Mingjiada Electronics fornisce l'IPB65R110CFDA, un MOSFET di potenza a canale N da 650 V per uso automobilistico di Infineon, parte della serie CoolMOS™ CFDA. Di seguito sono riportate le sue specifiche dettagliate:
Descrizione del prodotto di IPB65R110CFDA
L'IPB65R110CFDA è un MOSFET di potenza a canale N da 650 V/31,2 A sviluppato da Infineon, confezionato in un package PG-TO263-3 (D2PAK-3) e parte della serie CoolMOS™ CFDA. È progettato specificamente per l'elettronica automobilistica, gli alimentatori industriali e le applicazioni di commutazione ad alta frequenza. L'IPB65R110CFDA utilizza la tecnologia Super Junction (SJ), offrendo una bassa resistenza di conduzione, una commutazione rapida e un'elevata stabilità alle alte temperature, rendendolo adatto per applicazioni ad alta affidabilità come i caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli elettrici (EV), i convertitori DC-DC e gli inverter fotovoltaici.
Caratteristiche principali di IPB65R110CFDA
Capacità di alta tensione e alta corrente: tensione di rottura drain-source (Vds) di 650 V e corrente di drain continua (Id) di 31,2 A, che rendono l'IPB65R110CFDA adatto per progetti di alimentazione a commutazione ad alta potenza.
Resistenza di conduzione ultra-bassa (Rds(on)): 110 mΩ (tipica) @ 10 V Vgs, l'IPB65R110CFDA riduce le perdite di conduzione e migliora l'efficienza del sistema.
Prestazioni di commutazione ad alta velocità: tempo di salita di 11 ns, tempo di discesa di 6 ns, riducendo le perdite di commutazione, l'IPB65R110CFDA supporta applicazioni di commutazione ad alta frequenza.
Diodo di corpo veloce integrato: la bassa carica di recupero inverso (Qrr) riduce il rumore di commutazione, migliorando le prestazioni EMI.
Ampio intervallo di temperature di funzionamento: intervallo di temperature di funzionamento da -40°C a +150°C, conforme alla certificazione automobilistica AEC-Q101.
Azionamento del gate ottimizzato: bassa carica del gate (Qg = 118 nC), l'IPB65R110CFDA riduce le perdite di pilotaggio e aumenta la frequenza di commutazione.
Specifiche dettagliate di IPB65R110CFDA
Modello: IPB65R110CFDA
Marca: Infineon
Package: PG-TO263-3 (D2PAK-3)
Tecnologia: CoolMOS™ CFDA (MOSFET Super-Junction)
Tensione Drain-Source (Vds): 650 V
Corrente di Drain Continua (Id): 31,2 A
Resistenza di Conduzione (Rds(on)): 110 (tipica) mΩ
Carica del Gate (Qg): 118 nC
Tensione Gate-Source (Vgs): ±20 V
Tensione di Soglia (Vgs(th)): 3,5 V
Tempo di Commutazione (tr/tf): 11/6 ns
Intervallo di Temperatura di Funzionamento: da -40 a +150 °C
Dissipazione di Potenza (Pd): 277,8 W
Principali applicazioni di IPB65R110CFDA
Sistemi di azionamento per veicoli elettrici (EV)
L'IPB65R110CFDA può essere utilizzato negli inverter a piattaforma ad alta tensione a 800 V per migliorare l'efficienza energetica e ridurre i requisiti di gestione termica.
Alimentatori industriali e inverter fotovoltaici
Adatto per alimentatori a commutazione ad alta frequenza e inverter solari per ridurre la perdita di energia.
Alimentatori per server e data center
L'alta efficienza dell'IPB65R110CFDA ottimizza i convertitori DC-DC a 48 V, aumentando la densità di potenza.
Illuminazione HID e caricabatterie
Utilizza caratteristiche di commutazione rapida per migliorare l'efficienza dei driver LED e dei dispositivi a ricarica rapida.
Azionamenti motore e automazione industriale
L'IPB65R110CFDA è adatto per servocomandi e azionamenti a frequenza variabile, migliorando l'affidabilità del sistema.
Riepilogo
Come MOSFET di potenza da 650 V/31,2 A della serie CoolMOS™ CFDA di Infineon, offre basse perdite di conduzione, commutazione ad alta velocità e stabilità alle alte temperature, rendendolo una scelta ideale per applicazioni come veicoli elettrici, inverter fotovoltaici e alimentatori industriali. Il package PG-TO263-3 dell'IPB65R110CFDA facilita la progettazione del PCB, mentre la certificazione AEC-Q101 garantisce l'affidabilità nell'elettronica automobilistica.
Mingjiada Electronics offre IPB65R110CFDA in stock, con prodotti originali diretti dalla fabbrica e supporto per la consegna rapida.
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