Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. è un fornitore professionale di transistor GaN HEMT Infineon, che offre transistor GaN HEMT della serie Infineon CoolGaN™ nuovi di zecca e originali in stock. La nostra gamma di prodotti copre l'intera gamma di tensioni da 40V a 850V, comprese le serie G3 a media tensione, le serie G5 ad alta tensione, gli interruttori bidirezionali (BDS) e i dispositivi di grado automobilistico, fornendo supporto per l'approvvigionamento di dispositivi di potenza GaN "one-stop" per clienti nei settori della ricarica rapida, dei data center, degli inverter fotovoltaici, dei veicoli a nuova energia e degli alimentatori industriali.
I. Serie di prodotti principali Infineon GaN HEMT fornite da Mingjiada
CoolGaN™ di Infineon è uno dei pochi portafogli di prodotti GaN HEMT nel settore che copre applicazioni sia a media/bassa tensione che ad alta tensione, offrendo anche opzioni di grado automobilistico. Mingjiada mantiene in stock le seguenti serie e supporta sia richieste di campioni in piccoli lotti che consegne per la produzione di massa.
1. Serie CoolGaN™ G5 ad alta tensione (650V/700V)
Basata sulla tecnologia Gate Injection Transistor (GIT), la serie G5 è progettata per applicazioni ad alta tensione nei settori industriale e delle nuove energie. Offre un miglioramento dell'efficienza del 3%-5% rispetto alle soluzioni tradizionali basate sul silicio e supporta la commutazione ad alta frequenza a livello di MHz. Secondo i dati ufficiali di Infineon, i prodotti G5 da 650V presentano resistenze di accensione comprese tra 25 mΩ e 140 mΩ e una corrente di drain continua massima fino a 70 A. Le opzioni di package includono TOLL, TOLT, DSO TSC, DFN 8×8 e ThinPAK 5×6.
Mingjiada mantiene in stock i seguenti modelli G5 rappresentativi:
Modello Package Parametri chiave
IGT65R025D2 TOLL 650V / 70A / 25mΩ
IGT65R035D2 TOLL 650V / 49A / 35mΩ
IGT65R045D2 TOLL 650V / 38A / 45mΩ
IGT65R140D2 TOLL 650V / 13A / 140mΩ
IGLD65R055D2 DFN 8×8 650V / 28A / 55mΩ
2. Serie CoolGaN™ 600V di grado industriale (e-mode HEMT)
Il GaN HEMT e-mode da 600V è la linea di prodotti ad alto volume di Mingjiada per alimentatori per data center, SMPS per server, raddrizzatori per telecomunicazioni e applicazioni di ricarica wireless. Questa serie presenta una struttura migliorata (normalmente spenta) senza carica di recupero inverso, un tempo di salita di soli 9 ns, un tempo di discesa di 13 ns e un intervallo di temperatura di giunzione operativa da -55°C a +150°C.
I modelli rappresentativi di Mingjiada nella serie da 600V includono:
IGO60R070D1: 600V / 31A / 70mΩ, package DSO-20, adatto per topologie half-bridge a commutazione dura e soft-switching come totem-pole PFC e LLC ad alta frequenza.
IGOT60R070D1: Package DSO-20 raffreddato dall'alto, adatto per progetti di gestione termica ad alta densità di potenza.
IGLD60R070D1: Package LSON-8, progettato per adattatori compatti e ricarica rapida.
IGT60R190D1: Package HSOF-8, rating 190 mΩ, adatto per alimentatori industriali di media potenza.
IGLR60R340D1: Rating 340 mΩ, adatto per alimentatori ausiliari sensibili al costo e applicazioni a bassa potenza.
IGLR60R260D1: GaN HEMT e-mode da 600V, progettato per conversioni ad alta frequenza ed alta efficienza.
IGI60F1414A1L: Stadio di potenza intelligente CoolGaN™ da 600V con gate driver integrato, 140 mΩ, package QFN-28 8×8 mm, che semplifica la progettazione del sistema e i circuiti di protezione.
3. Serie CoolGaN™ G3 a media tensione (40V–120V)
La serie G3 è progettata per applicazioni a media e bassa tensione come sistemi automobilistici a 48V, ricarica rapida USB-C, azionamenti motore e alimentatori per telecomunicazioni. Presenta un package RQFN 5×6 / 3.3×3.3 compatibile con i layout dei MOSFET basati su silicio, con resistenze di accensione fino a 1,1 mΩ a 2,3 mΩ. I modelli da 40V con interruttore bidirezionale (BDS) possono sostituire i MOSFET tradizionali back-to-back, risparmiando il 50%-75% di spazio sul PCB.
Modello rappresentativo: IGO60R070D1 (elencato anche per applicazioni di interruttori bidirezionali da bassa a media tensione); per una tabella di selezione completa di modelli G3 specifici da 40V/100V, si prega di contattare il team di vendita Mingjiada.
4. Interruttore bidirezionale CoolGaN™ (BDS) — Conduzione/Blocco bidirezionale su singolo chip
Il CoolGaN™ BDS di Infineon è il primo dispositivo GaN bidirezionale a modalità di miglioramento integrato su singolo chip del settore. Sostituisce l'architettura tradizionale dell'interruttore bidirezionale "a quattro dispositivi in parallelo" con un singolo dispositivo, riducendo significativamente il distinte di materiali e l'ingombro del PCB.
Modelli rappresentativi forniti da Mingjiada:
IGLT65R055B2: BDS industriale ad alta tensione da 650V in package TOLT (Top-Out-Through), con immunità ai picchi di 850V; adatto per stazioni di ricarica bidirezionali, PCS di accumulo di energia, interruttori automatici a stato solido e convertitori DC-DC bidirezionali.
IGK080B041S: BDS per uso generale a bassa tensione da 40V in package chip-scale, progettato per applicazioni di commutazione bidirezionale miniaturizzate nell'elettronica automobilistica e di consumo.
5. Serie CoolGaN™ di grado automobilistico (100V/600V, AEC-Q101)
Infineon ha introdotto GaN HEMT certificati AEC-Q101 per sistemi automobilistici a 48V e caricabatterie di bordo. Mingjiada offre la serie automobilistica da 100V, adatta per controller di zona, convertitori DC-DC principali, sistemi ausiliari ad alte prestazioni e amplificatori audio di Classe D; fornisce anche GaN HEMT e-mode da 600V che soddisfano gli standard automobilistici (come IGOT60R070D1AU, IGO60R070D1AU, ecc.).
II. Perché scegliere Mingjiada per l'approvvigionamento di Infineon GaN HEMTs
Direttamente dal produttore, nuovi di zecca e originali. Tutti i prodotti CoolGaN™ Infineon presso Mingjiada provengono direttamente dal produttore o da canali autorizzati, garantendo l'assenza di parti ricondizionate o sfuse. Ogni chip viene sottoposto a ispezione di qualità per garantire l'affidabilità a lungo termine dei dispositivi di potenza.
Linea di prodotti completa in stock, con consegna rapida. Operazioni coordinate tra i doppi magazzini di Shenzhen e Hong Kong mantengono uno stock di sicurezza strategico per i modelli CoolGaN™ più diffusi. Le spedizioni nazionali vengono evase entro 48 ore, supportando il passaggio flessibile da campioni di ricerca e sviluppo a ordini di produzione di massa, il che riduce significativamente il time-to-market dei clienti.
Competitività dei prezzi guidata dagli acquisti in volume. Sfruttando la nostra profonda partnership con Infineon e i vantaggi degli acquisti in blocco, Mingjiada offre prezzi a scaglioni e servizi di blocco dei prezzi a lungo termine per aiutare i clienti a controllare i costi BOM durante la fase di implementazione della soluzione GaN.
III. Scenari applicativi tipici
I GaN HEMT CoolGaN™ di Infineon sono già stati adottati dalla base clienti di Mingjiada nei seguenti scenari principali:
Ricarica rapida e adattatori: i dispositivi e-mode da 600V e a media tensione G3 sono utilizzati in alimentatori QR flyback ad alta frequenza, totem-pole PFC e USB-C PD, consentendo progetti compatti e ad alta densità di potenza.
Alimentatori per data center e server: la serie G5 da 650V è utilizzata in SMPS per server con rating Titanium e distribuzione di alimentazione DC ad alta tensione, con perdite di commutazione significativamente inferiori rispetto ai MOSFET super-junction basati su silicio.
Inverter fotovoltaici e accumulo di energia: i dispositivi G5 da 650V sono utilizzati nello stadio DC-AC degli inverter di stringa e dei PCS di accumulo di energia, aumentando l'efficienza a oltre il 98%.
Veicoli a nuova energia: i GaN di grado automobilistico da 100V/600V sono utilizzati in OBC, convertitori DC-DC e controller di zona da 48V, soddisfacendo i requisiti di affidabilità AEC-Q101.
Azionamenti motore industriali e interruttori automatici a stato solido: gli interruttori bidirezionali BDS sono utilizzati per il controllo avanti/indietro del motore, relè a stato solido e conversione di potenza bidirezionale, semplificando la topologia con un'architettura a singolo chip.
IV. Contatta Mingjiada per la selezione e i preventivi di GaN HEMT
Per verificare la disponibilità attuale dei modelli sopra elencati, ottenere una tabella di selezione completa o richiedere campioni gratuiti, si prega di contattare Mingjiada Electronics:
Contatto: Sig. Chen
Telefono / WeChat: +86 0755-83294757 / 13410018555
Email: sales@hkmjd.com
Indirizzo: Stanze 1239-1241, New Asia Guoli Building, Zhenzhong Road, Distretto di Futian, Shenzhen, Provincia del Guangdong
Mingjiada fornisce anche gate driver GaN specifici di Infineon (come la serie GaN EiceDRIVER™) e MOSFET SiC, supportando l'ordinazione "one-stop" per soluzioni ibride GaN+SiC.
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