Mingjiada SupplyEVAL-2ED21814Scheda di valutazione, per testare la funzionalità e le caratteristiche del gate driver 2ED21814S06F
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Fornitore a lungo termine di [Infineon]EVAL-2ED21814 scheda di valutazione: Progettata per testare la funzionalità e le caratteristiche del driver 2ED21814S06F. I dettagli del prodotto per la scheda di valutazione EVAL-2ED21814 sono i seguenti:
EVAL-2ED21814 incorpora un circuito integrato driver induttore, il 2ED21814S06J, insieme a due MOSFET, gli IPP60R280P7, configurati in una disposizione a mezzo ponte. Questa scheda di valutazione è progettata per testare la funzionalità fondamentale e le caratteristiche principali dei driver induttori Silicon-on-Insulator (SOI) di Infineon. Gli utenti possono valutare le prestazioni dell'ingresso di uscita PWM, esaminare il ritardo di propagazione, la capacità di corrente e il comportamento ad alta frequenza di commutazione. La scheda di valutazione EVAL-2ED21814 facilita i test a doppio impulso.
Nome del prodotto: EVAL-2ED21814 (Scheda di valutazione)
Topologia: Mezzo ponte
Tensione di esercizio fino a: 650 V
Tensione di alimentazione (max): 25 V
Ritardo di propagazione: 200 ns
IC/Parti utilizzate: 2ED21814S06F
Immagine del prodotto EVAL-2ED21814:
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Caratteristiche del prodotto EVAL-2ED21814:
Utilizza la tecnologia SOI di Infineon
100 V di tensione negativa con immunità ai transienti
Guasto bootstrap a bassa resistenza integrato
Progettato specificamente per il funzionamento bootstrap
Blocco di sottotensione (UVLO)
Tensione di funzionamento logica fino a –11 V sul pin VS
Massa logica e massa di alimentazione separate
Vantaggi del prodotto EVAL-2ED21814:
Costi BOM ridotti e risparmio di spazio
Riduzione del 50% delle perdite di level-shifting
Eccellente robustezza e immunità al rumore
Adatto per apparecchiature di alimentazione ad alta corrente
Adatto per applicazioni ad alta frequenza
EVAL-2ED21814 Prodotto supportato (2ED21814S06F), Descrizione dettagliata:
2ED21814S06F – 650V, 2.5A driver di gate high-side e low-side ad alta corrente in package DSO-14, con diodo bootstrap integrato
1. Panoramica:
Il 2ED21814S06F è un driver di gate high-side e low-side da 650 V con caratteristiche di alta corrente e alta velocità per pilotare MOSFET e IGBT, con correnti di sink e source tipiche di 2,5 A in un package DSO-14. Basato sulla tecnologia SOI di Infineon, il dispositivo mostra eccezionale robustezza e immunità alle tensioni transitorie negative sul pin VS. L'assenza di strutture a tiristori parassiti impedisce l'aggancio parassita in tutte le condizioni di temperatura e tensione.
2. Caratteristiche:
Tensione di esercizio (nodo VS) < +650 V
Immunità ai transienti VS negativi: 100 V
Diodo bootstrap ultraveloce integrato
Separazione pin alta/bassa tensione
Massa logica e di alimentazione indipendenti
Canale flottante per il funzionamento bootstrap
Tensione di alimentazione massima 25 V
UVLO indipendente a due canali
Ritardo di propagazione 200 ns
Logica di ingresso HIN, LIN
Funzionamento logico sul pin VS fino a -11 V
Tolleranza alla tensione di ingresso negativa fino a -5 V
Mingjiada Electronics mantiene la fornitura a lungo termine della scheda di valutazione [Infineon] EVAL-2ED21814. Per ulteriori informazioni sul prodotto relative all'EVAL-2ED21814 o per richiedere campioni, visitare il sito Web ufficiale di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per dettagli completi sulla fornitura.
Persona di contatto: Mr. Sales Manager
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