Mingjiada Electronics ha fornito e acquistato Infineon usatoIQE046N08LM5Questo dispositivo è specificamente ottimizzato per applicazioni di convertitore DC-DC ad alta densità di potenza nei server di telecomunicazioni e data center.Per ulteriori informazioni, contattateci..
IQE046N08LM5Visualizzazione del prodotto
IlIQE046N08LM5è un MOSFET di potenza a livello logico a canale N di 80 V della serie OptiMOSTM 5 di Infineon, dotato di un innovativo pacchetto PQFN 3.3×3.3 Source-Down.resistenza all'accensione (RDS(on)) molto bassa a 25°C e prestazioni termiche eccezionali, questo dispositivo è una scelta ideale per i prodotti di alimentazione a commutazione ad alta densità di potenza (SMPS), in particolare per le applicazioni di convertitore DC-DC nelle telecomunicazioni e nei server dei data center.
IQE046N08LM5Principali vantaggi tecnici
La rivoluzionaria tecnologia basata sullo scarico
OptiMOSTM Source-Down utilizza la tecnologia interna a flip-chip in silicio, offrendo vantaggi significativi rispetto ai confezionamenti tradizionali: migliori prestazioni termiche, maggiore densità di potenza,e maggiore flessibilità di layoutQuesta progettazione accorcia il percorso di dissipazione del calore del chip e riduce la resistenza termica, migliorando efficacemente l'affidabilità del sistema.
Ultra-basso livello di resistenza
L'IQE046N08LM5 presenta una resistenza massima di accensione (RDS ((on)) di soli 4,6 mΩ a VGS = 10 V, che rappresenta una riduzione di circa il 30% rispetto ai prodotti che utilizzano tecnologie simili.Basse resistenze di accensione si traducono in minori perdite di conduzione e minore generazione di calore, migliorando direttamente l'efficienza della conversione di potenza.
Drive di livello logico
Questo dispositivo supporta l'azionamento a livello logico, consentendo tensioni più basse dell'azionamento del cancello (compatibile con l'azionamento da 4,5 V), che riduce le spese del cancello Qrr e QOSS, semplificando la selezione e la progettazione del driver del cancello.
Configurazione parallela ottimizzata
Dotato di un design di pacchetto Center-Gate, questo dispositivo è specificamente ottimizzato per il funzionamento parallelo di più MOSFET, contribuendo a semplificare le configurazioni parallele e migliorare la condivisione corrente.
IQE046N08LM5Parametri chiave
tensione di scarico (VDS): 80 V
Corrente di scarico continua (ID @ 25°C): 99 A
Corrente di scarico massima (IDpuls): 396 A
Risistenza RDS ((on) (@10V, massimo): 4,6 mΩ
Risistenza di accensione RDS ((on) (@4,5V, massimo): 5,9 mΩ
carica di porta Qg (tipico @10V): 38 nC
Capacità di accumulo
Dissipazione di potenza (Ptot): 100 W
Intervallo di temperatura di funzionamento: da -55°C a +175°C
Tipo di pacchetto: PQFN 3.3×3.3 fonte-down
IQE046N08LM5Principali applicazioni
Convertitori DC-DC per telecomunicazioni e server
L'IQE046N08LM5 è specificamente progettato per prodotti SMPS ad alte prestazioni e funge da dispositivo di alimentazione centrale nei moduli di convertitore CC-CC per apparecchiature di telecomunicazione e server di data center.Con la continua crescita della domanda di energia per i server e i data center dell'IA (il tasso di crescita composto annuale per le forniture di energia dei server dell'AI raggiunge i 18%)0,8%), la necessità di MOSFET ad alta efficienza e densità di potenza è sempre più urgente.
Rettifica sincrona
Questo dispositivo è ottimizzato per applicazioni di rettificazione sincrona in SMPS ad alte prestazioni.La sua bassa resistenza di accensione e la sua bassa carica di cancello consentono di ridurre efficacemente le perdite di rettificazione e migliorare l'efficienza complessiva dell'alimentazione.
Perché scegliere Mingjiada?
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è da tempo specializzata nella fornitura e riciclaggio di dispositivi semiconduttori di potenza.
Nuove scorte originali: garantire la qualità e la tracciabilità dei prodotti
Fornitura stabile a lungo termine: soddisfazione degli approvvigionamenti di grandi dimensioni e delle esigenze urgenti di rifornimento
Servizi di riciclaggio professionale: offriamo il riciclaggio a lungo termine dell'IQE046N08LM5 e di dispositivi di alimentazione simili per fabbriche, istituti di ricerca e clienti finali,fornire soluzioni flessibili di gestione delle scorte
Conclusioni
Con la sua tecnologia OptiMOSTM 5 e l'innovativo packaging Source-Down, l'Infineon IQE046N08LM5 ha stabilito un nuovo benchmark di prestazioni nel settore dei MOSFET a potenza 80V.di potenza superiore a 1 kVA, aiuta gli ingegneri a raggiungere una maggiore densità di potenza, minori perdite di sistema e progettazione termica ottimizzata.
Mingjiada Electronics supporta i clienti nell'ottenere rapidamente questo dispositivo ad alte prestazioni attraverso i suoi servizi di supply chain di alta qualità.Per richieste relative all'approvvigionamento e al riciclaggio, non esitate a contattarci per telefono o e-mail..
Persona di contatto: Mr. Sales Manager
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