Blog dell'azienda Mingjiada Supply Infineon F-RAM RAM ferroelettrica, Supply Serial F-RAM Memory, Parallel F-RAM Memory

Mingjiada Supply Infineon F-RAM RAM ferroelettrica, Supply Serial F-RAM Memory, Parallel F-RAM Memory

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. - fornitore di lunga data dell'intera gamma di prodotti di memoria Infineon, compresa la RAM ferroelettrica seriale (F-RAM) e la RAM ferroelettrica parallela (F-RAM).Questi dispositivi combinano le capacità di lettura / scrittura ad alta velocità della RAM con la non volatilità della ROM■ i loro principali vantaggi sono l'alta velocità di scrittura, il basso consumo energetico e la resistenza di lettura/scrittura praticamente illimitata.Mingjiada Electronics mantiene lo stock di modelli tradizionali e supporta sia campioni di piccoli lotti che ordini di grandi volumi; sostenuti da un efficiente sistema logistico, assicuriamo una rapida consegna dei prodotti.

F-RAM (memoria ferroelettrica a accesso casuale o FeRAM)è una memoria indipendente non volatile che acquisisce e conserva istantaneamente i dati critici in caso di interruzione di corrente.come controllori logici programmabili ad alte prestazioni (PLC) che richiedono un'elevata affidabilità, di controllo e di throughput, o di dispositivi di monitoraggio del paziente progettati per migliorare la qualità della vita.

Mingjiada Electronics fornisce i seguenti dispositivi di memoria ferroelettrica F-RAM seriali Infineon:
FM25V02A-G: 256-Kbit (32K × 8) RAM ferroelettrica seriale (F-RAM) con interfaccia SPI che opera fino a 40 MHz.

FM25V05-G: F-RAM seriale da 512 Kbit (64 K × 8) con memoria non volatile altamente resistente, funzionante da 2,0 V a 3,6 V, con un intervallo di temperatura da 40 °C a +85 °C, una frequenza di bus SPI fino a 40 MHz,e supporto per le modalità 0 e 3.

FM25V10-G: memoria F-RAM seriale da 1 Mbit (128K × 8) con interfaccia SPI, che funziona da 2,0 V a 3,6 V, supporta una frequenza di clock SPI fino a 40 MHz, con NoDelayTM write per l'archiviazione istantanea dei dati.

FM25V20A-DG: 2-Mbit (256K × 8) memoria F-RAM seriale, utilizzando una tecnologia ferroelettrica avanzata, con una tensione di funzionamento da 2,0 V a 3,6 V e un intervallo di temperatura da 40 °C a +85 °C.Supporta un'interfaccia SPI con una velocità massima di 40 MHz e NoDelayTM di scrittura della velocità del bus.

FM25V20A-DGQ: memoria F-RAM seriale da 2 Mbit (256 K × 8) con capacità di temperatura estesa, funzionante da 2,0 V a 3,6 V, con capacità di scrittura ad alta velocità NoDelayTM e una frequenza SPI fino a 33 MHz (Mode 0/3),adatto a frequenti, applicazioni di stoccaggio non volatile ad alta velocità nei settori industriale e medico.

FM25V20A-G: memoria F-RAM seriale da 2 Mbit (256 K × 8), funzionante da 2,0 V a 3,6 V, con un intervallo di temperatura da 40 °C a +85 °C; dispone di un'interfaccia SPI di massimo 40 MHz per una scrittura veloce e senza ritardi,adatti ad applicazioni che richiedono una scrittura frequente o rapida, come il controllo industriale e l'acquisizione di dati.

FM1808B-SG: 256 Kbit (32 K × 8) di RAM ferroelettrica parallela (F-RAM) in un pacchetto SOIC a 28 pin, compatibile con SRAM ed EEPROM. Voltaggio di funzionamento: da 4,5 V a 5,5 V; intervallo di temperatura: da 40°C a +85°C.

FM18W08-SG: 256 Kbit (32 K × 8) memoria ferroelettrica a accesso casuale (F-RAM) di larghezza di byte, funzionante a 2,7 V a 5,5 V e in un intervallo di temperatura compreso tra 40 °C e +85 °C,adatti per applicazioni di scrittura ad alta frequenza e di alta affidabilità come quelle industriali, strumentazione e registrazione dei dati.

Le soluzioni di memoria F-RAM di Infineon offrono una serie di funzionalità, tra cui:
NoDelayTM Write scrive i dati nelle celle di memoria alla velocità del bus senza alcun tempo di configurazione
I prodotti di memoria ferroelettrica sono estremamente resistenti, con oltre 100 trilioni di cicli di scrittura, rendendoli più resistenti della memoria a porta galleggiante.
Consumo di energia estremamente basso, che consuma 200 volte meno energia di EEPROM e 3.000 volte meno di NOR flash.
Resistente alle radiazioni, non influenzato da errori morbidi indotti dalle radiazioni che causano cambi di bit.

Per ulteriori informazioni sui prodotti di memoria ferroelettrica F-RAM di [Infineon] o per chiedere informazioni sui prezzi dei campioni, visitare il sito web di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per ulteriori dettagli sull'approvvigionamento.