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Riciclo di chip di memoria DRAM Samsung Mingjiada, Riciclo serie DDR3/DDR4, serie LPDDR, serie HBM

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. Con anni di specializzazione nel riciclo di componenti elettronici, Mingjiada sfrutta capacità di valutazione professionale, sistemi di prezzo trasparenti e servizi di recupero efficienti per concentrarsi sul riciclo dell'intera gamma di memorie DRAM Samsung. Questo supporta le imprese nel rivitalizzare asset inattivi e nel raggiungere il riciclo delle risorse.

Nel settore dello storage a semiconduttore, Samsung si posiziona come leader globale nella ricerca, sviluppo e produzione di memorie DRAM. I suoi prodotti, rinomati per prestazioni eccezionali, compatibilità stabile e ampia adattabilità, servono molteplici domini chiave tra cui l'elettronica di consumo, i sistemi di controllo industriale, l'elettronica automobilistica e i data center server.

I. Memorie DRAM serie DDR
La serie DDR costituisce la categoria principale delle memorie DRAM Samsung. Categorizzata per generazione come DDR3, DDR4 e DDR5, è principalmente impiegata in computer desktop, laptop, server, workstation e apparecchiature simili.
Modelli chiave per il riciclo:
- Serie DDR3: K4B4G0846E-BCNB, K4B4G1646E-BCNB, K4B1G1646I-BYNB, K4B2G1646F-BYNB, K4B8G0846D-MMMA, K4B8G1646D-MMMA, M378A1G43AB1-CWE (modulo UDIMM), M393A2G40AB2-CWE (modulo RDIMM), ecc., coprendo capacità da 1Gb, 2Gb, 4Gb e 8Gb.
- Serie DDR4: K4A8G165WC-BCTD, K4A8G165WB-BCTD, K4A16G165WB-BCTD, M378A4G43AB2-CWE, M393A8G40AB2-CWE, M393A1G43AB1-CWE, con capacità che vanno da 4Gb a 32Gb.
- Serie DDR5: K4A16G165WA-BCWE, K4A32G165WB-BCWE, M324A4G43AB2-CWE (UDIMM), M393A16G40AB2-CWE (RDIMM), con capacità che vanno da 8Gb a 64Gb.

II. Memorie DRAM serie LPDDR
La serie LPDDR (Low Power DDR) rappresenta le memorie DRAM Samsung specificamente progettate per dispositivi mobili. Caratterizzata da basso consumo energetico, fattore di forma compatto e alta integrazione, è principalmente impiegata in terminali mobili come smartphone, tablet, smartwatch, sistemi di infotainment automobilistico e dispositivi IoT. Per generazione, comprende LPDDR3, LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR5 e LPDDR5X. Tra queste, LPDDR4X, LPDDR5 e LPDDR5X rappresentano le attuali configurazioni mainstream per i dispositivi mobili.
Modelli mainstream riciclabili:
- Serie LPDDR3: K3L2G100DB-BGCK, K3L8G100DB-BGCK, K3L16G100DB-BGCK, coprendo capacità da 1Gb a 8Gb.
- Serie LPDDR4/LPDDR4X: K3L32G10BM-BGCK (LPDDR4), K3L64G18BM-BGCK (LPDDR4X), K3L128G18BM-BGCK (LPDDR4X), con capacità che vanno da 4Gb a 128Gb.
- Serie LPDDR5/LPDDR5X: K3L128G22BM-BGCK (LPDDR5), K3L256G22BM-BGCK (LPDDR5), K3L512G22BM-BGCK (LPDDR5X), con capacità che vanno da 8Gb a 512Gb.

III. Memorie DRAM serie HBM (High Bandwidth Multilayer)
HBM (High Bandwidth Memory) rappresenta la soluzione di memoria DRAM impilata premium di Samsung. Utilizzando la tecnologia di impilamento 3D, offre larghezza di banda ultra-elevata, bassa latenza e fattori di forma compatti. Principalmente impiegata in server AI di fascia alta, supercomputer, controller di dominio per la guida autonoma e schede grafiche di fascia alta – dove prevalgono esigenze di larghezza di banda estrema – è categorizzata per generazione in HBM2, HBM2e e HBM3. Questa tecnologia costituisce il componente di memoria principale per le moderne apparecchiature a semiconduttore di fascia alta.
Modelli di riciclo mainstream:
- Serie HBM2: H5AN8G8NAFR-VKC, H5AN8G8NAFR-VKC, H5AN16G8NAFR-VKC. La capacità varia da 4Gb a 16Gb, con larghezza di banda fino a 256GB/s.
- Serie HBM2e: H5AN16G8NAFR-VKC, H5AN32G8NAFR-VKC, con capacità che vanno da 8Gb a 32Gb e larghezza di banda fino a 307GB/s.
- Serie HBM3: H5AN32G8NAFR-VKC, H5AN64G8NAFR-VKC, coprendo capacità da 16Gb a 64Gb con larghezza di banda fino a 512GB/s.

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