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Blog dell'azienda Fornitura di Mingjiada Stock: Transistor IGBT Infineon IKQ50N120CH3 originale con diodo integrato, adatto per applicazioni UPS/Accumulo di energia

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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Fornitura di Mingjiada Stock: Transistor IGBT Infineon IKQ50N120CH3 originale con diodo integrato, adatto per applicazioni UPS/Accumulo di energia
ultime notizie sull'azienda Fornitura di Mingjiada Stock: Transistor IGBT Infineon IKQ50N120CH3 originale con diodo integrato, adatto per applicazioni UPS/Accumulo di energia

Mingjiada Electronics fornisce IKQ50N120CH3, un transistor IGBT ad alte prestazioni introdotto da Infineon. Questo prodotto incorpora un diodo integrato, offrendo prestazioni di commutazione e affidabilità eccezionali, adatto a diverse applicazioni tra cui UPS e sistemi di accumulo di energia.

 

Descrizione del prodotto di IKQ50N120CH3
Mingjiada Electronics fornisce transistor IGBT IKQ50N120CH3 originali e autentici. Questo chip è un transistor bipolare a gate isolato (IGBT) ad alte prestazioni di Infineon, dotato di un diodo anti-parallelo integrato e caratterizzato da alta efficienza e basse perdite.

 

L' IKQ50N120CH3 utilizza la tecnologia IGBT di terza generazione, combinando l'alta impedenza di ingresso dei MOSFET con la bassa caduta di tensione nello stato di conduzione dei transistor BJT. Il dispositivo supporta una tensione collettore-emettitore fino a 1200 V e una corrente di collettore continua di 100 A, con una capacità di corrente di impulso che raggiunge i 200 A, soddisfacendo le esigenze di applicazioni industriali rigorose.

 

Caratteristiche del prodotto di IKQ50N120CH3
Valore nominale di alta tensione e alta corrente: l'IKQ50N120CH3 offre una tensione nominale di 1200 V e una corrente nominale di 50 A, soddisfacendo le esigenze di applicazioni ad alta potenza.
Diodo integrato: questo IGBT incorpora un diodo inverso-parallelo, semplificando la progettazione del circuito e migliorando l'affidabilità e l'efficienza del sistema.
Commutazione ad alta velocità: operando all'interno di un intervallo di frequenza di commutazione da 18 kHz a 60 kHz, l'IKQ50N120CH3 consente operazioni di commutazione rapide, riducendo al minimo la dissipazione di energia.
Tipo di package: utilizzando un package TO-247, l'IKQ50N120CH3 facilita una gestione termica efficiente e un'installazione semplice, rendendolo adatto a diversi scenari applicativi.

 

Aree di applicazione
L'
IKQ50N120CH3 transistor IGBT è idealmente adatto per le seguenti aree di applicazione:
Gruppo di continuità (UPS): fungendo da dispositivo di commutazione principale negli inverter e nei raddrizzatori dei sistemi UPS ad alta potenza, l'IKQ50N120CH3 offre una conversione di potenza efficiente, garantendo un'alimentazione ininterrotta ai carichi critici.
Sistemi di accumulo di energia (ESS): all'interno dei convertitori di potenza bidirezionali (PCS) per i sistemi di accumulo a batteria, l'IKQ50N120CH3 consente un'efficiente conversione da CC a CA, supportando la gestione della carica e della scarica.
Azionamenti per motori industriali: adatto per applicazioni di controllo motori industriali come inverter e servocomandi, l'IKQ50N120CH3 offre un'uscita di potenza ad alta efficienza e un controllo motore affidabile.
Energia rinnovabile: all'interno di inverter solari e convertitori eolici, l'IKQ50N120CH3 converte in modo efficiente l'elettricità CC generata da fonti rinnovabili in energia CA compatibile con la rete.
Apparecchiature industriali di riscaldamento e saldatura: impiegato in alimentatori per riscaldamento a induzione e saldatura, l'IKQ50N120CH3 offre capacità di commutazione ad alta potenza.

 

Perché scegliere Mingjiada Electronics
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Tempo del pub : 2025-08-30 10:19:27 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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