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Blog dell'azienda Mingjiada Electronics — Fornitura e riciclo di MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 750V G2 serie IMBG75R di Infineon (per applicazioni server AI)

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Mingjiada Electronics — Fornitura e riciclo di MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 750V G2 serie IMBG75R di Infineon (per applicazioni server AI)
ultime notizie sull'azienda Mingjiada Electronics — Fornitura e riciclo di MOSFET in carburo di silicio CoolSiC™ 750V G2 serie IMBG75R di Infineon (per applicazioni server AI)

Con la crescita esplosiva del consumo energetico guidata da grandi modelli di IA e server ad alte prestazioni, gli alimentatori per server (PSU) si stanno evolvendo verso un'efficienza ultra-elevata, alte frequenze di commutazione e alta densità di potenza. Grazie alle sue eccezionali prestazioni di commutazione e stabilità ad alta temperatura, la serie di MOSFET CoolSiC™ 750V di seconda generazione di Infineon (IMBG75R) è diventata il dispositivo di potenza principale per la prossima generazione di sistemi di alimentazione per server AI.


Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. mantiene uno stock a lungo termine di MOSFET in carburo di silicio Infineon IMBG75R originali su tutta la gamma di prodotti. L'azienda offre anche prezzi premium per il riacquisto di scorte in eccesso e obsolete di questa serie in tutti i settori, fornendo ai clienti nei settori dei server AI, data center, alimentatori industriali e nuove energie servizi di fornitura di componenti di alta qualità e ottimizzazione dell'inventario.


I. Elenco completo dei modelli della serie IMBG75R (fornitura e riacquisto)

La serie IMBG75R utilizza il package a montaggio superficiale PG-TO263-7 (D2PAK-7) con un pin di sorgente indipendente integrato (Kelvin Source), coprendo un intervallo di resistenza allo stato ON (RDS(on)) da 7 mΩ a 60 mΩ per adattarsi a progetti di alimentazione di varie potenze nominali. L'elenco completo dei modelli include:


IMBG75R007M2H

IMBG75R011M2H

IMBG75R016M2H

IMBG75R020M2H

IMBG75R025M2H

IMBG75R033M2H

IMBG75R040M2H

IMBG75R050M2H

IMBG75R060M2H

 

II. Caratteristiche tecniche principali

Questa serie si basa sulla tecnologia CoolSiC™ trench in carburo di silicio di seconda generazione di Infineon, che offre un miglioramento del 20% - 35% nelle metriche chiave del Figure of Merit (FOM) rispetto alla generazione precedente, offrendo i seguenti vantaggi significativi:

Perdite di commutazione ultra-basse: parametri RDS(on)×Qfr, RDS(on)×Qoss e RDS(on)×QG leader del settore riducono significativamente le perdite di potenza sia nelle topologie a commutazione dura che a commutazione morbida, aiutando i sistemi di alimentazione a raggiungere efficienze superiori al 97%.

Elevata robustezza e affidabilità: conformità al test di valanga al 100%, in grado di sopportare condizioni di busbar ad alta tensione superiori a 500 V e di resistere efficacemente agli effetti di conduzione parassita.

Prestazioni termiche eccezionali: utilizzando il processo di bonding a diffusione .XT brevettato da Infineon, offre un'eccellente dissipazione del calore, con una temperatura massima di giunzione operativa di 175 °C (fino a 200 °C per alcuni modelli) e una resistenza termica estremamente bassa.

Design del driver semplificato: un basso rapporto Crss/Ciss combinato con un'alta tensione di soglia del gate VGS(th) supporta la guida del gate unipolare (spegnimento a 0 V), riducendo la complessità del circuito del driver; i pin di sorgente di pilotaggio indipendenti migliorano la condivisione della corrente nelle configurazioni parallele multi-dispositivo ad alta potenza.


III. Applicazioni tipiche: Server AI e Data Center

La serie IMBG75R è specificamente progettata per applicazioni di alimentazione ad alta frequenza, alta tensione e alta potenza, con i server AI come area di applicazione principale:

Alimentatori per server AI (PSU): circuiti boost PFC a totem-pole e convertitori DC-DC risonanti LLC/CLLC, che soddisfano i requisiti di alimentazione istantanea ad alta corrente delle GPU ad alta potenza (come NVIDIA H100 e B200).

Architettura di alimentazione dei data center: alimentatori per server trifase ad alta tensione e conversione DC-DC ad alta/bassa tensione, che aiutano a ridurre la metrica di consumo energetico PUE nei data center.

Accumulo di energia e alimentazione di backup: convertitori di accumulo di energia per data center (PCS) e sistemi di accumulo di energia a batteria (BESS).

Altre applicazioni industriali: inverter fotovoltaici, accumulo di energia commerciale e industriale, moduli di alimentazione per stazioni di ricarica DC, sistemi UPS ad alta potenza, interruttori automatici a stato solido (SSCB), ecc.


IV. Impegno di servizio di Mingjiada

Disponibilità immediata: copertura dell'intera serie IMBG75R; prodotti originali e autentici; supporto sia per campioni che per forniture in blocco.

Riacquisto a lungo termine: offriamo un riacquisto ad alto valore di scorte in eccesso per questa serie e MOSFET CoolSiC™ Infineon simili da produttori, fornitori di soluzioni e produttori a contratto, fornendo valutazioni professionali e termini di liquidazione flessibili.


Si prega di contattare Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. per gli ultimi elenchi di stock, preventivi o richieste relative agli accordi di riacquisto.


Se interessati, si prega di contattare il Sig. Chen telefonicamente:

Cellulare: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Sito web: https://www.integrated-ic.com/

Indirizzo: Stanze 1239-1241, Edificio Guoli, Zhenzhong Road, Distretto di Futian, Shenzhen

Tempo del pub : 2026-09-08 10:30:03 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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