Blog dell'azienda IXYS IXFX230N20T Transistori MOSFET di potenza di potenza di potenza N-Channel

IXYS IXFX230N20T Transistor MOSFET di potenza a canale N a potenziamento

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di fornitore leader nel settore dei componenti elettronici, fornisce ai clienti l'IXYS IXFX230N20T transistor MOSFET di potenza a canale N a potenziamento. L'IXFX230N20T, con i suoi eccezionali parametri di prestazione e l'ampia gamma di applicazioni, è diventato un componente critico nella gestione dell'alimentazione e nei sistemi di conversione di potenza.

Panoramica del prodotto di IXFX230N20T:

L'IXFX230N20T è un MOSFET di potenza ad alte prestazioni con un design a struttura a canale N a potenziamento, ottimizzato per applicazioni ad alta corrente e alta tensione. Questo IXFX230N20T dispositivo integra robuste capacità di gestione della potenza all'interno di un package TO-247-3, rendendolo la scelta ideale per alimentatori industriali, azionamenti per motori e sistemi di conversione di energia.

Specifiche di IXFX230N20T:

Polarità del transistor: canale N

Numero di canali: 1 canale

Vds - Tensione di rottura drain-source: 200 V

Id - Corrente di drain continua: 230 A

Rds On - Resistenza drain-source: 7,5 mΩ

Vgs - Tensione gate-source: -20 V, +20 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source: 3 V

Qg - Carica di gate: 358 nC

Temperatura minima di esercizio: -55°C

Temperatura massima di esercizio: +175°C

Pd - Dissipazione di potenza: 1,67 kW

Modalità canale: Modalità a potenziamento

Peso unitario: 6 g

Caratteristiche di IXFX230N20T:

Packaging standard internazionale

Capacità di gestione di corrente elevata

Diodo interno veloce

Valutazione a valanga

Bassa RDS(on)

Punti salienti tecnici chiave di IXFX230N20T:

Capacità di trasporto di corrente ultra-elevata: corrente di drain continua (Id) fino a 230 A (alla temperatura del case Tc), che consente all'IXFX230N20T di soddisfare le esigenze di applicazioni ad alta potenza

Eccellenti caratteristiche di stato attivo: resistenza drain-source allo stato attivo (Rds(on)) fino a 7,5 mΩ, riducendo significativamente le perdite allo stato attivo e migliorando l'efficienza del sistema

Robuste specifiche di tensione: tensione di rottura drain-source (Vds) di 200 V e intervallo di tensione gate-source (Vgs) di ±20 V forniscono un'ampia area di funzionamento sicura

Prestazioni termiche eccezionali: dissipazione di potenza (Pd) fino a 1,67 kW (in condizioni Tc), supportando un ambiente operativo ad ampio intervallo di temperatura da -55°C a +175°C

Il MOSFET di potenza IXFX230N20T utilizza la piattaforma tecnologica proprietaria HiPerFET di IXYS, che ottimizza la struttura del dispositivo e le proprietà dei materiali per ottenere un equilibrio ottimale tra velocità di commutazione, resistenza allo stato attivo e stabilità termica. Una carica di gate (Qg) di 358 nC garantisce transizioni di commutazione rapide, mentre una tensione di soglia gate-source (Vgs th) di 3 V fornisce un'eccellente sensibilità di controllo.

Applicazione di IXFX230N20T:

Il MOSFET di potenza IXFX230N20T, con le sue eccezionali caratteristiche elettriche, dimostra un ampio potenziale applicativo in diversi settori industriali:

Sistemi di alimentazione industriali:

Progettazioni di alimentatori switching ad alta potenza (SMPS), in particolare per alimentatori di server e alimentatori di stazioni base di telecomunicazioni

Inverter e moduli raddrizzatori in sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS)

Controller di azionamento per motori industriali che supportano applicazioni ad alta coppia

Stadi di uscita di potenza per apparecchiature di saldatura e taglierine al plasma

Nuova energia e conversione di energia:

Circuiti di conversione CC-CA in inverter solari

Unità di regolazione della potenza nei sistemi di generazione di energia eolica

Moduli di gestione dell'energia nei sistemi di accumulo di energia a batteria (BESS)

Stadi di conversione di potenza nelle stazioni di ricarica per veicoli elettrici

Altre applicazioni ad alte prestazioni:

Stadi di uscita in amplificatori audio, in particolare amplificatori ad alta potenza di livello professionale

Circuiti risonanti in apparecchiature di riscaldamento a induzione

Applicazioni a commutazione rapida in sistemi di alimentazione a impulsi

Interruttori di carico ad alta corrente in apparecchiature di test e misurazione

Vantaggi di progettazione di IXFX230N20T:

Alta efficienza: la bassa resistenza allo stato attivo e le caratteristiche di commutazione ottimizzate riducono la perdita di energia, migliorando l'efficienza complessiva del sistema

Alta affidabilità: il package TO-247-3 offre eccellenti prestazioni termiche, combinate con un ampio intervallo di temperature operative, garantendo un funzionamento stabile in ambienti difficili

Flessibilità di progettazione: un ampio intervallo di tensione di pilotaggio del gate di ±20 V semplifica la progettazione del circuito del driver ed è compatibile con varie uscite del controller