Blog dell'azienda Mingjiada Electronics Fornisce Infineon IRF6894MTRPBF: MOSFET HEXFET N-Channel 25V, 1.3mΩ Ultra-Bassa Resistenza On

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. fornisce un'offerta stabile e a lungo termine dell'IRF6894MTRPBF MOSFET di potenza HEXFET a canale N ad alte prestazioni.

IRF6894MTRPBF Panoramica del prodotto
L'IRF6894MTRPBF è un MOSFET a canale N ad alte prestazioni introdotto da Infineon Technologies. Questo dispositivo di potenza, modello IRF6894MTRPBF, utilizza la tecnologia HEXFET avanzata per offrire prestazioni elettriche eccezionali.

Come prodotto chiave nel portfolio di Mingjiada Electronics, l'IRF6894MTRPBF ha ottenuto un ampio riconoscimento sul mercato per la sua ultra-bassa resistenza di 1,3 mΩ. Con una tensione drain-source nominale di 25 V, è una scelta ideale per applicazioni a media-bassa tensione. L'IRF6894MTRPBF utilizza il package DirectFET MX. Questo design unico del package non solo migliora le prestazioni termiche, ma riduce anche l'ingombro del PCB.

Le principali caratteristiche tecniche dell'IRF6894MTRPBF includono:
• Tensione Drain-Source (Vdss): 25V
• Corrente di drain continua (Id): 32A (Ta), 160A (Tc)
• Resistenza on-resistance (Rds(on)): 1.3mΩ @ 33A, 10V
• Tensione di pilotaggio gate: da 4,5 V a 10 V
• Intervallo di temperatura operativa: da -40°C a 150°C (TJ)
• Tipo di package: DirectFET™ MX Surface Mount

Specifiche tecniche dettagliate
Produttore: Infineon Technologies
Codice prodotto: IRF6894MTRPBF
Tipo di dispositivo: MOSFET di potenza a canale N
Piattaforma tecnologica: HEXFET®, DirectFET™
Tensione di rottura (V_DSS): 25V (minimo)
Resistenza on-resistance (R_DS(on)): 1.3mΩ @ V_GS=10V, I_D=20A (tipico)
Corrente di drain continua (I_D): 200A @ T_C=100°C, 320A @ T_C=25°C
Corrente di drain a impulsi (I_DM): 750A @ T_pulse=10μs, V_GS=10V
Tensione di soglia gate (V_GS(th)): 1.6V ~ 2.5V (tipico 2.0V)
Tensione di pilotaggio gate (V_GS): consigliata +10V, massimo ±20V
Carica totale gate (Q_g): 26nC @ V_GS=0V~10V
Carica gate-source (Q_gs): 12nC
Carica gate-drain (Q_gd): 6nC
Capacità di ingresso (C_iss): 6800pF @ V_DS=12.5V
Capacità di uscita (C_oss): 1800pF @ V_DS=12.5V
Capacità di trasferimento inversa (C_rss): 360pF
Carica di recupero inversa (Q_rr): 120nC (tipico)
Energia di valanga (E_AS): 600mJ (impulso singolo)
Corrente di valanga (I_AR): 200A
Temperatura di esercizio: da -55°C a +175°C (temperatura di giunzione)
Tipo di package: DirectFET™ Medium Can
Dimensioni del package: 7.0mm × 6.0mm × 0.7mm
Numero di pin: 7+1 (7 pin funzionali + 1 pad termico)
Resistenza termica (R_thJC): 0.5°C/W (Bottom) + 1.2°C/W (Top)
AEC-Q101: Superato Grade 0
Valutazione ESD: HBM Classe 1C (1000V~2000V)
Stato RoHS: Conforme a RoHS3, Pb-Free
Senza alogeni: Sì

IRF6894MTRPBF Caratteristiche del prodotto:
Utilizza la tecnologia al silicio di nuova generazione di IR
Offre un'efficienza ottimale per applicazioni buck sincrone con ingresso a 12V

IRF6894MTRPBF Applicazioni:
Server di nuova generazione, computer desktop e PC notebook

Informazioni sull'acquisto
Codice prodotto: IRF6894MTRPBF
Produttore: Infineon Technologies
Tipo di dispositivo: MOSFET HEXFET a canale N
Piattaforma tecnologica: DirectFET™ Medium Can
AEC-Q101: Superato Grade 0
Stato RoHS: Conforme a RoHS3, Pb-Free
Quantità minima ordinabile: Supporto flessibile, campioni disponibili
Disponibilità: Disponibile a magazzino, spedizione in giornata
Fascia di prezzo: Prezzi a livelli in base al volume di acquisto

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