Blog dell'azienda Mingjiada Electronics Supplies Transistor MOSFET di potenza Infineon, soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni

Mingjiada Electronics Supplies Transistor MOSFET di potenza Infineon, Soluzioni di alimentazione ad alte prestazioni

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Fornitore a lungo termine di vari prodotti MOSFET ad alte prestazioni di Infineon, tra cui: IRFP4110PBF, IRFB3306GPBF, BSZ440N10NS3G, BSZ520N15NS3G, BSC052N08NS5, ecc., che fornisce soluzioni di dispositivi di alimentazione principali per alimentatori industriali, nuove energie e applicazioni di azionamento motori.

I prodotti della serie MOSFET di potenza Infineon forniti da Mingjiada Electronics coprono un'ampia gamma di tensioni, valori di corrente e requisiti applicativi. Di seguito sono riportate le informazioni pertinenti per i prodotti forniti:
1. IRFP4110PBF: Interruttore di alimentazione ad alta corrente
Parametri di base: Caratterizzato da un package TO-247-3 e un design a canale N, ha una tensione di rottura drain-source di 100 V e una capacità di corrente di drain continua di 180 A, con una bassa resistenza di accensione di 3,7 mΩ.
Caratteristiche di commutazione: Carica di gate (Qg) 150 nC, supporta un'ampia gamma di tensione gate-source da -20 V a +20 V.
Prestazioni termiche: Dissipazione di potenza massima di 370 W a 25°C, intervallo di temperatura di esercizio da -55°C a +175°C.
Vantaggi applicativi: Progettato specificamente per la rettifica sincrona efficiente e gli alimentatori switching ad alta corrente, si comporta eccezionalmente bene nei sistemi UPS e nelle applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza.

2. IRFB3306PBF: Rettifica sincrona ad alta efficienza
Package e caratteristiche elettriche: Package TO-220, tensione drain-source di 60 V, corrente di drain continua di 160 A, resistenza di accensione fino a 3,3 mΩ.
Prestazioni dinamiche: Carica di gate 85 nC, supporta una tensione gate-source di ±20 V, velocità di commutazione elevata, adatta per applicazioni ad alta frequenza.
Gestione termica: Dissipazione di potenza massima di 230 W, resistenza termica giunzione-cassa di soli 0,65°C/W, eccellenti prestazioni di dissipazione del calore.
Scenari applicativi: Particolarmente adatto per circuiti di rettifica sincrona in alimentatori server e SMPS di livello industriale, migliorando la capacità dV/dt del diodo del corpo.

3. BSZ440N10NS3G: Dispositivo a basse perdite di nuova generazione
Innovazione tecnica: Specifiche 100 V/70 A, la tecnologia OptiMOS raggiunge una resistenza di accensione ultra-bassa (valore tipico 4,4 mΩ).
Efficienza di commutazione: Qg significativamente ottimizzato riduce le perdite di commutazione e migliora l'efficienza dell'alimentatore ad alta frequenza.
Vantaggi del package: Utilizza l'imballaggio standard TO-263, compatibile con i processi di assemblaggio automatizzati.
Valore applicativo: particolarmente adatto per convertitori DC-DC e progetti di alimentazione per utensili elettrici (Nota: le caratteristiche dei parametri si basano sulla tecnologia comune della nuova generazione BSZ di Infineon).

4. BSC052N08NS5 & BSZ520N15NS3G: Combinazione ad alta efficienza a media tensione
Caratteristiche BSC052N08NS5: Specifiche 80 V/100 A, resistenza di accensione fino a 5,2 mΩ, con design Qgs ottimizzato.
Caratteristiche BSZ520N15NS3G: Specifiche 150 V/70 A, pilotaggio gate a 15 V, bilanciamento delle perdite di conduzione e delle prestazioni di commutazione.
Comune tecnico: Entrambi adottano il package SuperSO8, offrendo eccellenti prestazioni termiche e alta densità di potenza.
Combinazione applicativa: Fornisce una perfetta copertura di tensione nelle applicazioni OBC per veicoli elettrici e azionamento motori industriali (Nota: le caratteristiche della serie BSZ si basano sull'analisi comune della documentazione tecnica di Infineon).

Per ulteriori informazioni sui transistor MOSFET di potenza Infineon o per richiedere i prezzi di modelli specifici, visitare il sito Web ufficiale di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per verificare i dettagli di fornitura.