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Blog dell'azienda Mingjiada Supply Renesas Drivers FET a mezzo ponte, Drivers Gate a mezzo ponte, Supply High Frequency GaN/MOSFET Drivers a mezzo ponte

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La Cina ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd. Certificazioni
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—— Nishikawa dal Giappone

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Mingjiada Supply Renesas Drivers FET a mezzo ponte, Drivers Gate a mezzo ponte, Supply High Frequency GaN/MOSFET Drivers a mezzo ponte
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Mingjiada Supply Renesas Half-Bridge FET Drivers, Half-Bridge Gate Drivers, Supply High-Frequency GaN/MOSFET Half-Bridge Drivers

 

Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd. — Fornitore a lungo termine di driver FET half-bridge [Renesas] per progetti di alimentazione ad alta efficienza, che copre prodotti come driver di gate half-bridge e driver half-bridge GaN/MOSFET ad alta frequenza. Mingjiada Electronics dispone di una gamma completa di modelli mainstream e supporta sia campioni in piccoli lotti che ordini in grandi volumi. Supportati da un efficiente sistema logistico, garantiamo una rapida consegna dei prodotti.

 

Driver FET Half-Bridge Renesas
I driver half-bridge (H-bridge) di Renesas possono gestire tensioni fino a 100V, offrendo tempi di salita e discesa del gate leader del settore, nonché eccellenti prestazioni di ritardo di propagazione dall'ingresso all'uscita. Supportano il controllo indipendente high-side/low-side o l'ingresso PWM, fornendo opzioni di pilotaggio flessibili per moduli di stadio di potenza basati su MOSFET al silicio e al nitruro di gallio.

 

RRW40120 – Driver di gate half-bridge da 600V per applicazioni di commutazione high-side e low-side
Dettagli: L'RRW40120 è un driver di gate ad alta tensione e alta frequenza specificamente progettato per dispositivi di commutazione high-side (HS) e low-side (LS), e ottimizzato per i FET SuperGaN® di Renesas e i MOSFET di potenza convenzionali.
Modello consigliato da Mingjiada Electronics: RRW40120-002

 

RRP68151 – Driver half-bridge GaN/MOSFET ad alta frequenza con tensione nominale di 100V, corrente di sink di 2A, corrente di source di 5.3A e alimentazione a 5V
Dettagli: L'RRP68151 è un driver half-bridge ad alta frequenza alimentato a 5V, ottimizzato per transistor a effetto di campo al nitruro di gallio a modalità di miglioramento e MOSFET a canale N a bassa soglia. Fornisce una corrente di sink di 2A e una corrente di source di 5.3A, supportando nodi di commutazione con una tensione DC massima di 100V.
Modelli consigliati da Mingjiada Electronics: RRP68151-BH0, RRP68151-NH0

 

RRP68150 – Driver half-bridge GaN/MOSFET ad alta frequenza da 100 V, con corrente di sink di 2 A, corrente di source di 5.3 A, alimentato a 5 V e protezione anti-cortocircuito
Dettagli: L'RRP68150 è un driver half-bridge ad alta frequenza alimentato a 5 V, ottimizzato per FET GaN a modalità di miglioramento e MOSFET a canale N a bassa soglia. Fornisce una capacità di corrente di sink di 2A e una corrente di source di 5.3A, supportando nodi di commutazione con una tensione DC massima di 100V. L'ingresso PWM del driver è compatibile con la logica CMOS a 3.3V/5V e può sopportare tensioni fino a 14V; questa caratteristica è indipendente dalla tensione di alimentazione VDD.
Modelli consigliati da Mingjiada Electronics: RRP68150-BH0, RRP68150-NH0

 

RRP68145 – Driver half-bridge ad alta frequenza da 100 V, con corrente di sink di 3 A, corrente di source di 4 A, ingresso PWM a tre livelli e tempo morto regolabile
Dettagli: L'RRP68145 è un driver half-bridge MOSFET ad alta frequenza da 100 V, con corrente di sink di 3 A e corrente di source di 4 A. L'RRP68145 è dotato di un ingresso PWM a tre livelli con tempo morto programmabile. Funziona su un ampio intervallo di tensione di alimentazione da 6V a 18V e incorpora un diodo bootstrap high-side, che gli consente di pilotare transistor NMOS sia high-side che low-side in applicazioni half-bridge da 100V.
Modello consigliato da Mingjiada Electronics: RRP68145-NH0

 

ISL78424 – Driver half-bridge da 100V, picco di 4A, con ingresso PWM singolo e controllo adattivo del tempo morto
L'ISL78424 è un driver per transistor a effetto di campo NMOS half-bridge ad alta tensione e alta frequenza di grado automobilistico (AEC-Q100 Grado 1), progettato per pilotare i gate di topologie half-bridge fino a 70V. Questa serie di driver half-bridge presenta una corrente di picco del gate di 3A in source e 4A in drain.
Modelli consigliati da Mingjiada Electronics: ISL78424AVEZ, ISL78424AVEZ-T, ISL78424AVEZ-T7A

 

Per ulteriori informazioni sui driver FET half-bridge Renesas o per richiedere prezzi di campioni, visitare il sito web di Mingjiada Electronics (https://www.integrated-ic.com/) per ulteriori dettagli sulla fornitura.

Tempo del pub : 2026-07-20 10:07:59 >> lista di notizie
Dettagli di contatto
ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.

Persona di contatto: Mr. Sales Manager

Telefono: 86-13410018555

Fax: 86-0755-83957753

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