Blog dell'azienda Mingjiada Supply Onsemi NVBG080N120SC1 1200V MOSFET al carburo di silicio (SiC)

Mingjiada Fornitura OnsemiNVBG080N120SC1MOSFET al carburo di silicio (SiC) da 1200 V

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.— Fornitore a lungo termine di ON Semiconductor (onsemi)NVBG080N120SC1: un MOSFET al carburo di silicio (SiC) di tipo automobilistico da 1200 V, 80 mΩ in un contenitore D2PAK-7L. Questo dispositivo è progettato specificamente per soddisfare i severi requisiti di alta efficienza ed elevata densità di potenza nei veicoli elettrici (EV/HEV) e negli alimentatori industriali ad alta frequenza.

I. Panoramica del prodotto e posizionamento principale (NVBG080N120SC1)
NVBG080N120SC1 appartiene alla serie EliteSiC M1 di ON Semiconductor ed è un MOSFET di potenza in modalità di miglioramento a canale N. Rispetto ai tradizionali dispositivi a base di silicio, il materiale SiC fornisce una resistenza in conduzione inferiore e velocità di commutazione ultrarapide, rendendolo un componente chiave per migliorare l'efficienza del sistema.
Specifiche principali: tensione di rottura di 1200 V, corrente di drenaggio continua di 30 A (a 25°C) e una resistenza di conduzione tipica di soli 80 mΩ.
Caratteristiche del pacchetto: Il pacchetto D2PAK-7L (TO-263-7L) offre eccellenti prestazioni termiche e una bassa resistenza termica tra giunzione e involucro (RθJC), mentre il design a 7 pin ottimizza il rumore di commutazione e i circuiti di comando del gate.
Aree di applicazione: rivolto principalmente ad applicazioni di conversione di potenza ad alta frequenza come caricabatterie di bordo (OBC) per veicoli a nuova energia, convertitori CC-CC ad alta tensione, azionamenti di motori e inverter fotovoltaici.

II.NVBG080N120SC1Specifiche:
Tipo FET: canale N
Tecnologia: SiC FET (carburo di silicio)
Tensione Drain-Source (Vdss): 1200 V
Corrente a 25°C – Corrente Drain Continua (Id): 30 A (Tc)
Tensione di azionamento (Rds massima attivata, Rds minima attivata): 20 V
Resistenza On (massima) a vari Id e Vgs: 110 mΩ a 20 A, 20 V
Vgs(th) (massimo) a vari Id: 4,3 V a 5 mA
Carica gate (Qg) a vari Vgs (Max): 56 nC @ 20 V
Vgs (massimo): +25 V, -15 V
Capacità di ingresso (Ciss) a vari Vds (Max): 1154 pF a 800 V
Dissipazione di potenza (max): 179 W (Tc)
Temperatura operativa: da -55°C a 175°C (TJ)
Tipo di montaggio: montaggio superficiale
Pacchetto dispositivo fornitore: D2PAK-7
Confezione/custodia: TO-263-8, D2PAK (7 cavi + pad), TO-263CA

III. Caratteristiche principali: Cinque vantaggi principali diNVBG080N120SC1
1. Resistenza ultrabassa (RDS(on) = 80 mΩ)
NVBG080N120SC1 presenta una resistenza tipica di soli 80 mΩ, che riduce direttamente la perdita di potenza nello stato attivo, consentendo al dispositivo di funzionare con maggiore efficienza riducendo al minimo il carico sulla gestione termica. Rispetto ai tradizionali MOSFET o IGBT a base di silicio, le proprietà di ampio gap di banda del materiale SiC consentono ai dispositivi con la stessa tensione nominale di ottenere una resistenza in conduzione inferiore per unità di area, rendendoli particolarmente adatti per applicazioni di conversione di potenza ad alta efficienza su piattaforme ad alta tensione da 1200 V.
2. Carica gate ultrabassa (QG(tot) = 56 nC)
L'NVBG080N120SC1 ha una carica di gate di soli 56 nC, il che significa che l'energia di azionamento richiesta durante il processo di commutazione è notevolmente ridotta. Ciò non solo riduce la complessità della progettazione e il consumo energetico del circuito di comando, ma consente anche velocità di commutazione estremamente elevate. Frequenze di commutazione più veloci consentono al sistema di ridurre le dimensioni dei componenti passivi (come trasformatori, induttori e condensatori), migliorando significativamente la densità di potenza e riducendo il costo della distinta base complessiva del sistema.
3. Capacità di uscita effettiva bassa (Coss = 79 pF)
NVBG080N120SC1 presenta una capacità di uscita tipica di soli 79 pF, che aiuta a ridurre la perdita di energia durante il processo di commutazione e migliora ulteriormente l'efficienza di commutazione. Questa caratteristica di bassa capacità, combinata con la capacità di commutazione ad alta frequenza del materiale SiC, riduce efficacemente la componente di perdita capacitiva nelle perdite di commutazione, rendendolo particolarmente adatto per topologie come la conversione DC-DC ad alta frequenza e i circuiti risonanti LLC.
4. Elevata affidabilità in ambienti difficili
L'NVBG080N120SC1 è stato sottoposto a test sulle valanghe al 100% e offre un'eccellente immunità alle sovratensioni e robustezza, garantendo un funzionamento stabile in condizioni difficili. Con un ampio intervallo di temperature di giunzione operative da -55°C a +175°C, può funzionare stabilmente a lungo termine in ambienti con temperature estreme.
5. Eccezionali vantaggi a livello di sistema
Sulla base delle caratteristiche elettriche sopra menzionate, NVBG080N120SC1 offre significativi miglioramenti delle prestazioni a livello di sistema:
Massima efficienza: l'ottimizzazione completa delle basse perdite di conduzione e di commutazione consente al sistema di raggiungere efficienze di picco superiori al 98%;
Maggiore densità di potenza: frequenze di commutazione più elevate consentono l'uso di componenti magnetici e condensatori di filtro più piccoli, riducendo significativamente le dimensioni del sistema;
EMI ridotta: caratteristiche di commutazione ottimizzate e processi di confezionamento avanzati sopprimono efficacemente le interferenze elettromagnetiche;
Dimensioni ridotte del sistema: i miglioramenti nell'efficienza complessiva e nella densità di potenza si traducono in un ingombro complessivo del sistema inferiore e in una progettazione termica semplificata.

IV. Scenari applicativi tipici perNVBG080N120SC1
Caricabatterie di bordo per veicoli elettrici (OBC): sfruttando l'alta tensione e l'elevata efficienza, viene utilizzato nella fase di potenziamento PFC e nella fase di isolamento CC-CC per migliorare l'efficienza di ricarica.
Convertitori CC-CC ad alta tensione (EV/HEV): fungendo da dispositivo di commutazione principale, converte la tensione della batteria ad alta tensione (400 V/800 V) in tensione del sistema a bassa tensione (12 V/48 V).
Inverter fotovoltaici e sistemi di accumulo dell'energia: utilizzati nei circuiti boost all'interno degli inverter di stringa, utilizzando frequenze di commutazione elevate per ridurre le dimensioni dell'induttore.
Alimentatori industriali e UPS: adatti per alimentatori di server ad alta densità di potenza e sistemi di continuità (UPS).

V. Mingjiada Electronics – Fornitore unico diNVBG080N120SC1
Mingjiada mantiene uno stock a lungo termine di MOSFET al carburo di silicio NVBG080N120SC1 1200 V di ON Semiconductor. Forniamo prodotti genuini con un ampio stock, supportando sia campioni di piccoli lotti che ordini di grandi volumi. Affidandoci ad un efficiente sistema logistico, garantiamo una rapida consegna dei prodotti.
Mingjiada Electronics gestisce diversi magazzini a Shenzhen e Hong Kong, con un portafoglio azionario che supera i 2 milioni di SKU che coprono circuiti integrati, dispositivi discreti, componenti passivi e altro ancora. Supportiamo ordini di campioni, ordini all'ingrosso e approvvigionamento di lotti misti, offrendo imballaggi standardizzati, riconfezionamento in grandi quantità e servizi di spedizione rapida per soddisfare vari scenari di approvvigionamento, inclusi test di ricerca e sviluppo, produzione su piccola scala e produzione di massa su larga scala.

Per informarsi sugli ultimi prezzi, sulla disponibilità in magazzino o per richiedere campioni diNVBG080N120SC1, visitare il sito Web di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per ottenere un preventivo e una scheda tecnica su misura.