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Blog dell'azienda Mingjiada Fornisce SRAM Sincrone QDR® II CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 E CY7C1514 di Infineon

Certificazione
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
Rassegne del cliente
È stato spedito molto velocemente e molto utile, nuovo ed originale, altamente raccomanderebbe.

—— Nishikawa dal Giappone

Servizio professionale e veloce, prezzi accettabili per le merci. comunicazione eccellente, prodotto come previsto. Altamente raccomando questo fornitore.

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Alta qualità e prestazioni affidabili: "I componenti elettronici che abbiamo ricevuto da [ShenZhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.] sono di alta qualità e hanno dimostrato prestazioni affidabili nei nostri dispositivi".

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Mingjiada Fornisce SRAM Sincrone QDR® II CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 E CY7C1514 di Infineon
ultime notizie sull'azienda Mingjiada Fornisce SRAM Sincrone QDR® II CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 E CY7C1514 di Infineon

Mingjiada fornisce memoria SRAM sincrona Infineon CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 e CY7C1514 QDR® II

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.¢ specializzata nella memoria SRAM sincrona Infineon QDR® II; disponiamo della gamma completa di dispositivi di memoria statici ad accesso casuale CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512 e CY7C1514,sostenere sia gli acquisti di campioni che gli ordini in blocco, e adatto per applicazioni di cache di comunicazione ad alta velocità.

 

[Infineon] QDR® II SRAM sincrona

1. Dettagli: le SRAM CY7C1510KV18, CY7C1525KV18, CY7C1512KV18 e CY7C1514KV18 sono tutte SRAM a tubo sincrono a 1,8 V dotate dell'architettura QDR II.L'architettura QDR II comprende due porte separate: una porta di lettura e una porta di scrittura per l'accesso alla matrice di memoria.mentre la porta di scrittura ha un ingresso dati dedicato per supportare le operazioni di scrittura.

2Configurazione:

- CY7C1510KV18: 18 Mbit, 1 M × 18 bit

- CY7C1525KV18: 72 Mbit, 2 M × 36 bit

- CY7C1512KV18: 36 Mbit, 2 M × 18 bit

- CY7C1514KV18: 72 Mbit, 4 M × 18 bit

3Caratteristiche chiave:

Porte di lettura e scrittura dei dati separate e indipendenti

Sostegno alle operazioni concomitanti

Clock a 350 MHz, che consente il trasferimento di dati ad alta larghezza di banda

Tutti gli accessi sono di due parole.

Interfacce a doppia velocità di trasmissione (DDR) su porte di lettura e di scrittura, che consentono una velocità di trasferimento di dati di 700 MHz a 350 MHz

Due orologi di ingresso (K e K) per consentire una tempistica precisa del DDR

Disponibile in configurazioni ×8, ×9, ×18 e ×36.

Piena coerenza dei dati, garantendo la fornitura dei dati più recenti

VDD di base = 1,8 V (±0,1 V); I/O VDDQ = 1,4 V a VDD

Supporta alimentatori I/O da 1,5 V e 1,8 V

Buffer di uscita HSTL con capacità di azionamento regolabile

 

Mingjiada Electronics fornisce a [Infineon] memoria SRAM sincrona QDR® II, comprese, a titolo esemplificativo, le seguenti:

CY7C1512KV18-350BZC

CY7C1512KV18-333BZC

CY7C1514KV18-333BZC

CY7C1525KV18-333BZXC

CY7C1512KV18-333BZXC

CY7C1514KV18-333BZXC

CY7C1512KV18-333BZI

CY7C1514KV18-333BZI

CY7C1512KV18-333BZXI

CY7C1514KV18-333BZXI

CY7C1525KV18-300BZC

CY7C1512KV18-300BZC

CY7C1514KV18-300BZC

CY7C1525KV18-300BZXC

CY7C1512KV18-300BZXC

CY7C1514KV18-300BZXC

CY7C1512KV18-300BZI

CY7C1514KV18-300BZI

CY7C1512KV18-300BZXI

CY7C1514KV18-300BZXI

CY7C1525KV18-250BZC

CY7C1512KV18-250BZC

CY7C1514KV18-250BZC

CY7C1525KV18-250BZXC

CY7C1512KV18-250BZXC

CY7C1514KV18-250BZXC

CY7C1512KV18-250BZI

CY7C1514KV18-250BZI

CY7C1525KV18-250BZXI

CY7C1512KV18-250BZXI

CY7C1514KV18-250BZXI

 

Per ulteriori informazioni su [Infineon] CY7C1510, CY7C1525, CY7C1512, CY7C1514https://www.integrated-ic.com/) per ulteriori dettagli sull'approvvigionamento.

Tempo del pub : 2026-09-14 10:24:22 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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