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Blog dell'azienda Mingjiada Ricarica memoria IC, Ricarica NAND Flash, NOR Flash, memoria SRAM, memoria DRAM

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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—— Nishikawa dal Giappone

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Mingjiada Ricarica memoria IC, Ricarica NAND Flash, NOR Flash, memoria SRAM, memoria DRAM
ultime notizie sull'azienda Mingjiada Ricarica memoria IC, Ricarica NAND Flash, NOR Flash, memoria SRAM, memoria DRAM

Mingjiada Ricicla Chip IC di Memoria, Ricicla NAND Flash, NOR Flash, SRAM Memory, DRAM Memory

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.——Riciclo a lungo termine di Infineon (Infineon), Micron (Micron), SAMSUNG (Samsung) e altri marchi di tutta la gamma di memorie, tra cui: memoria NAND Flash (Flash), memoria NOR Flash (Flash), memoria SRAM, DRAM (Dynamic Random Access Memory), memoria ferroelettrica (F-RAM) e altri prodotti. 

 

La classificazione e i modelli tipici di memorie (Infineon, Micron, SAMSUNG) su cui Mingjiada si concentra per il riciclo:

I. NAND Flash

1. SAMSUNG:

eMMC: KLMAG2JETD-B041, KLMCG8JETD-B041, KLMAG1JETD-B041

UFS: KLUDG4U1EA-B0C1, KLUEG8UHDB-C2D1, KLUFG8RHDA-B2D1 NAND: KY7C10612DV33-10ZSXI (Asynchronous SRAM Compatible), CY62167EV30LL-45ZXI B2D1

NAND: K9F1G08U0D (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC)

2. Micron:

eMMC: MTFC64GAPALBH-IT, MTFDDAK064MAM-1K12

UFS: MT128GAKAECN-IT, MT256GAKAEECN-IT

NAND: MT29F1G08ABAEAWP (SLC), MT29F256G08C08C08EWP (SLC), K9F4G08U0D (MLC), K9GBGD8U0A (TLC). MT29F256G08CUCAB (MLC), MT29F1T08EMHAF (TLC)

3. Infineon:

SLC NAND: S34ML01G100TFI000, S34ML02G100TFI000, S34ML04G100TFI000 (Industrial Grade/High Reliability)

 

II. NOR Flash

Infineon:

Serial (SPI) NOR: S25FL128SAGNFI000, S25FL256SAGNFI000, S25FL512SAGBHIFI0

Parallel NOR: S29GL01GP10TFI010, S29GL512P11TFI010, S29GL512P11TFI010 (industrial grade/high reliability). S29GL512P11FFI010, S29GL01GS10TFI010

Automotive NOR: S25FL-A series (e.g. S25FL256LAGNFI000), S26KS series (HyperFlash)

 

III. SRAM & Other Speciality Memory

Infineon:

Asynchronous SRAM: CY62167EV30LL-45ZXI, CY62148ELL-45ZSXI

Synchronous SRAM (QDR II+/IV, DDR II/III): CY7C15632KV18-550BZI (QDR IV), CY7C1515KV18-550BZC (DDR III) Non-Volatile SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI (DDR III) CY7C1515KV18-550BZC (DDR III)

Non-Volatile SRAM (nvSRAM): CY14B101PA-SFXI, CY14E101LA-SFXI

Ferroelectric Memory (FRAM): FM25V20A-G, FM28V020-SG

 

IV. DRAM (Dynamic Random Access Memory)

1. SAMSUNG:

DDR4: K4A8G165WC-BCTD, K4AAG165WA-BCTD, K4A4G165WF-BCTD, M393A4K40BB M393A4K40BB1-CRC

DDR3: K4B4G1646E-BCMA, K4B2G1646Q-BCK0

LPDDR4/LPDDR4X: K4U6E3S4AA-MGCL, K3LKBKB0BM-MGCP, K3UH7H7HMMDGLPD

GDDR6: K4ZAF325BM -HC14 (Memory)

2. Micron:

DDR4: MT40A1G8SA-062E:R, MT40A2G8VA-062E:R, MT40A512M16LY-062E:R

DDR3: MT41K512M8DA-107:AUT, MT41J256M16HA-125:E

LPDDR4/ LPDDR4X: MT53E1G32D4DT-046:AAT, MT53D512M32D4DT-046:AAT

3. Infineon:

DRAM: CY7C10612DV33-10ZSXI (Asynchronous SRAM compatible), CY62167EV30LL-45ZXI

 

Fonti di canali formali: Mingjiada Electronics ricicla solo fonti di canali formali, come agenti, commercianti, fabbriche terminali, ecc. Non accettiamo fonti di canali informali.

Caratteristiche del servizio: Mingjiada Electronics offre una varietà di servizi come vendita, spedizione, sdoganamento, ecc. Abbiamo una ricca esperienza nel riciclo, una forte forza, fondi abbondanti e prezzi di riciclo ragionevoli.

 

Se hai un inventario di memorie o altri componenti elettronici da smaltire, visita il sito Web ufficiale di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per i dettagli sul riciclo.

Tempo del pub : 2025-07-14 16:12:24 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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