Blog dell'azienda Mingjiada Grande fornitura di Infineon IMZC120R007 MOSFET al carburo di silicio: 1200V/7mΩ, TO-247-4 pacchetto, fornitura in magazzino a Shenzhen

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.(Mingjiada Electronics), in qualità di distributore professionale di componenti elettronici in magazzino, fornisce da tempo MOSFET di carburo di silicio (SiC) della serie CoolSiCTM di Infineon.IMZC120R007(numero completo del modello:IMZC120R007M2H) è uno dei prodotti di punta della piattaforma tecnologica CoolSiCTM di seconda generazione di Infineon.sostenere la consegna rapida di campioni di piccole partite e di grandi volumi di produzione, fornendo ai clienti soluzioni di semiconduttori di potenza efficienti e affidabili.

I. Panoramica del prodotto

IlIMZC120R007è un MOSFET di potenza a carburo di silicio (SiC) 1200V lanciato da Infineon Technologies, appartenente alla serie CoolSiCTM G2 (seconda generazione).Utilizzando la tecnologia avanzata di trench gate e sfruttando l'ampia esperienza di Infineon nel campo del SiC, questo dispositivo raggiunge una resistenza di accensione estremamente bassa (RDS(on)) e velocità di commutazione ultra elevate, offrendo allo stesso tempo un'eccellente stabilità e affidabilità ad alte temperature.

Questo modello utilizza un pacchetto TO-247-4 (fonte Kelvin a quattro pin), che, rispetto ai tradizionali pacchetti a tre pin, riduce significativamente l'induttanza della fonte comune nel circuito di azionamento,migliora notevolmente le prestazioni di commutazione, e riduce le perdite di commutazione, rendendolo particolarmente adatto per applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza e ad alta efficienza.Sfruttando la sua rete di approvvigionamento globale e il centro di distribuzione di Shenzhen, Mingjiada Electronics garantisce la disponibilità di prodotti genuiniIMZC120R007dispositivi in magazzino per soddisfare le esigenze di varie applicazioni industriali e automobilistiche.

II. Caratteristiche e vantaggi principali

Resistenza di accensione ultra-bassa: valore tipico di 7 mΩ (RDS(on)), con un massimo di 9 mΩ (a 25°C), riducendo significativamente le perdite di conduzione e migliorando l'efficienza del sistema

Alta tensione di blocco: 1200 V VDS, conforme ai requisiti della barra di carico ad alta tensione e adatto a veicoli elettrici a 800 V e sistemi fotovoltaici

Basse perdite di commutazione: grazie alle eccellenti caratteristiche di alta frequenza del materiale SiC, le perdite di commutazione sono molto inferiori a quelle delle IGBT a base di silicio con specifiche equivalenti,consentendo frequenze di commutazione più elevate (fino a diverse centinaia di kHz) e riducendo le dimensioni dei componenti passivi

Ampia gamma di temperature di funzionamento: temperatura di giunzione fino a 175°C, soddisfacendo i requisiti di affidabilità a lungo termine in ambienti difficili

TO-247-4 Pacchetto: Il perno di fonte Kelvin elimina l'induttanza di fonte comune nel circuito di azionamento, consentendo transizioni di commutazione più veloci e un suono inferiore, migliorando così l'affidabilità dell'azionamento del cancello

Diodo di corpo integrato: caratterizzato da bassa carica di recupero inverso (Qrr),con una tensione di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza di potenza

Alta resistenza alle valanghe: offre una robusta resistenza alle valanghe, migliorando la robustezza del sistema

Compatibile con le tensioni standard del portello: supporta il portello da 0 V a 18 V (tensione di accensione raccomandata è di 15 V), garantendo la compatibilità con i driver esistenti

Risponde alla norma automobilistica AEC-Q101 (per i modelli di classe automobilistica) o soddisfa i requisiti di affidabilità di classe industriale

III. Specificativi dettagliati

Le seguenti sono le principali specifiche tecniche per l'IMZC120R007 (IMZC120R007M2H):

Tipo di prodotto: MOSFET in carburo di silicio

Pacchetto / Alloggio: PG-TO247-4-U07

Numero di canali: 1 canale

Voltaggio di interruzione della fonte di scarico: 1,2 kV

Id ️ corrente di scarico continua: 201 A

Rds On

Voltaggio della porta-sorgente: -10 V, +25 V

Vgs th ′ tensione di soglia della porta-sorgente: 5,1 V

Qg

Temperatura minima di funzionamento: -55 °C

Temperatura massima di funzionamento: +175 °C

Dissipazione di potenza: 711 W

Marchio: CoolSiC

Configurazione: potenziamento

Tempo di caduta: 33,6 ns

Trasconduttanza verso l'alto Minimo: 60 S

Tempo di risalita: 21,5 ns

Serie: CoolSiC G2

Polarità del transistor: canale N

Tipo di transistor: 1 canale N

Tipo: SiC MOSFET

Ritardo tipico di spegnimento: 76,3 ns

Ritardo tipico di accensione: 32,4 ns

IV. Applicazioni tipiche

Con le sue prestazioni eccezionali di 1200 V/7 mΩ, ilIMZC120R007è adatto a sistemi di conversione di potenza con requisiti estremamente elevati di efficienza, densità di potenza e affidabilità, in particolare:

Stazioni di ricarica per veicoli elettrici: fasi PFC e DC-DC nei moduli di ricarica rapida in CC, che consentono progetti ad alta efficienza e alta densità di potenza

Invertitori fotovoltaici: fasi MPPT e inverter negli inverter a stringa, migliorando l'efficienza del sistema e riducendo le dimensioni

Sistemi di stoccaggio dell'energia (ESS): convertitori bidirezionali DC-DC, che consentono una conversione efficiente dell'energia

Alimentatori industriali: alimentatori di commutazione ad alta potenza quali alimentatori per server, alimentatori per telecomunicazioni e alimentatori per galvanoplastica

Caricabatterie di bordo (OBC) e convertitori DC-DC (che soddisfano i requisiti di affidabilità per l'automobile)

Invertitori di trazione (ausiliari o principali, che devono essere conformi alla norma AEC-Q101)

Fonti di alimentazione ininterrotta (UPS) e filtri di alimentazione attiva (APF)

V. Forniture e servizi

Mingjiada Electronics ha fornito grandi quantità di MOSFET a carburo di silicio Infineon IMZC120R007 per un periodo prolungato.Garantiamo autenticità al 100%., prodotti originali e forniscono i seguenti servizi:

Appalto flessibile: supporta sia gli acquisti di campioni di piccoli lotti che gli ordini di produzione di grandi volumi

Consegna rapida: in magazzino a Shenzhen; spedizione entro 24 ore dall'ordine

Global Logistics: Sfruttando le nostre reti di magazzini a Hong Kong e Shenzhen, supportiamo le spedizioni nazionali e internazionali

Per l'ultimo inventario, i prezzi o per richiedere un preventivo, si prega di visitare il sito Mingjiada Electronics (www.hkmjd.com) o contattare il nostro team di vendita.

Informazioni di contatto:

Mobile: +86 13410018555

Email: sales@hkmjd.com

Indirizzo: stanze 1239-1241, edificio Guoli, strada Zhenzhong, distretto di Futian, Shenzhen, provincia del Guangdong

Tag:IMZC120R007M2H,IMZC120R007M2,IMZC120R007M,IMZC120R007