Blog dell'azienda Mingjiada Electronics Supply Infineon Asynchronous SRAM Memoria statica a accesso casuale

Nei settori di fascia alta come il controllo industriale, l'elettronica automobilistica, l'aerospaziale e i dispositivi intelligenti, la stabilità, la velocità di risposta e la resistenza alle interferenze della memoria determinano direttamente la precisione operativa e la durata di vita delle apparecchiature. L'SRAM asincrona, un tipo di memoria statica ad accesso casuale caratterizzata dall'assenza di vincoli di sincronizzazione dell'orologio, da capacità di lettura/scrittura flessibili e da un'eccezionale adattabilità, è diventata un componente di memoria fondamentale nei sistemi embedded di fascia alta e nelle apparecchiature di misurazione e controllo di precisione, grazie ai suoi vantaggi chiave di non richiedere aggiornamenti e di fornire una risposta in tempo reale.

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — con molti anni di esperienza specializzata nella catena di approvvigionamento di componenti elettronici — fornisce da tempo una gamma completa di prodotti SRAM asincroni Infineon. Manteniamo sempre in magazzino una gamma completa di specifiche, comprendente chip originali, e offriamo ai clienti di vari settori soluzioni di approvvigionamento unico, adattamento tecnico e fornitura stabile.

[Infineon] SRAM Asincrona

1. Dettagli:

L'SRAM asincrona fornisce memoria espandibile ad alta velocità e basso consumo con ECC on-chip, adatta per applicazioni automobilistiche e industriali.

L'SRAM asincrona è una memoria volatile ad accesso casuale (RAM) che utilizza circuiti latch basati su trigger per memorizzare ogni bit. I bit di dati vengono conservati in memoria finché viene fornita alimentazione. Infineon offre il portafoglio più completo del settore di prodotti SRAM asincroni, che vanno da 256 KB a 64 MB. L'SRAM asincrona è utilizzata nelle applicazioni di rete, difesa e industriali grazie alla sua elevata affidabilità e al supporto a lungo termine. L'SRAM asincrona MOBL™ è anche una scelta ideale per soluzioni alimentate a batteria e con backup a batteria (BBSRAM), adatta per una serie di applicazioni che richiedono il backup dei dati in caso di interruzione di corrente.

2. Caratteristiche principali:

Tempo di accesso rapido di 10 ns

Basso consumo energetico – PowerSnooze™

Alta affidabilità < 0,1 FIT/Mbit

Serie e specifiche comuni coperte

Le serie comuni di SRAM asincroni Infineon disponibili da Mingjiada Electronics includono CY7C10xx, CY7C11xx, CY621xx e CY62xxx, con modelli tipici come CY7C1019DV33, CY7C1021DV33, CY7C1041DV33, CY62128EV30, CY62146EV30 e CY62167EV30. Le capacità dei prodotti vanno da bassa ad alta densità, con tensioni operative che includono 1,8 V, 2,5 V, 3,3 V e 5 V. I tipi di package includono TSOP, SOIC, BGA e QFP, mentre le classi di velocità coprono 8 ns, 10 ns, 12 ns, 15 ns, 20 ns, 45 ns, 55 ns e 70 ns.

Mingjiada Electronics fornisce memoria SRAM asincrona [Infineon], inclusi ma non limitati ai seguenti:

CY62157G30-45ZXI

CY62157H30-45BVXA

CY62158EV30LL-45BVXI

CY62158EV30LL-45ZSXI

CY7C10612G30-10ZSXI

CY7C1061G-10BVXI

CY62165E-3XWI

CY62167DV30LL-55BVXI

CY62167DV30LL-55ZXI

CY62167ELL-45ZXI

CY62167EV18LL-55BVI

CY62167EV18LL-55BVXI

CY62167EV30LL-45BVXI

CY62167EV30LL-45ZXA

CY62167EV30LL-45ZXI

CY62167G-45BVXI

CY62167G-45ZXI

CY62167G30-45BVXI

CY62167G30-55BVXE

CY7C1061G30-10BV1XE

CY7C1061G30-10BV1XI

CY7C1061G30-10BVJXI

CY7C1061G30-10BVXI

CY7C1061G30-10ZXI

CY7C1061GE-10BVXI

CY7C1061GE30-10BV1XI

CY62126EV30LL-45BVXI

CY62126EV30LL-45ZSXA

CY62126EV30LL-45ZSXI

CY62126EV30LL-55BVXE

CY62126EV30LL-55ZSXE

CY62167GE30-45ZXI

CY62167GN30-45ZXI

CY62168EV30LL-45BVXI

CY62177EV18LL-70BAXI

CY62177EV30LL-55BAXI

CY62177EV30LL-55ZXI

Per ulteriori informazioni sulla memoria SRAM asincrona [Infineon] o per richiedere prezzi di campioni, visitare il sito web di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per ulteriori dettagli sulla fornitura.