Mingjiada Supply SK Hynix e SAMSUNG DDR4 SDRAM ETT chip di memoria
Shenzhen Mingjiada Electronics Co., Ltd.Fornisce una vasta gamma di chip di memoria DDR4 SDRAM ETT, che coprono i due principali marchi: Samsung e SK Hynix.
I principali modelli di chip di memoria DDR4 ETT e le specifiche attualmente disponibili da Mingjiada Electronics sono i seguenti:
SK Hynix DDR4 SDRAM
H5AN4G8NBJR-VKC 4Gb chip di memoria DDR4 SDRAM, utilizzando un pacchetto FBGA da 78 sfere, con un'organizzazione 512Mx8, supportando una velocità di trasferimento dati di 2666Mbps e una tensione di funzionamento di 1,2V.
H5AN4G6NBJR-UHC ¢ memoria DDR4 sincrona dinamica ad accesso casuale (SDRAM) ad alta densità e bassa potenza, fabbricata con processi avanzati di semiconduttori,questo chip offre 4 GB (512 MB) di capacità di archiviazione in un pacchetto compatto FBGA-96.
chip di memoria DDR4 SDRAM H5AN4G6NBJR-VKC 4Gb (ossia 512MB), fabbricato utilizzando la tecnologia CMOS sincrona ad alta velocità,destinati principalmente ad applicazioni di memoria principale che richiedono un'elevata densità di archiviazione e una grande larghezza di banda.
H5AN8G6NDJR-XNC 8Gb DDR4-3200 di memoria, dotata di un'organizzazione 512M×16, supportando una velocità massima di trasferimento dati di 3200Mbps, basata su un design a bassa tensione da 1,2 V, in un pacchetto FBGA-96 (13×7,5 mm)
chip di memoria DDR4 SDRAM H5AN8G8NDJR-XNC 8Gb (1GB), fabbricato utilizzando un processo CMOS sincrono ad alta velocità,con una struttura interna di 1G × 8 bit (8 bit di larghezza) e utilizzando un'architettura prefetch a 8 bit per ottenere il trasferimento di dati ad alta larghezza di banda.
H5AN8G8NCJR-XNC 8Gb DDR4 SDRAM, in un pacchetto FBGA da 78 sfere, funzionante a 1,2 V, supportando una velocità massima di trasmissione di dati di 3200Mbps (DDR4-3200), con organizzazione 1G × 8 bit.
modulo di memoria H5ANAG6NCJR-XNC 16Gb DDR4 SDRAM con una capacità di 16Gb, organizzato in 1G × 16, utilizzando un pacchetto BGA-96 conforme alla normativa RoHS.con una velocità di clock massima di 1600 MHz.
H5ANAG8NCJR-XNC 16Gb (2GB) chip di memoria DDR4 SDRAM, funzionante a tensione standard DDR4 (tipicamente 1.2V), fabbricato utilizzando il processo 1z nm (D1Z) di SK Hynix, in un pacchetto FBGA da 78 sfere.
Samsung DDR4 SDRAM
K4A8G085WC-BCTD 8 Gb chip di memoria DDR4 SDRAM, funzionante a 1,2 V, in un pacchetto 78-FBGA, con un intervallo di temperatura di funzionamento da 0 a 85 °C
K4A4G165WF-BCTD ¢ chip di memoria DDR4 SDRAM da 4 Gb ad alte prestazioni con una frequenza di clock massima di 1,066 GHz.
K4A4G165WE-BCRC 4 Gb (512 MB) DDR4 SDRAM memoria die, con un 256M × 16-bit architettura e un 96-ball FBGA pacchetto, funzionante a una tensione standard di 1.2 V e supportando una velocità massima di trasferimento dati di DDR4-2400 (2400 Mbps).
K4A4G165WF-BCWE 4Gb (512MB) chip di memoria DDR4 SDRAM, con un'architettura 256M × 16 bit e un pacchetto FBGA da 96 sfere, funzionante a una tensione standard di 1.2V e supportando una velocità di trasferimento dati massima di DDR4-3200 (3200 Mbps).
K4A8G165WB-BCRC 8Gb chip di memoria DDR4, utilizzando un pacchetto FBGA da 96 sfere, con una velocità nominale di 2400 Mbps e una tensione di funzionamento di 1,2 V.
K4A8G165WC-BCTD 8Gb (1GB) chip di memoria DDR4 SDRAM, con un'architettura 512M × 16 bit e un pacchetto FBGA da 96 sfere, funzionante a una tensione standard di 1,2 V.Questo chip appartiene alla serie di prodotti C-Die di Samsung e supporta una velocità massima di trasferimento dati di DDR4-2666 (2666 Mbps).
Questi chip di memoria sono ampiamente utilizzati nei server, nei data center, nelle comunicazioni di rete, nel controllo industriale e nell'elettronica automobilistica.Mingjiada Electronics offre sia campioni di piccoli lotti che servizi di fornitura di grandi quantitàPer un preventivo accurato, si prega di fornire la marca del chip, la capacità, la larghezza del bit, la velocità, il tipo di pacchetto e la quantità di acquisto.
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