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Blog dell'azienda Forniture elettroniche Mingjiada STH13N120K5-2AG - Motori di grado 1200v N-Channel Power Mosfet Per Stmicroelectronics

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Forniture elettroniche Mingjiada STH13N120K5-2AG - Motori di grado 1200v N-Channel Power Mosfet Per Stmicroelectronics
ultime notizie sull'azienda Forniture elettroniche Mingjiada STH13N120K5-2AG - Motori di grado 1200v N-Channel Power Mosfet Per Stmicroelectronics

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fornitureSTH13N120K5-2AG- un MOSFET di potenza di 1200 V a canale N per autoveicoli con un valore tipico di 630 mOhm e confezionamento H2PAK-2

 

Descrizione del prodottoSTH13N120K5-2AG
Il dispositivo STH13N120K5-2AG è un MOSFET ad alte prestazioni a 1200 V a canale N progettato appositamente per applicazioni automobilistiche e industriali, con bassa resistenza, elevata efficienza di commutazione,e eccellente affidabilità.

 

Caratteristiche del prodottoSTH13N120K5-2AG

Capacità di resistenza ad alta tensione: STH13N120K5-2AG supporta una tensione della fonte di scarico di 1200V (VD.S.), adatta ai sistemi di alimentazione ad alta tensione.
Basse perdite di conduzione: STH13N120K5-2AG adotta la tecnologia avanzata SuperMESH TMDS (acceso)e migliora l'efficienza energetica.
Certificazione di grado automobilistico: STH13N120K5-2AG è conforme agli standard AEC-Q101 e soddisfa i severi requisiti degli ambienti elettronici automobilistici.
Forte prestazione di commutazione: STH13N120K5-2AG ottimizza la carica del cancello (Qg), adatto alle applicazioni di commutazione ad alta frequenza.

 

Attributi del prodottoSTH13N120K5-2AG
Produttore: STMicroelectronics
Tipo di prodotto: MOSFET
Tecnologia: Si
Tipo di installazione: SMD/SMT
Imballaggio/scatola: H2PAK-2
Polarità del transistor: canale N
Numero di canali: 1 canale
Voltaggio di rottura della fonte di scarico Vds: 1,2 kV
Id - corrente di scarico continua: 12 A
Rds sulla fonte di scarico sulla resistenza: 690 mOhms
Vgs - Tensione della sorgente di porta: -30 V+,30 V
Vgs th tensione di soglia della sorgente di porta: 3 V
Carica di QG: 44,2 nC
Temperatura minima di funzionamento: -55 °C
Temperatura massima di funzionamento: + 150 °C
Dissipazione di potenza Pd: 250 W
Modalità canale: potenziamento
Qualificazione: AEC-Q101
Marchio: MDmesh
Configurazione: singolo
Tempo di discesa: 18,5 ns
Tempo di risalita: 11 ns
Tipo di transistor: 1 canale N
Tempo di ritardo tipico di spegnimento: 68,5 ns
Tempo di ritardo tipico della connessione: 23 ns

 

Applicazioni tipiche diSTH13N120K5-2AG
Caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici
Modulo di conversione DC-DC
Motori industriali e sistemi di trasformazione
Invertitori fotovoltaici e alimentatori UPS

 

Mingjiada Electronics è in grado di fornire una fornitura stabile e a lungo termine di STH13N120K5-2AG, supportando l'acquisto di campioni e piccoli lotti.Ci assicuriamo che ogni STH13N120K5-2AG sia un prodotto originale di fabbrica e forniamo supporto tecnico completo e garanzia logistica.


Se avete bisogno di specifiche dettagliate o di preventivi perSTH13N120K5-2AG, per favore contatta il team di vendita di Mingjiada Electronics.
Contatto:
Telefono: +86 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Sito web:
www.integrated-ic.com

Tempo del pub : 2025-05-05 10:41:21 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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