Blog dell'azienda Mingjiada Electronics sta cercando di acquistare la seconda generazione di 750V CoolSiCTM MOSFET G2 di Infineon a un prezzo premium per alimentare i server AI

Il MOSFET CoolSiC™ G2 da 750V di seconda generazione di Infineon alimenta i server AI; Mingjiada Electronics cerca di acquistare i seguenti modelli a prezzi premium

Introduzione: Con l'esplosione della potenza di calcolo AI, stanno emergendo nuove opportunità per i semiconduttori di potenza

Spinti dalla rapida iterazione di modelli di intelligenza artificiale su larga scala e dalla crescita esponenziale della domanda di potenza di calcolo nei data center, il consumo energetico dei server AI sta aumentando drasticamente. La potenza di uscita di un singolo server AI è passata dai tradizionali poche centinaia di watt a diversi kilowatt o anche di più, ponendo sfide senza precedenti alla densità di potenza, all'efficienza di conversione e alle capacità di gestione termica degli alimentatori per server.

La serie di MOSFET CoolSiC™ G2 da 750V di seconda generazione di Infineon, che utilizza la tecnologia trench al carburo di silicio (SiC) leader del settore, fornisce soluzioni di semiconduttori di potenza ad alte prestazioni per gli alimentatori per server AI. In qualità di distributore specializzato di componenti elettronici, Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. sta da tempo ricercando attivamente scorte originali di fabbrica di questa serie a prezzi premium da tutto il mondo, fornendo un supporto affidabile alla catena di approvvigionamento dei componenti per la catena industriale dei server AI.

I. CoolSiC™ MOSFET G2: Tecnologia SiC di seconda generazione su misura per i server AI

Il MOSFET CoolSiC™ da 750V di seconda generazione di Infineon si basa su oltre 20 anni di esperienza nella tecnologia del carburo di silicio, offrendo miglioramenti significativi rispetto alla precedente generazione G1 in termini di resistenza allo stato ON, perdite di commutazione, prestazioni termiche e affidabilità.

Vantaggi chiave

1. Resistenza allo stato ON (RDS(on)) ultra-bassa

Il MOSFET CoolSiC™ 750V G2 offre una resistenza allo stato ON ultra-bassa fino a 4 mΩ, riducendo significativamente le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza di conversione di potenza. Le sue prestazioni RDS(on) × Qfr leader del settore e le eccellenti prestazioni RDS(on) × Qoss riducono efficacemente le perdite di commutazione sia nelle topologie a commutazione dura che a commutazione morbida.

2. Prestazioni di commutazione eccezionali

Rispetto alla generazione precedente, i MOSFET CoolSiC™ di seconda generazione offrono un aumento del 25% - 30% della velocità di commutazione e una riduzione del 30% - 40% delle perdite di commutazione. Il rapporto di merito (FOM) è migliorato del 20% - 35% rispetto alla generazione precedente.

3. Eccezionale resistenza al turn-on parassita

Questa serie combina un'elevata tensione di soglia VGS(th) (tipicamente 4,5 V a 25 °C) con un rapporto QGD/QGS ultra-basso, migliorando l'immunità al turn-on parassita (PTO) e garantendo un funzionamento affidabile in condizioni operative complesse.

4. Capacità di pilotaggio del gate estese

Il supporto per tensioni di gate statiche fino a -7 V e tensioni di gate transitorie fino a -11 V offre ai progettisti un maggiore margine di progettazione.

5. Prestazioni termiche eccezionali

Dotato di un innovativo package Q-DPAK raffreddato dall'alto, offre eccellenti prestazioni termiche e affidabilità, con una capacità di dissipazione di potenza fino a circa 20 W. Le prestazioni termiche migliorate supportano temperature operative fino a 200 °C.

6. Elevata garanzia di affidabilità

Test di valanga al 100%

Pienamente conforme allo standard automobilistico AEC Q101 e allo standard industriale JEDEC

Utilizza la tecnologia proprietaria di bonding a diffusione .XT di Infineon

Specifiche tecniche chiave

Tensione di breakdown drain-source: 750 V

Intervallo di resistenza allo stato ON: 4 mΩ - 78 mΩ

Corrente di drain continua: 29 A - 357 A

Tensione di soglia (tipica): 4,5 V a 25 °C

Intervallo di temperatura operativa: -55 °C - 175 °C

II. Potenziamento dei server AI: la scelta ideale per alimentatori ad alta densità di potenza

Gli alimentatori per server AI (SMPS) pongono requisiti estremamente elevati in termini di densità di potenza ed efficienza. Il MOSFET CoolSiC™ G2 da 750V di seconda generazione offre prestazioni eccezionali nelle topologie a commutazione dura come totem-pole, active neutral-point clamping (ANPC), raddrizzatore Vienna e fly-across capacitor (FCC). Nel frattempo, la capacità di uscita (Coss) significativamente ridotta consente un'operatività a frequenza di commutazione più elevata nelle topologie a commutazione morbida come CLLC, double active bridge (DAB) e LLC.

Questa serie è ampiamente utilizzata in:

Unità di alimentazione per server AI (PSU)

Conversione di potenza AC-DC per infrastrutture di telecomunicazioni

Inverter fotovoltaici

Infrastrutture di ricarica per veicoli elettrici

Sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS)

Sistemi di accumulo di energia (ESS)

III. Mingjiada Electronics cerca di acquistare a prezzi premium: gamma completa di modelli CoolSiC™ MOSFET G2 750V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd., in qualità di distributore indipendente autorizzato di componenti elettronici di fama mondiale, sta cercando di acquistare scorte originali della serie CoolSiC™ MOSFET G2 da 750V di seconda generazione di Infineon a prezzi premium su base a lungo termine da tutto il mondo.

Elenco dei modelli ricercati

Mingjiada Electronics sta attualmente cercando di acquistare a livello mondiale i seguenti modelli CoolSiC™ MOSFET G2 750V di grado industriale e automobilistico:

Package Q-DPAK di grado automobilistico:

AIMDQ75R016M2H

AIMDQ75R025M2H

AIMDQ75R060M2H

Package Q-DPAK di grado industriale:

IMDQ75R004M2H

IMDQ75R007M2H

IMDQ75R016M2H

IMDQ75R025M2H

IMDQ75R060M2H

Ulteriori modelli estesi

Inoltre, la serie Infineon CoolSiC™ MOSFET 750V G2 offre anche prodotti in package D2PAK a 7 pin, con resistenze allo stato ON che vanno da 7, 25, 33, 40, 50 a 60 mΩ, nonché package Q-DPAK che coprono 4, 7, 20, 33, 40 e 50 mΩ. I modelli pertinenti includono, ma non sono limitati a:

IMBG75R025M2H (D2PAK-7, 25 mΩ, grado industriale)

IMBG75R007M2H (D2PAK-7, 7 mΩ)

Mingjiada Electronics sta anche cercando di acquistare l'intera gamma dei prodotti sopra menzionati, nonché altre serie di prodotti Infineon CoolSiC™, come moduli di potenza e diodi al carburo di silicio, su base a lungo termine.

Conclusione

Il MOSFET CoolSiC™ G2 da 750V di seconda generazione di Infineon, con le sue prestazioni eccezionali, sta diventando un dispositivo di potenza fondamentale in settori come gli alimentatori per server AI, la ricarica dei veicoli elettrici e le energie rinnovabili. Mingjiada Electronics cerca costantemente di acquistare l'intera gamma dei modelli sopra menzionati a prezzi competitivi da fornitori di tutto il mondo; i clienti con scorte sono invitati a contattarci in qualsiasi momento per discutere le opportunità.

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