Blog dell'azienda Riciclaggio di grandi forniture e scorte: Raddrizzatore a barriera Schottky a prova di radiazioni STMicroelectronics LEO1N5819AF

Mingjiada Electronics offre fornitura all'ingrosso e riciclo di inventario di STMicroelectronics LEO1N5819AF raddrizzatori Schottky a prova di radiazioni—45V/1A Pacchetto SOD128Flat offre soluzioni di alimentazione ad alta affidabilità per applicazioni in orbita terrestre bassa

LEO1N5819AF Panoramica del prodotto

Il LEO1N5819AF è un diodo Schottky da 1 A, 45 V in un pacchetto miniaturizzato a montaggio superficiale SOD128Flat, che opera all'interno di un intervallo di temperatura di giunzione da -40 °C a +150 °C. È classificato come raddrizzatore a prova di radiazioni. Questo dispositivo è conforme alle specifiche universali LEO di STMicroelectronics per componenti discreti di potenza in plastica a prova di radiazioni di grado spaziale, soddisfacendo i rigorosi requisiti di prestazioni e affidabilità dei satelliti in orbita terrestre bassa con budget limitati. Questa specifica basata su AECQ101 bilancia il risparmio di spazio, la riduzione dei costi di proprietà, la maggiore resistenza alle radiazioni e la capacità di produzione di grandi volumi garantita.

Il raddrizzatore LEO1N5819AF è adatto per alimentatori a commutazione e convertitori DC-DC ad alta frequenza, come inverter a bassa tensione ad alta frequenza, anelli OR, circuiti a ruota libera, diodi di blocco o circuiti di protezione contro l'inversione di polarità. È particolarmente adatto per sistemi mission-critical come l'avionica e le apparecchiature industriali ad alta affidabilità.

Caratteristiche di LEO1N5819AF

• Tensione inversa massima = 45 V

• Corrente diretta media = 1 A

• Temperatura di giunzione massima = 150 °C

• Resistenza termica DC RTH(JL) = 13 °C/W

• Chip diodo certificato ESCC

• Pacchetto a montaggio superficiale SOD128

• Certificazione di affidabilità basata su AEC-Q101

• Pacchetto ultra-compatto: 2,5 x 4,8 = 12 mm²

• Commutazione rapida e bassa tensione diretta

• Prestazioni del test di radiazione:

– TID 300 krad(Si) ad alta velocità di dose

– TNID 3.1011 particelle/cm²

– Nessun effetto SEB sotto VRWM completo a 60 MeV.cm²/mg

Applicazioni di LEO1N5819AF

• Applicazioni spaziali in orbita terrestre bassa (LEO)

• Sistemi di costellazioni satellitari

• Apparecchiature ad alta affidabilità

• Rettifica ad alta frequenza in uscita

• Diodi a volano

• Anelli raddrizzatori del convertitore

• Protezione contro l'inversione di polarità

Inventario massiccio e fornitura stabile

Mingjiada Electronics garantisce la fornitura all'ingrosso a lungo termine di LEO1N5819AF attraverso oltre 2 milioni di SKU in stock e solidi canali di approvvigionamento. Con centri di stoccaggio a livello nazionale, supportiamo la consegna espressa in 48 ore per soddisfare le esigenze flessibili, dai test dei campioni alla produzione di massa.

Ampio ambito di riciclo 

Oltre a LEO1N5819AF, Mingjiada ricicla continuamente l'intero portafoglio della serie LEO di STMicroelectronics, inclusi LEO1N5811AF, LEO1N5822AF, dispositivi logici a prova di radiazioni e chip di gestione dell'alimentazione. Forniamo canali efficienti per la liquidazione dell'inventario e il recupero del capitale a produttori originali, distributori e fabbriche di utenti finali.

Contatto per fornitura e riciclo:

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.

Tel: +86 13410018555 (Sig. Chen)

Email: sales@hkmjd.com

Sito web: www.integrated-ic.com