247AC a foratura offre eccellenti prestazioni termiche e resistenza meccanica, facilitando il layout del PCB e la progettazione termica.


IV.IRFP3206Aree di applicazione tipiche

Grazie alla sua elevata capacità di corrente, alla sua bassa resistenza e alla sua eccezionale robustezza, l'IRFP3206 è ampiamente utilizzato nei seguenti settori:

Rettifica sincrona ad alta efficienza nelle sorgenti di alimentazione in modalità di commutazione (SMPS): la resistenza di accensione estremamente bassa migliora significativamente l'efficienza di conversione della potenza

Forniture di alimentazione ininterrotta (UPS): elevata capacità di carico di corrente e eccellenti prestazioni termiche garantiscono il funzionamento stabile dei sistemi UPS

Interruttori di potenza ad alta velocità: adatti a circuiti di conversione di potenza che richiedono operazioni di commutazione rapide

Circuiti a commutazione dura e ad alta frequenza: caratteristiche di commutazione superiori soddisfano i requisiti di funzionamento ad alta frequenza

Azionamenti del motore a corrente continua: capacità di corrente elevata adatta per il controllo del motore ad alta potenza

Sistemi di gestione della batteria: basse perdite di resistenza prolungano la durata della batteria

Invertitori e convertitori CC-CC: ampiamente utilizzati in varie topologie di conversione di potenza


Dati di contatto

Nome della società: Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Indirizzo dell'impresa: stanze 12391241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, distretto di Futian, Shenzhen, provincia del Guangdong

Telefono: 86-755-83294757 / 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Sito ufficiale:www.integrated-ic.com

Tempo del pub : 2026-09-03 10:21:39 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

Invia la tua richiesta direttamente a noi (0 / 3000)